微电子工艺技术课后作业hw

1、 学号：微艺技术业微工艺技术课后作业 HW7成绩： 作业布置时间：2018 年 12 月 20 号完- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -一、简答题：1. 5%写出晶圆湿法刻蚀工艺基本步骤。2. 5%晶圆湿法刻蚀的特点并写出影响晶圆湿法刻蚀的主要因素。3. 5%最常用于湿法刻蚀二氧化硅的化学药品是什么？写出刻蚀二氧化硅的化学反应式

2、。最常用于湿法刻蚀硅的化学药品是什么？写出刻蚀硅的化学反应式。最常用于湿法刻蚀氮化硅的化学药品是什么？写出刻蚀氮化硅的化学反应式。最常用于湿法刻蚀的化学药品是什么？写出刻蚀金属 Al 主要的化学反应式。4. 5%钛金属硅化物中未反应的钛薄膜去除工艺使用湿法刻蚀的原理，并写出主要化学反应式5. 5%等离子刻蚀工艺原理2018-2019 学年第一学期CH10-刻蚀工艺课程编号：2152643-HW7-1湿法刻蚀特点：影响湿法刻蚀的主要因素： 学号：微艺技术业6. 10%等离子体刻蚀由于具有等离子体的轰击，所以能达到非等向性刻蚀轮廓，请解释两种非等向性刻蚀机理。7. 5%为什么多晶硅栅刻蚀工艺中多晶

3、硅对二氧化硅的选择性要高？8. 10%写出集成电路中多晶硅干法刻蚀工艺的主要应用集成电路工艺中多晶硅刻蚀的要求多晶硅刻蚀中影响器件性能和良品率的主要工艺参数9. 5%多晶硅干法刻蚀的主要气体多晶硅干法刻蚀主要步骤每一个步骤所用到的气体及作用集成电路工艺中为什么不使用氟气体刻蚀多晶硅？2018-2019 学年第一学期CH10-刻蚀工艺课程编号：2152643-HW7-2 学号：微艺技术业10. 5%单晶硅刻蚀工艺使用的主要气体及非等向刻蚀原理。写出单晶硅刻蚀中影响 STI 器件性能和良品率的主要工艺参数11. 5%SiO2 干法刻蚀工艺示意的主要气体及刻蚀机理。接触孔刻蚀的典型刻蚀步骤，及各步骤

4、使用的主要气体及使用该气体的目的。图 1 CF 4 等离子体刻蚀加入 O2/H2 对刻蚀速率的影响12. 10%总结图 1 CF4 等离子体刻蚀加入 O2 对刻蚀速率的影响。分析加入 O2 影响刻蚀速率的机理在接触孔刻蚀工艺中的应用。2018-2019 学年第一学期CH10-刻蚀工艺课程编号：2152643-HW7-3 学号：微艺技术业13. 10%总结图 1 CF4 等离子体刻蚀加入 H2 对刻蚀速率的影响。分析加入 H2 影响刻蚀速率的机理在接触孔刻蚀工艺中的应用。14. 5%解释什么是湿法和干法刻蚀。为何现代集成电路工艺普遍使用干法刻蚀。15. 10%使用 Al-Cu 合金多层互连金属工艺中，主要的金属成分是什么？根据金属互连层的成分，如果需要对 Al-Cu 金属进行刻蚀，使用什么气体进行干法刻蚀？写出主要的化学反应式