《电子技术基础》正式教案

1、电 子 技 术 基础教 案§1-1 半导体的根底知识目的与要求1. 了解半导体的导电本质，2. 理解N型半导体和P型半导体的概念3. 掌握PN结的单向导电性重点与难点重点 1.N型半导体和P型半导体 2. PN结的单向导电性难点 1.半导体的导电本质2. PN结的形成教学方法讲授法,列举法,启发法教具二极管,三角尺小结半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动PN结的单向导电

2、性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。布置作业1.什么叫N型半导体和P型半导体第一章 常用半导体器件§1-1 半导体的根底知识自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。 半导体的特点：热敏性光敏性掺杂性 导体和绝缘体的导电原理：了解简介。一、半导体的导电特性半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。1热激发产生自由电子和空穴每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚

3、成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。2空穴的运动与自由电子的运动不同有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴，这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动，从效果上看，相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。3.结 论 1半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。 2本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相同。3一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相

4、对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。 4温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。二、N型半导体和P型半导体本征半导体 完全纯洁的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。杂质半导体 在本征半导体中参加微量杂质，可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型N型半导体和空穴型P型半导体。1. N型半导体 在硅或锗半导体晶体中，掺入微量的五价元素，如磷P、砷As等，那么构成N型半导体。在纯洁半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在多余的价电子而

5、产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子。2.P型半导体 在硅或锗半导体晶体中，掺入微量的三价元素，如硼B、铟In等，那么构成P型半导体。在纯洁半导体硅或锗中掺入硼、铝等3价元素，由于这类元素的原子最外层只有3个价电子，故在构成的共价键结构中，由于缺少价电子而形成大量空穴，这类掺杂后的半导体其导电作用主要靠空穴运动，称为空穴半导体或P型半导体，其中空穴为多数载流子，热激发形成的自由电子是少数载流子。三、PN结及其单向导电性1PN结的形成半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定

6、向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动，如图1.6所示。图1.7 PN结的形成1由于空穴和自由电子均是带电的粒子，所以扩散的结果使P区和N区原来的电中性被破坏，在交界面的两侧形成一个不能移动的带异性电荷的离子层，称此离子层为空间电荷区，这就是所谓的PN结，如图1.7所示。在空间电荷区，多数载流子已经扩散到对方并复合掉了，或者说消耗尽了，因此又称空间电荷区为耗尽层。空间电荷区出现后，因为正负电荷的作用，将产生一个从N区指向P区的内电场。内电场的方向，会

7、对多数载流子的扩散运动起阻碍作用。同时，内电场那么可推动少数载流子P区的自由电子和N区的空穴越过空间电荷区，进入对方。少数载流子在内电场作用下有规那么的运动称为漂移运动。漂移运动和扩散运动的方向相反。无外加电场时，通过PN结的扩散电流等于漂移电流，PN结中无电流流过，PN结的宽度保持一定而处于稳定状态。图1.8 PN结的形成22. PN结的单向导电性 如果在PN结两端加上不同极性的电压，PN结会呈现出不同的导电性能。1PN结外加正向电压 PN结P端接高电位，N端接低电位，称PN结外加正向电压，又称PN结正向偏置，简称为正偏，图1.9 PN结外加正向电压2PN结外加反向电压 PN结P端接低电位，

8、N端接高电位，称PN结外加反向电压，又称PN结反向偏置，简称为反偏，图1.20 PN结外加反向电压小结：PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。§1-2 二 极 管目的与要求1. 了解半导体二极管的结构2. 掌握半导体二极管的符号3. 理解半导体二极管的伏安特性4. 知道二极管的主要参数重点与难点重点 1. 二极管的符号 2. 二极管的伏安特性难点 二极管的伏安特性教学方法讲授法,列举法,启发法教具二极管,三角尺小结外加正向电压较小时，外电场缺乏以克服内电场对多子扩散的阻力，PN结仍处于截止状态 。正向电压大于死区电压后，正向电流 随着正向

9、电压增大迅速上升。通常死区电压硅管约为0.5V，锗管约为0.2V。当反向电压的值增大到UBR时，反向电压值稍有增大，反向电流会急剧增大，称此现象为反向击穿，UBR为反向击穿电压。布置作业§1-2 二 极 管一、半导体二极管的结构二极管的定义：一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管。二极管按半导体材料的不同可以分为硅二极管、锗二极管和砷化镓二极管等。二极管按其结构不同可分为点接触型、面接触型和平面型二极管三类。 点接触型二极管PN结面积很小，结电容很小，多用于高频检涉及脉冲数字电路中的开关元件。 面接触型二极管PN结面积大，结电容也小，多用在低频

10、整流电路中。平面型二极管PN结面积有大有小。图1.11 二极管的符号 简单介绍常见的二极管的外型了解国产二极管的型号的命名方法。二、半导体二极管的伏安特性1、正向特性外加正向电压较小时，外电场缺乏以克服内电场对多子扩散的阻力，PN结仍处于截止状态 。正向电压大于死区电压后，正向电流 随着正向电压增大迅速上升。通常死区电压硅管约为0.5V，锗管约为0.2V。图1.13 二极管的伏安特性曲线2、反向特性二极管外加反向电压时，电流和电压的关系称为二极管的反向特性。由图1.13可见，二极管外加反向电压时，反向电流很小I-IS，而且在相当宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此，称此电流值为二极管的反

11、向饱和电流从图1.13可见，当反向电压的值增大到UBR时，反向电压值稍有增大，反向电流会急剧增大，称此现象为反向击穿，UBR为反向击穿电压。利用二极管的反向击穿特性，可以做成稳压二极管，但一般的二极管不允许工作在反向击穿区。 补充：二极管的温度特性二极管是对温度非常敏感的器件。实验说明，随温度升高，二极管的正向压降会减小，正向伏安特性左移，即二极管的正向压降具有负的温度系数约为-2mV/；温度升高，反向饱和电流会增大，反向伏安特性下移，温度每升高10，反向电流大约增加一倍。三、 二极管的主要参数1最大整流电流IF 最大整流电流IF是指二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正向电流的平均值。

12、2反向击穿电压UBR 反向击穿电压是指二极管击穿时的电压值。3反向饱和电流IS 它是指管子没有击穿时的反向电流值。其值愈小，说明二极管的单向导电性愈好。另外4反向击穿电压UB：指管子反向击穿时的电压值。5最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。理想二极管：正向电阻为零，正向导通时为短路特性，正向压降忽略不计；反向电阻为无穷大，反向截止时为开路特性，反向漏电流忽略不计。四、二极管极性的判定将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，假设测得的电阻值很小几千欧以下，那么黑表笔所接电极为二极管正极，红表笔所接电极为二极管的负极；假设测得的阻值很大几百千欧以上，那么黑表笔所接电极为二极管负极，红表笔所

13、接电极为二极管的正极。五、二极管好坏的判定 1假设测得的反向电阻很大几百千欧以上，正向电阻很小几千欧以下，说明二极管性能良好。 2假设测得的反向电阻和正向电阻都很小，说明二极管短路，已损坏。 3假设测得的反向电阻和正向电阻都很大，说明二极管断路，已损坏。补充：特殊二极管1.稳压二极管2.发光二极管LED3.光电二极管4.变容二极管5.激光二极管§1-3 三 极 管目的与要求1. 了解三极管的结构及类型2. 掌握半导体三极管的符号3. 理解半导体三极管的伏安特性及电流放大作用4. 知道三极管的主要参数和检测方法重点与难点重点 1. 三极管的符号 2. 三极管的伏安特性曲线难点 三极管的

14、伏安特性曲线教学方法讲授法,列举法,启发法教具二极管,三极管，三角尺小结放大区 输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区。三极管工作在放大状态时，具有以下特点： a三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置； b基极电流IB微小的变化会引起集电极电流IC较大的变化，有电流关系式：IC=IB；c对NPN型的三极管，有电位关系：UC>UB>UE；d对NPN型硅三极管，有发射结电压UBE0.7V；对NPN型锗三极管，有UBE0.2V。布置作业§1-3 三 极 管一、三极管的结构、符号及类型1. 三极管的结构及符号半导体三极管又称晶体三极管下称三极管，一般简称晶体管，或双极型晶体管。它是

15、通过一定的制作工艺，将两个PN结结合在一起的器件，两个PN结相互作用，使三极管成为一个具有控制电流作用的半导体器件。三极管可以用来放大微弱的信号和作为无触点开关。三极管从结构上来讲分为两类：NPN型三极管和PNP型三极管NPN型PNP型三极管的文字符号为V。三极管的结构特点：三极管制作时，通常它们的基区做得很薄几微米到几十微米，且掺杂浓度低；发射区的杂质浓度那么比拟高；集电区的面积那么比发射区做得大，这是三极管实现电流放大的内部条件。2三极管的类型1国产三极管的型号，见P10-表1-32三极管的分类：三极管可以是由半导体硅材料制成，称为硅三极管；也可以由锗材料制成，称为锗三极管。 三极管从应用

16、的角度讲，种类很多。根据工作频率分为高频管、低频管和开关管；根据工作功率分为大功率管、中功率管和小功率管。常见的三极管外形如图P10-1.13所示。二、三极管的电流放大作用1、产生放大作用的条件 内部：a发射区杂质浓度>>基区>>集电区 b基区很薄 外部：发射结正偏，集电结反偏图1.14 三极管的工作电压电路2、三极管的电流分配及放大关系 IE = IC + IB IE ICIC = IB三、三极管的特性曲线三极管的特性曲线是指三极管的各电极电压与电流之间的关系曲线，它反映出三极管的特性。它可以用专用的图示仪进行显示，也可通过实验测量得到。 1、输入特性曲线 它是指一定

17、集电极和发射极电压UCE下，三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。简单分析曲线规律。硅管的死区电压约0.5V，锗管的死区电压约0.3V，三极管处于放大状态时，硅管的UBE约0.7V，锗管的UBE约0.3V。2输出特性曲线三极管的输出特性曲线是指一定基极电流IB下，三极管的集电极电流IC与集电结电压UCE之间的关系曲线。曲线的分析理解，难点。一般把三极管的输出特性分为3个工作区域，下面分别介绍。 截止区 三极管工作在截止状态时，具有以下几个特点： a发射结和集电结均反向偏置； b假设不计穿透电流ICEO，有IB、IC近似为0； c三极管的集电极和发射极之间电阻很大，三极管相当于一

18、个开关断开。 放大区 输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区。三极管工作在放大状态时，具有以下特点： a三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置； b基极电流IB微小的变化会引起集电极电流IC较大的变化，有电流关系式：IC=IB；c对NPN型的三极管，有电位关系：UC>UB>UE；d对NPN型硅三极管，有发射结电压UBE0.7V；对NPN型锗三极管，有UBE0.2V。 饱和区三极管工作在饱和状态时具有如下特点： a三极管的发射结和集电结均正向偏置； b三极管的电流放大能力下降，通常有IC<IB；cUCE的值很小，称此时的电压UCE为三极管的饱和压降，用UCES表示。一般硅三极管的

19、UCES约为0.3V，锗三极管的UCES约为0.1V； d三极管的集电极和发射极近似短接，三极管类似于一个开关导通。三极管作为开关使用时，通常工作在截止和饱和导通状态；作为放大元件使用时，一般要工作在放大状态。 四、三极管的主要参数三极管的参数有很多，如电流放大系数、反向电流、耗散功率、集电极最大电流、最大反向电压等，这些参数可以通过查半导体手册来得到。1共发射极电流放大系数和它是指从基极输入信号，从集电极输出信号，此种接法共发射极下的电流放大系数。2极间反向电流 集电极基极间的反向饱和电流ICBO 集电极发射极间的穿透电流ICEO3极限参数 集电极最大允许电流ICM 集电极最大允许功率损耗P

20、CM 反向击穿电压五、三极管的检测1.型号和管脚排列的三极管，判断其性能的好坏1测量极间电阻2三极管穿透电流ICEO大小的判断3电流放大系数的估计2.判别三极管的管脚1判定基极和管型2判定集电极c和发射极e图1.CK 判别三极管c、e电极的原理图 §1.4 场 效 应 管目的与要求1. 了解场效应管的结构及工作原理2. 掌握场效应管的分类和符号3. 了解场效应管的转移特性曲线及输出特性曲线4. 知道场效应管的主要参数重点与难点重点 场效应管的分类和符号难点 场效应管的转移特性曲线及输出特性曲线教学方法讲授法,列举法,启发法教具三极管，三角尺小结结型场效应管分为N沟道结型管和P沟道结型

21、管，它们都具有3个电极：栅极、源极和漏极，分别与三极管的基极、发射极和集电极相对应。绝缘栅场效应管分为增强型和耗尽型两种，每一种又包括N沟道和P沟道两种类型。场效应管的主要参数 夹断电压UP 开启电压(UT) 饱和漏极电流IDSS 最大漏源击穿电压UBRDS 跨导gm布置作业§1.4 场 效 应 管场效应管那么是一种电压控制器件，它是利用电场效应来控制其电流的大小，从而实现放大。场效应管工作时，内部参与导电的只有多子一种载流子，因此又称为单极性器件。 根据结构不同，场效应管分为两大类，结型场效应管和绝缘栅场效应管。 一、结型场效应管结型场效应管分为N沟道结型管和P沟道结型管，它们都具

22、有3个电极：栅极、源极和漏极，分别与三极管的基极、发射极和集电极相对应。1.结型场效应管的结构与符号图1.23所示为N沟道结型场效应管的结构与符号，结型场效应管符号中的箭头，表示由P区指向N区。 图1.23 N沟道结型管的结构与符号 P沟道结型场效应管的构成与N沟道类似，只是所用杂质半导体的类型要反过来。图1.39所示为P沟道结型场效应管的结构与符号 图1.23 P沟道结型管的结构与符号 2.结型场效应管的工作原理以N沟道结型场效应管为例，参考P16图1-24.1当栅源电压UGS=0时，两个PN结的耗尽层比拟窄，中间的N型导电沟道比拟宽，沟道电阻小。2当UGS<0时，两个PN结反向偏置，

23、PN结的耗尽层变宽，中间的N型导电沟道相应变窄，沟道导通电阻增大。3当UP<UGS0且UDS>0时，可产生漏极电流ID。ID的大小将随栅源电压UGS的变化而变化，从而实现电压对漏极电流的控制作用。 UDS的存在，使得漏极附近的电位高，而源极附近的电位低，即沿N型导电沟道从漏极到源极形成一定的电位梯度，这样靠近漏极附近的PN结所加的反向偏置电压大，耗尽层宽；靠近源极附近的PN结反偏电压小，耗尽层窄，导电沟道成为一个楔形。注意，为实现场效应管栅源电压对漏极电流的控制作用，结型场效应管在工作时，栅极和源极之间的PN结必须反向偏置。3.结型场效应管的特性曲线1转移特性曲线在场效应管的UDS

24、一定时，ID与UGS之间的关系曲线称为场效应管的转移特性曲线，如图1.25所示。它反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控制作用。图1.25 N沟道结型场效应管的转移特性曲线图1.25 N沟道结型场效应管的输出特性曲线当UGS=0时，导电沟道电阻最小，ID最大，称此电流为场效应管的饱和漏极电流IDSS。 当UGS=UP时，导电沟道被完全夹断，沟道电阻最大，此时ID=0，称UP为夹断电压。2输出特性曲线输出特性曲线是指栅源电压UGS一定时，漏极电流ID与漏源电压UDS之间的关系曲线。场效应管的输出特性曲线可分为四个区域：可变电阻区恒流区截止区夹断区击穿区二、绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管是由金属Met

25、al、氧化物Oxide和半导体Semiconductor材料构成的，因此又叫MOS管。绝缘栅场效应管分为增强型和耗尽型两种，每一种又包括N沟道和P沟道两种类型补充：耗尽型：UGS=0时漏、源极之间已经存在原始导电沟道。增强型：UGS=0时漏、源极之间才能形成导电沟道。无论是N沟道MOS管还是P沟道MOS管，都只有一种载流子导电，均为单极型电压控制器件。MOS管的栅极电流几乎为零，输入电阻RGS很高。1、结构与符号 以N沟道增强型MOS管为例，它是以P型半导体作为衬底，用半导体工艺技术制作两个高浓度的N型区，两个N型区分别引出一个金属电极，作为MOS管的源极S和漏极D；在P形衬底的外表生长一层很

26、薄的SiO2绝缘层，绝缘层上引出一个金属电极称为MOS管的栅极G。B为从衬底引出的金属电极，一般工作时衬底与源极相连。图1.26 N沟道增强型MOS管的结构与符号 符号中的箭头表示从P区衬底指向N区N沟道，虚线表示增强型。2、N沟道增强型MOS管的工作原理 如P18图1.27所示，在栅极G和源极S之间加电压UGS，漏极D和源极S之间加电压UDS，衬底B与源极S相连。形成导电沟道所需要的最小栅源电压UGS，称为开启电压UT。3、特性曲线1 转移特性曲线2 输出特性漏极特性曲线 图1.28 N沟道增强型MOS管的转移特性曲线图1.28 N沟道增强型MOS管的输出特性曲线 三、场效应管的主要参数 夹

27、断电压UP 开启电压(UT) 饱和漏极电流IDSS 最大漏源击穿电压UBRDS 跨导gm四、场效应管应注意的事项1选用场效应管时，不能超过其极限参数。2结型场效应管的源极和漏极可以互换。3MOS管有3个引脚时，说明衬底已经与源极连在一起，漏极和源极不能互换；有4个引脚时，源极和漏极可以互换。4MOS管的输入电阻高，容易造成因感应电荷泄放不掉而使栅极击穿永久失效。因此，在存放MOS管时，要将3个电极引线短接；焊接时，电烙铁的外壳要良好接地，并按漏极、源极、栅极的顺序进行焊接，而拆卸时那么按相反顺序进行；测试时，测量仪器和电路本身都要良好接地，要先接好电路再去除电极之间的短接。测试结束后，要先短接

28、电极再撤除仪器。5电源没有关时，绝对不能把场效应管直接插入到电路板中或从电路板中拔出来。6相同沟道的结型场效应管和耗尽型MOS场效应管，在相同电路中可以通用。第5节其他半导体器件简单介绍，了解。§2.1 根本共射极放大电路目的与要求1. 掌握共射极放大电路组成2. 了解共射极放大电路的工作原理及性能特点3. 知道共射极放大电路中各元件的作用重点与难点重点 共射极放大电路组成难点 共射极放大电路的工作原理教学方法讲授法,列举法,启发法教具三极管，三角尺小结电路中各元件的作用如下。 1三极管2隔直耦合电容C1和C23基极回路电源UBB和基极偏置电阻Rb4集电极电源UCC5集电极

29、负载电阻Rc布置作业第二章 常用放大器2.1 根本共射极放大电路一、三极管在放大电路中的三种连接方式上图所示为三极管在放大电路中的三种连接方式：图a从基极输入信号，从集电极输出信号，发射极作为输入信号和输出信号的公共端，此即共发射极简称共射极放大电路；图b从基极输入信号，从发射极输出信号，集电极作为输入信号和输出信号的公共端，此即共集电极放大电路；图c从发射极输入信号，从集电极输出信号，基极作为输入信号和输出信号的公共端，此即共基极放大电路。二、根本放大电路的组成和工作原理1.共射极放大电路组成在三种组态放大电路中，共发射极电路用得比拟普遍。这里就以NPN共射极放大电路为例，讨论放大电路的组成

30、、工作原理以及分析方法。电路中各元件的作用如下。 1晶体管V。放大元件，用基极电流iB控制集电极电流iC。2电源UCC和UBB。使晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管处在放大状态，同时也是放大电路的能量来源，提供电流iB和iC。UCC一般在几伏到十几伏之间。3偏置电阻RB。用来调节基极偏置电流IB，使晶体管有一个适宜的工作点，一般为几十千欧到几百千欧。4集电极负载电阻RC。将集电极电流iC的变化转换为电压的变化，以获得电压放大，一般为几千欧。5电容Cl、C2。用来传递交流信号，起到耦合的作用。同时，又使放大电路和信号源及负载间直流相隔离，起隔直作用。为了减小传递信号的电压损失，Cl

31、、C2应选得足够大，一般为几微法至几十微法，通常采用电解电容器。2、共射极放大电路的工作原理§2.2 共射极放大电路的分析目的与要求1. 掌握共射极放大电路分析方法种类2. 初步掌握共射极放大电路分析的具体方法计算法3. 会一些简单共射极放大电路分析计算应用4. 了解多级放大器重点与难点重点 计算法分析共射极放大电路难点 计算法分析共射极放大电路和应用教学方法讲授法,列举法,启发法教具三极管，三角尺小结静态工作点抑制零漂的方法有多种，如采用温度补偿电路、稳压电源以及精选电路元件等方法。最有效且广泛采用的方法是输入级采用差动放大电路。布置作业§2.2 共射极放大电路的分析静态

32、是指无交流信号输入时，电路中的电流、电压都不变的状态，静态时三极管各极电流和电压值称为静态工作点Q主要指IBQ、ICQ和UCEQ。静态分析主要是确定放大电路中的静态值IBQ、ICQ和UCEQ。一、 直流通路和交流通路直流通路：耦合电容可视为开路。交流通路：ui单独作用下的电路。由于电容C1、C2足够大，容抗近似为零相当于短路，直流电源UCC去掉短接。二、 计算法近似估算法1、 静态工作点2、 输入电阻和输出电阻微变等效电路法，根本思路把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效成一个线性电路，就是放大电路的微变等效电路，然后用线性电路的分析方法来分析，这种方法称为微变等效电路分析法。等效的条件是晶体

33、管在小信号微变量情况下工作。这样就能在静态工作点附近的小范围内，用直线段近似地代替晶体管的特性曲线。1输入电阻2输出电阻3、电压放大倍数三、静态工作点稳定的放大电路条件：I2>>IB，那么与温度根本无关。调节过程：四、多级放大器多级放大电路是指两个或两个以上的单级放大电路所组成的电路。通常称多级放大电路的第一级为输入级。对于输入级，一般采用输入阻抗较高的放大电路，以便从信号源获得较大的电压输入信号并对信号进行放大。中间级主要实现电压信号的放大，一般要用几级放大电路才能完成信号的放大。通常把多级放大电路的最后一级称为输出级，主要用于功率放大，以驱动负载工作。1.阻容耦合 它是指各单级

34、放大电路之间通过隔直耦合电容连接。图2.16所示为阻容耦合两级放大电路。 各极之间通过耦合电容及下级输入电阻连接。优点：各级静态工作点互不影响，可以单独调整到适宜位置；且不存在零点漂移问题。缺点：不能放大变化缓慢的信号和直流分量变化的信号；且由于需要大容量的耦合电容，因此不能在集成电路中采用。2.变压器耦合 它是指各级放大电路之间通过变压器耦合传递信号。图2.46所示为变压器耦合放大电路。通过变压器T1把前级的输出信号uo1，耦合传送到后级，作为后一级的输入信号ui2。变压器T2将第二级的输出信号耦合传递给负载RL。变压器具有隔离直流、通交流的特性，因此变压器耦合放大电路具有如下特点： 1各级

35、的静态工作点相互独立，互不影响，利于放大器的设计、调试和维修。 2同阻容耦合一样，变压器耦合低频特性差，不适合放大直流及缓慢变化的信号,只能传递具有一定频率的交流信号。3可以实现电压、电流和阻抗的变换，容易获得较大的输出功率。 4输出温度漂移比拟小。 5变压器耦合电路体积和重量较大，不便于做成集成电路。3. 直接耦合放大电路优点：能放大变化很缓慢的信号和直流分量变化的信号；且由于没有耦合电容，故非常适宜于大规模集成。缺点：各级静态工作点互相影响；且存在零点漂移问题。零点漂移：放大电路在无输入信号的情况下，输出电压uo却出现缓慢、不规那么波动的现象。产生零点漂移的原因很多，其中最主要的是温度影响

36、。抑制零漂的方法有多种，如采用温度补偿电路、稳压电源以及精选电路元件等方法。最有效且广泛采用的方法是输入级采用差动放大电路。差动放大电路的工作原理了解抑制零点漂移的原理静态时，uil=ui20 ，此时由负电源UEE通过电阻RE和两管发射极提供两管的基极电流。由于电路的对称性，两管的集电极电流相等，集电极电位也相等，即：IC1= IC2UC1= UC2输出电压：uo UC1 UC2=0温度变化时，两管的集电极电流都会增大，集电极电位都会下降。由于电路是对称的，所以两管的变化量相等。即：IC1= IC2UC1= UC2输出电压：uo (UC1 + UC1)( UC2 +UC2 )=0即消除了零点漂

37、移。§2.3 功率放大电路目的与要求1. 掌握功率放大器的要求2. 掌握功率放大器按工作状态进行的分类3. 了解OCL功率放大电及OTL功率放大电路重点与难点重点 功率放大器的类型难点 OCL功率放大电及OTL功率放大电路教学方法讲授法,列举法,启发法教具三极管，三角尺小结(1) 输出功率要足够大 最大输出功率POM是指在正弦输入信号下，输出波形不超过规定的非线性失真指标时，放大电路最大输出电压和最大输出电流有效值的乘积。2效率要高 3尽量减小非线性失真4分析估算采用图解法5功放中晶体管常工作在极限状态布置作业§2.3 功率放大电路功率放大电路的任务是向负载提供足够大的功率

38、，这就要求功率放大电路不仅要有较高的输出电压，还要有较大的输出电流。因此功率放大电路中的晶体管通常工作在高电压大电流状态，晶体管的功耗也比拟大。非线性失真也要比小信号的电压放大电路严重得多。此外，功率放大电路从电源取用的功率较大，为提高电源的利用率，必须尽可能提高功率放大电路的效率。放大电路的效率是指负载得到的交流信号功率与直流电源供出功率的比值。一、功率放大电路工作状态的分类甲类功率放大电路的静态工作点设置在交流负载线的中点。在工作过程中，晶体管始终处在导通状态。这种电路功率损耗较大，效率较低，最高只能到达50。乙类功率放大电路的静态工作点设置在交流负载线的截止点，晶体管仅在输入信号的半个周

39、期导通。这种电路功率损耗减到最少，使效率大大提高。甲乙类功率放大电路的静态工作点介于甲类和乙类之间，晶体管有不大的静态偏流。其失真情况和效率介于甲类和乙类之间。二、互补对称功率放大电路1OCL功率放大电路静态ui=0时，UB=0、UE=0，偏置电压为零，V1、V2均处于截止状态，负载中没有电流，电路工作在乙类状态。动态ui0时，在ui的正半周V1导通而V2截止，V1以射极输出器的形式将正半周信号输出给负载；在ui的负半周V2导通而V1截止，V2以射极输出器的形式将负半周信号输出给负载。可见在输入信号ui的整个周期内，V1、V2两管轮流交替地工作，互相补充，使负载获得完整的信号波形，故称互补对称

40、电路。由于V1、V2都工作在共集电极接法，输出电阻极小，可与低阻负载RL直接匹配。从工作波形可以看到，在波形过零的一个小区域内输出波形产生了失真，这种失真称为交越失真。产生交越失真的原因是由于V1、V2发射结静态偏压为零，放大电路工作在乙类状态。当输入信号ui小于晶体管的发射结死区电压时，两个晶体管都截止，在这一区域内输出电压为零，使波形失真。为减小交越失真，可给V1、V2发射结加适当的正向偏压，以便产生一个不大的静态偏流，使V1、V2导通时间稍微超过半个周期，即工作在甲乙类状态，如下图。图中二极管D1、D2用来提供偏置电压。静态时三极管V1、V2虽然都已根本导通，但因它们对称，UE仍为零，负

41、载中仍无电流流过。2OTL功率放大电路因电路对称，静态时两个晶体管发射极连接点电位为电源电压的一半，负载中没有电流。动态时，在ui的正半周V1导通而V2截止，V1以射极输出器的形式将正半周信号输出给负载，同时对电容C充电；在ui的负半周V2导通而V1截止，电容C通过V2、RL放电，V2以射极输出器的形式将负半周信号输出给负载，电容C在这时起到负电源的作用。为了使输出波形对称，必须保持电容C上的电压根本维持在UCC/2不变，因此C的容量必须足够大。§2.4 反应放大电路目的与要求1. 掌握反应的概念2. 掌握反应分类3. 了解反应类型的判别方法4. 知道负反应对放大电路性能的影响重点与

42、难点重点 反应类型难点 反应类型的判别方法教学方法讲授法,列举法,启发法教具三极管，三角尺小结反应到输入回路的信号称为反应信号。根据反应信号对输入信号作用的不同，反应可分为正反应和负反应两大类型。反应信号增强输入信号的叫做正反应；反应信号削弱输入信号的叫做负反应。负反应对放大电路性能的影响1、稳定放大倍数2、减小非线性失真3、展宽通频带4、改变输入电阻5、改变输出电阻布置作业§2.4 反应放大电路一、反应的根本概念反应：将放大电路输出信号电压或电流的一局部或全部，通过某种电路反应电路送回到输入回路，从而影响输入信号的过程。反应到输入回路的信号称为反应信号。根据反应信号对输入信号作用的

43、不同，反应可分为正反应和负反应两大类型。反应信号增强输入信号的叫做正反应；反应信号削弱输入信号的叫做负反应。二、判断反应极性的方法例：判断图示电路的反应极性解：设基极输入信号ui的瞬时极性为正，那么发射极反应信号uf的瞬时极性亦为正，发射结上实际得到的信号ube净输入信号与没有反应时相比减小了，即反应信号削弱了输入信号的作用，故可确定为负反应。三、负反应的类型根据反应网络与根本放大电路在输入端的连接方式，可分为串联反应和并联反应。串联反应的反应信号和输入信号以电压串联方式叠加，ud=uiuf，以得到根本放大电路的输入电压ud。并联反应的反应信号和输入信号以电流并联方式叠加，id=iiif，以得

44、到根本放大电路的输入电流ii。串联反应和并联反应可以根据电路结构判别。当反应信号和输入信号接在放大电路的同一点另一点往往是接地点时，一般可判定为并联反应；而接在放大电路的不同点时，一般可判定为串联反应。综合以上两种情况，可构成电压串联、电压并联、电流串联和电流并联4种不同类型的负反应放大电路。四、负反应对放大电路性能的影响1、稳定放大倍数引入负反应后，闭环放大倍数的相对变化率为开环放大倍数相对变化率的1+AF分之一，因1+AF>1，所以即闭环放大倍数的稳定性优于开环放大倍数。负反应越深，放大倍数越稳定。在深度负反应条件下，即1+AF>>1时，有：说明深度负反应时的闭环放大倍数

45、仅取决于反应系数F，而与开环放大倍数A无关。通常反应网络仅由电阻构成，反应系数F十分稳定。所以，闭环放大倍数必然是相当稳定的，诸如温度变化、参数改变、电源电压波动等明显影响开环放大倍数的因素，都不会对闭环放大倍数产生多大影响。2、减小非线性失真无负反应时产生正半周大负半周小的失真。引入负反应后，失真了的信号经反应网络又送回到输入端，与输入信号反相叠加，得到的净输入信号为正半周小而负半周大。这样正好弥补了放大器的缺陷，使输出信号比拟接近于正弦波。3、展宽通频带因为放大电路在中频段的开环放大倍数A较高，反应信号也较大，因而净输入信号降低得较多，闭环放大倍数Af也随之降低较多；而在低频段和高频段，A

46、较低，反应信号较小，因而净输入信号降低得较小，闭环放大倍数Af也降低较小。这样使放大倍数在比拟宽的频段上趋于稳定，即展宽了通频带。4、改变输入电阻对于串联负反应，由于反应网络和输入回路串联，总输入电阻为根本放大电路本身的输入电阻与反应网络的等效电阻两局部串联相加，故可使放大电路的输入电阻增大。对于并联负反应，由于反应网络和输入回路并联，总输入电阻为根本放大电路本身的输入电阻与反应网络的等效电阻两局部并联，故可使放大电路的输入电阻减小。5、改变输出电阻对于电压负反应，由于反应信号正比于输出电压，反应的作用是使输出电压趋于稳定，使其受负载变动的影响减小，即使放大电路的输出特性接近理想电压源特性，故

47、而使输出电阻减小。对于电流负反应，由于反应信号正比于输出电流，反应的作用是使输出电流趋于稳定，使其受负载变动的影响减小，即使放大电路的输出特性接近理想电流源特性，故而使输出电阻增大。§3.1 集成运算放大器根底目的与要求1. 掌握集成运放的根本组成的方框图2. 记住集成运算放大器的电路符号3. 了解集成运算放大器的主要参数4. 了解集成运算放大器使用中的几个具体问题重点与难点重点 集成运算放大器的概念难点 集成运算放大器的主要参数教学方法讲授法,列举法,启发法教具三极管，三角尺小结集成运算放大器实质上是一个具有高电压放大倍数的多级直接耦合放大电路。从20世纪60年代开展至今已经历了四

48、代产品，类型和品种相当丰富，但在结构上根本一致，其内部通常包含四个根本组成局部：输入级、中间级、输出级以及偏置电路。集成运算放大器使用中的几个具体问题1.集成运放的选择2.集成运放在使用前必做的工作3.集成运放的保护布置作业第三章 集成运算放大器§3.1 集成运算放大器根底一、集成运算放大器的根本组成集成运算放大器实质上是一个具有高电压放大倍数的多级直接耦合放大电路。从20世纪60年代开展至今已经历了四代产品，类型和品种相当丰富，但在结构上根本一致，其内部通常包含四个根本组成局部：输入级、中间级、输出级以及偏置电路，如图3.3所示。图3.3 集成运放的根本组成局部二、集成运算放大器的

49、电路符号图3.5所示为集成运算放大器的电路符号。 集成运放可以有同相输入、反相输入及差动输入三种输入方式。 三、集成运算放大器的主要性能指标主要参数1.开环差模电压放大倍数Aud2.输入失调电压UIO3.输入偏置电流IIB4.输入失调电流IIO5.输入失调电压温漂UIO/T和 输入失调电流温漂IIO/T6.共模抑制比KCMR7.差模输入电阻rid8.输出电阻rod四、集成运算放大器使用中的几个具体问题1.集成运放的选择1信号源的性质2负载的性质3精度要求4环境条件 2.集成运放在使用前必做的工作1集成运放的管脚2参数测量  3调零或调整偏置电压 3.集成运放的保护 集成运放在使用中常

50、因以下三种原因被损坏：输入信号过大，使PN结击穿；电源电压极性接反或过高；输出端直接接“地或接电源，此时，运放将因输出级功耗过大而损坏。因此，为使运放平安工作，也需要从这三个方面进行保护。1输入保护 图3.8所示是防止差模电压过大的保护电路，限制集成运放两个输入端之间的差模输入电压不超过二极管VD1、VD2的正向导通电压。图3.15(b)所示是防止共模电压过大的保护电路，限制集成运放的共模输入电压不超过+U至-U的范围。图3.8 输入保护电路2输出保护 图3.9所示为输出端保护电路，限流电阻R与稳压管VZ构成限幅电路，它一方面将负载与集成运放输出端隔离开来，限制了运放的输出电流，另一方面也限制了输出电压的幅值。当然，任何保护措施都是有限度的，假设将输出端直接接电源，那么稳压管会损坏，使电路的输出电阻大大提高，影响了电路的性能。图3.9 输出保护电路 3电源端保护 为防止电源极性接反，可利用二极管的单向导电性，在电源端串接二极管来实现保护，如图3.17所示。由图可见，假设电源极性接错，那么二极管VD1、VD2不能导通，使电源被断开。§3.2 集成运算放大器的应用目的与要求1. 了解理想集成运算放大器的特点2. 了解集成运算放大器工作在线性区时的特点3. 了解集成运算放大器的线性应用重点与难点重点 集成运