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文档简介
1、一、填空题:1 .晶体管工作在饱和区时发射结偏;集电结偏。2 .三极管按结构分为_和两种类型,均具有两个PN结,即?口。3 .三极管是控制器件,场效应管是控制器件。4 .晶体管放大电路的性能指标分析,主要采用等效电路分析法。5 .放大电路中,测得三极管三个电极电位为Ui=6.5V,U2=7.2V,U3=15V,则该管是类型管子,其中极为集电极。6 .场效应管输出特性曲线的三个区域是?口o7 .三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时,三极管的工作状态分别是和08 .场效应管同三极管相比其输入电阻,热稳定性。9 .采用微变等效电路法对放大电路进彳T动态分析时,输入信号必须是的信号。10 .三
2、极管有放大作用的外部条件是发射结,集电结。11 .在正常工作范围内,场效应管极无电流12 .三极管按结构分为和网种类型,土具有两个PN结,即和13 .晶体三极管是一种控制器件,而场效应管是一种控制器件。14 .若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压,在集电结上也加上反向偏置电压,则这个晶体三极管处于状态。15 .作放大作用时,场效应管应工作在(截止区,饱和区,可变电阻区)。16 .晶体三极管用于放大时,应使发射极处于偏置,集电极处于偏置。二、选择题:1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是Vc=6V,Vb=0.7V,Ve=1V则晶体管工作在()状态。A、放大B、截止C、饱和D、损坏2、
3、三级管开作在放大区,要求(???)A发射结正偏,集电结正偏???B、发射结正偏,集电结反偏C发射结反偏,集电结正偏???D、发射结反偏,集电结反偏3、在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的哪个区域?()A可变线性区B截止区C饱合区D击穿区4 .一NPN型三极管三极电位分别有Vc=3.3V,Ve=3V,Vb=3.7V,则该管工作在()A.饱和区B,截止区C.放大区D.击穿区5 .三极管参数为PcM=800mW,ICM=100mA,UBR(cEo)=30V,在下列几种情况中,()属于正常工作。A.Uce=15V,Ic=150mAB.Uce=20V,Ic=80mAC.Uce=35V,Ic=100m
4、AD.Uce=10V,Ic=50mA6 .下列三极管各个极的电位,处于放大状态的三极管是()AVc=0.3V,Ve=0V,Vb=0.7VBVc=-4V,Ve=-7.4V,Vb=-6.7VCVc=6V,Ve=0V,Vb=-3VDVc=2V,Ve=2V,Vb=2.7V7 .如果三极管工作在截止区,两个PN结状态()A.均为正偏B.均为反偏C.发射结正偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结正偏8 .场效应管工作在恒流区即放大状态时,漏极电流ID主要取决于()A栅极电流B、栅源电压G漏源电压D栅漏电压。9 .场效应管是一种()器件A电压控制双极型B、电压控制单极型G、电流控制双极型D电流控制单极型、10
5、 .有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是Vc=6V,Vb=0.7V,Ve=1V则晶体管工作在()状态。A、放大B、截止C、饱和D、损坏11、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12仙A增大到22仙A时,IC从1mA为2mA那么它的B约为()。A.83B.91C.10012、工作于放大状态的PNPt,各电极必须满足()A.UC>UB>UEBUCvUBvUECUB电C>UEDUC>UE>UB13.下列场效应管,哪一个是耗尽型NMOST()ab。c上LiJ14、ugsdVW,能够壬崎而流区的场城早!有A.结型管B.M强型MOSTC.耗尽型MOSff三、判断题1、判断图示三极管的工作状态0.7V5V2、-5若无放大作画请予改正3.3VUi3、如图示,试判断YV7饱和状态的管子()o3.7V3V(d)+5V-1.7Vo+7.1Rbb)V1VCCRc4 .:(a昨在成V区白三极号CC集电结正3V。5 .晶体三极用R+C5E可以交-8V)7
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