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文档简介

1、27162716指的是Intel2716芯片，Intel2716是一种可编程可擦写存储器芯片封装：双列直插式封装，24个引脚基本结构：带有浮动栅的MOS管封装：直插24脚，引脚功能： Al0A0：地址信号O7O0： 双向数据信号输入输出引脚； CE：片选OE：数据输出允许；Vcc：+5v电源，VPP：+25v电源； GND：地2716读时序：2732相较于2716：Intel2716存储器芯片的存储阵列由4K×8个带有浮动栅的MOS管构成，共可保存4K×8位二进制信息封装：直插24脚引脚功能：A0A11地址E片选G/VPP输出允许/+25v电源DQ07数据双向VSS地VCC

2、+5v电源2732读时序2764、27128、27256、27512等与之类似27020存储空间：256kx8读写时间：55/70ns封装：直插/贴片32脚引脚功能：A0A17地址线I/O07数据输入输出CE片选OE输出允许PGM编程选通VCC+5v电源VPP+25v电源GND地27020读时序：27040与之类似RAM-6116 6116是2K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗160mW,典型存取时间90/120ns,封装：24线双列直插式封装.引脚功能:A0-A10为地址线;CE是片选线;OE是读允许线;WE是写允许线.操作方式：CEOEWE方式D0-D7H-未选中高阻LLH读DoutLHL写DinLLL写DinRAM62646264是8K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,最大功耗450mW,典型存取时间70/100/120ns,封装：直插式28脚引脚功能：A0A12:地址线WE写允许OE读允许CS片选NCNo connectionI/O1I/O8数据输入输出操作模式模式CS1CS2OEWEI/O18备用HXXX高阻

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