EDP实操综合考试填空、选择、判断知识分享

1、知识点一基本器件常识:1. 电阻，电感，电容dt(值的表示，基本单位：欧姆、皮法)r di u l-t 电感阻碍电流，曲 电容阻碍电压;电解电容有极性，低频特性好，用于电源滤波。其他电容没有极性，瓷片电 容高频特性好，集成芯片滤波电容5V用103/104, 12V用104/105。多用涤纶电容。电解电容包括钽电解电容，铝电解电容，铌电解电容等；钽电容内部没有电解液，很适合在高温下工作。滤波效果比铝电解电容要好, 但也有缺点，就是耐电压不高。电感对交变电流的作用：Y二 XfL通直流，阻交流低频扼流(L大)通低频，阻高频高频扼流圈电容对交变电流的作用：Xc =一通交流，隔直流 隔直电容(C大)通高

2、频，阻低频 高频旁路电容(C小)1. ( V )电容器的品质因素Q值一般要高于电感器的品质因素。2. ( X )电感器对交流信号是开路的，电容器对交流信号是短路的。3. (X)在电子电路中，电感器对交流信号是开路的，对直流信号是短路的。4. ( X )在电子电路中，对交流信号而言，电感器是开路元件，电容器是短路元 件。5. ( V纯电阻电路无相移，也无时延，其通带宽度为无穷大。2品质因数：X/R;意义：储能性能与耗能性能之比；电容器的品质因数主要处决与介质的绝缘电阻和介质损耗，作为电容器介质的材料目前的绝缘电阻基本可以忽略不计，介质损耗都已经可以做到很小，一般tgS %v0.2,所以其等效串联

3、电阻很小。而电感的是需要用导线绕制的，鉴于成本 和体积，导线不可能用的很粗，其电阻不能忽略，如果电感中存在铁芯或磁芯， 还得加上铁磁材料的损耗，因此其等效串联电阻的阻值与其电抗量相比还是可观 的，所以电感的Q值一般会低于电容。电阻器色标符号意义颜色有效数字第 一位有效数字第一 位倍乘数允许误差%棕11101± 1红22102± 2橙33103黄44104绿55105± 0.5蓝66106± 0.2紫77107± 0.1灰88108白99109黑00100金10-1± 5银10-2± 10无色± 20例如：红红棕金黄

4、紫橙银棕紫绿金棕 常用电容值【单位pF】表示 220 Q± 5%表示 47kQ 土 10%表示 17.5Q± 1%39 P43 P47 P 51P 56 P 62 P68 P75 P82 P91 P100 P120 P150 P180 P200 P220 P240 P 270 P300 P330 P360 P390 P470 P560 P620 P680 P750 P【单位nF】1.01.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 10 15 18 22 27 33 39 56 68 82【单位uF】0.10.15 0.22 0.33 0.47 1.

5、0 (1.5) 2.2常用电阻值（0 9中两个数字构成）1101001.0 K10 K100 K1.0 M1.1111101.1 K11 K110 K1.1 M1.2121201.2 K12 K120 K1.2 M1.3131301.3 K13 K130 K1.3 M1.5151501.5 K15 K150 K1.5 M1.6161601.6 K16 K160 K1.6 M1.8181801.8 K18 K180 K1.8 M2202002.0 K20 K200 K2.0 M2.2222202.2 K22 K220 K2.2 M2.4242402.4 K24 K240 K2.4 M2.7272

6、702.7 K27 K270 K2.7 M3303003.0 K30 K300 K3.0 M3.3333303.3 K33 K330 K3.3 M3.6363603.6 K36 K360 K3.6 M3.9393903.9 K39 K390 K3.9 M4.3434304.3 K43 K430 K4.3 M4.7474704.7 K47 K470 K4.7 M5.1515105.1 K51 K510 K5.1 M5.6565605.6 K56 K560 K5.6 M6.2626206.2 K62 K620 K6.2 M6.8686806.8 K68 K680 K6.8 M7.5757507.5

7、 K75 K750 K7.5 M8.2828208.2 K82 K820 K8.2 M9.1919109.1 K91 K910 K9.1 M10 M11 M12 M 13 M 15M 18 M20 M( )在色环(带)标识的电阻体中，黑色代表数字：A 、0 B、1C、 2 D、4( )标识为 2K7 的电阻器及 103 的电容器，其标称值分别为：A、2.7K Q的电阻器，10000PF的电容器B、2.7 Q的电阻器，10000PF的电容器C、2.7Q的电阻器，1000PF的电容器D、220Q的电阻器，10000PF的电容器(x )可以直接购买到100PF电容器，1110Q电阻器。(V )标称为

8、223的贴片电阻，其电阻值为22k Q(X)钽电解电容器的性能要优于普通电解电容器，但其价格更高，体积更大 具有正负极性的电容器有 铝电解 、 钽电解 等几大类。(C)标注为223的片状电阻(贴片电阻)器，其阻值为：A、22QB、 223QC、 22KQ D、 220Q(C)标注为4n7的电容器，其电容值为：A、47pF B、 470pFC、 4700pF D、 4.7pF(B)标识为4R3、1K5的电阻器，其阻值分别为：A、43Q、 1.5KQB、4.3Q、 1.5KQC、4.3Q、 1.5QD、43Q、 15KQ(A)标识为272、6P8的电容器，其电容值为：A、2700PF、 6.8PF

9、B、272PF、 6.8PFC、2700PF、 68PFD、272PF、 68PF（C）无损电感上电压与电流的相位关系是：A、二者同相 B、二者反相C、电压超前电流90° D、电压落后电流90°（C）已知电路如图三，输入电流为锯齿波，贝U电感L的电压波形为:A、为锯齿波B、为方波C、为矩形波D、为正弦波11_ di u L dtz V r0图三1. （ V ）电容器的品质因素Q值一般要高于电感器的品质因素。2. （ X ）电感器对交流信号是开路的，电容器对交流信号是短路的5. （ V ）纯电阻电路无相移，也无时延，其通带宽度为无穷大。磁环/磁珠：磁珠专用于抑制信号线、电源线

10、上的高频噪声和尖峰干扰，电感是储能元件，而 磁珠是能量转换（消耗）器件。电感多用于电源滤波回路，侧重于抑止传导性干 扰；磁珠多用于信号回路，主要用于 EMI方面；抑制高频干扰。抑制高频干扰用镍锌铁氧体工作频率1M-300MHZ ;阻值较大；抑制低频干扰用锰锌铁氧体 工作频率1K-10MHZ ;阻值小于150K;（）锰锌铁氧体（MXO系列）适用的工作频率范围为：A、几KHZ几十KHZB、几KHZ几百KHZC、几百KHZ几MHZD、几百KHZ几百 MHZ2. 二极管发光二极管电流：小功率20mA ;大功率几百毫安；单片机标准I/O 口的拉 电流不大于1mA，灌电流最大约为10mA左右；稳压二极管工

11、作于反压；动态电阻（交流等效电阻）越小稳压能力越好；变容二极管工作于反压；二极管反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与 结电容之间的关系是非线性的（自动频率控制）光电二极管是在反向电压作用之下工作的。在光照下，其电压与光照强度成比例，一般可达0. 20. 4V。（传感器）红外发光二极管其外形和发光二极管 LED相似，发出红外光。管压降约1.4v, 工作电流一般小于20mA。（遥控器）7段码显示；小信号模型：热可以激发更多的载流子;_ VT _ 26mVIp（当T 二 300K时）(D)发光二极管的正常工作电流大约为：A、0.1 1mAB、1 几 mAC、几几百 mAD、几几十 mA(B )已知

12、常温下晶体二极管的工作点电流为 2mA，则其交流等效电阻rd为多 少，且与温度之关系：A、13Q、随温度加大而加大B、13 Q、随温度加大而减小C、26 Q、随温度加大而加大D、26 Q、随温度加大而减小(B)稳压二极管、变容二极管正常工作时，应：A、二者均加正向电压 B、二者均加反向电压C、前者加正向电压，后者加反向电压D、前者加反向电压，后者加正向电压(A) 7段LED共阴极数码管，显示数字0的16进制代码为：A、3FB、4FC、7FD、06(X )半导体二极管正向导通电阻的大小与工作点处的电流大小无关。(V )三只普通硅二极管串联，可作2.1伏稳压管使用。(V )两只硅晶体二极管串接后，

13、可作1.4伏的低压稳压管使用。V )普通晶体二极管的正向伏安特性可作低压稳压管使用。(V )在很高频率的条件下工作，晶体二极管将失去单向导电性能。X )光电二极管的正向电压与普通二极管一样，也为0.20.3V或0.60.7V。( V )稳压二极管的动态电阻(交流等效电阻)通常是很小的。V )变容管的结电容随外加反向电压变化而变化。3. 电源电路开关型稳压电源：效率高、稳压范围宽，主要缺点是纹波大、高频干扰重 。 常用三端稳压器：7805输入电压大于7V-20V，7812大于14.5V-27V，输出 电流1A;电源滤波电容要用1000uF的电解电容；耐压为输入交流有效值的1.4倍。名称VL(空载

14、)VL(带载)二极管反向最大电压每管平均电流半波整流IL全波整流 电容滤波1.2V2*0.5IL桥式整流 电容滤波1.2V2*0.5IL桥式整流 电感滤波0.9V20.5ILUES用条雀二Td = /?lC>(35)j满足上述条件时。电容滤波近似公式：VL=1.2V2X )桥式整流，负载为电容滤波的电路中，若电容器上的电压为17伏，则整流器输入的交流信号有效值一般要大于 17伏。开关型稳压电源的主要优点是效率高、稳压范围宽、主要缺点是 纹波大、高频干扰重 。7812滤波电容容量大致为几千 uF,其耐压至少为25伏。2、用7812等元器件制成串联调整稳压电源，其 7812输入端的滤波电容容

15、量 大致为几千 uF，其耐压至少为25伏。C) 78XX、79XX系列三端稳压电路的工作电流为：A、0.1AB、0.5AC、1AD、1.5A5. ( X )串联调整型稳压电源的输出电压为 12V，则电源变压器次级(初级为 220V)的有效值一般要大于18伏。6. ( X)交流市电供电的直流稳电路中，整流后的滤波电容一般为几十尸7. ( X )交流220V市电电网应是电压源，它的内阻愈大愈好。8. ( X )交流市电供电的直流稳压电源电路中，整流后的滤波电容器的容量一般为几微法拉。10V，则二极管的耐压4、( B)已知桥式整流滤波电路如示，输入交流电压为A、大于10VB、大于14VC、大于20V

16、D、大于28V4常用仪表示波器：1. ( x )当示波器探头拨至x 10位置时，此时输入信号被放大了 10倍。2. ( V )带探头的示波器的输入电阻要比不带探头的输入电阻大很多。3( X )要使示波器显示屏上的信号波形个数由少增多， 则X轴上扫描信 号 的频率应由低变高。4. ( V )示波器校准信号电压的幅度为 0.5VPP,频率为1KHZ的方波。5. ( X )示波器中的标准信号电压的幅度为 0.5VPP,频率为1KHz的正弦波。6. ( V )示波器的输入电阻应愈大愈好，以减轻它对被测电路的影响。7. ( x )在测量大幅度信号时，常将示波器探头置于x1的位置。8. ( V )示波器的

17、探头应和示波器配合使用，不能互换，特别是在高频使用 时更应如此。9. (V)在检测幅度较小的输入信号时，示波器输入探头的衰减开关应置于X1的位置。10. 用模拟示波器测一信号幅度，已知探头置于x 10位置，垂直灵敏度旋钮置于 50mv/格，屏幕上的波形峰峰间高度为 4格(度)，则被测信号的幅值为 1V 伏，有效值为0.707伏。11. (B)下列论述哪一项是正确的：A、模拟示波器只能观察模拟信号B、数字示波器也能观察模拟信号C、数字示波器只能观察数字信号D、模拟示波器比数字示波器更便宜()在电子系统调试中，用示波器观察单片机产生写控制信号时，应将示波器调整为：A、交流输入，直流触发B、直流输入

18、、交流触发C、交流输入，交流触发D、直流输入、直流触发12、()常用示波器的输入电阻大致为：A、10K?左右B、100K?左右C、1M?左右D、10 M?左右电压电流表、有效值、压电源：1. ( x )直流稳压电源的内阻愈高，它的输出电压稳定性能就愈好。2. ( x )电压源的内阻应愈大愈好，否则输出电压不会稳定。3. ( x )为使输出电压稳定，稳压电源的输出电阻应愈大愈好。4. ( X )实验室中常用的稳压电源，其内阻较大，输出电压很稳定。5. ( x )串联调整型稳压电源的输出电压为 12V，则电源变压器次级(初级为 220V)的有效值一般要大于18伏。6. ( X )交流市电供电的直流

19、稳电路中，整流后的滤波电容一般为几十尸7. ( x )交流220V市电电网应是电压源，它的内阻愈大愈好。8. ( x ) 交流市电供电的直流稳压电源电路中，整流后的滤波电容器的容量 一般为几微法拉。9. ( V )信号源的输出阻抗一般均较低，电压表的输入阻抗均较高。10( V )低通滤波电路对信号的相移为正值，即输出信号的相位要落后于输入信号一个相角。11. ( X )可用普通三用表检测音频信号的电压大小。：电压表：1. ( V)电压表的输入电阻应愈大愈好。2. ( X )测量某一电路上的电压时，希望电压表的输入阻抗尽可能小一点。3. ( V )电压表的输入电阻应愈大愈好，以尽量减小对被测电路

20、的影响。3. ( V )在各类正弦波振荡器中，石英晶体振荡器的频率稳定性能最好 有效值：1. (A)在实验数据处理中，从精度出发，2A、2X 103mA、2000mA表述的数据:A、三者精度均一样B、2A、2 X 103mA精度一样C、2A、2000mA 精度一样 D、2X 103mA、2000mA 精度一样2. ( X )叠加定理既适用于线性电路，也适用于非线性电路。扫频仪频谱分析仪：前者测电路(电网络)，后者测信号；1. ( X )扫频仪是用来检测、分析信号频谱结构的一种测量仪器。2. ( V )扫频仪器是检测放大器或网络幅频特性和相频特性的仪器。3. ( X )频谱分析仪是检测放大器或网

21、络幅频特性和相频特性的仪器。4. 测量一电路(系统)的频率特性，应选用的仪器是扫频仪，要分析一信号的频率成份，应选用的仪器是频谱分析仪。知识点二模电知识1. 信号的放大:基本参数：放大倍数(电压电流功率)；输入电阻(大点好，吸收电流小) 输出电阻(大点好，帯载能力强；输出最大电流小了)通频带(增益是频率晶体管电流控制，前级吸取能量多，输入电阻小；场管电压控制，吸收前级 电流小，输入电阻大；场管动态范围大；放大倍数与工作点，和频率有关； 增益和带宽是矛盾量(放大器本身)；交流负载线越陡，放大倍数越小；输入 回路串联电阻越大，lb越小，电压放大倍数越小；集电极限流电阻越大，放大倍数越大（不失真情况

22、下）。多级放大器级间耦合电容越小，输入信号低 频衰减大，低频特性将变差，fL升高；放大与失真；集电结正偏，发射结反偏时放大；集电结正偏，发射结反偏时 截止；集电结反偏，发射结正偏时饱和；ic/mAtic/mA饱和区特点：ic不再随iB的增加而线性增加，截止区特点：iB = 0， ic = I CEO当工作点进入饱和区或截止区时，将产生非线性失真饱和失真：由于放大电路的工作点达到了三极管的饱和区而引起的非线性失 真。对于NPN管，输出电压表现为底部失真。截止失真：由于放大电路的工作点达到了三极管的截止区而引起的非线性失 真。对于NPN管，输出电压表现为顶部失真；基本共射电路：空载时的放大倍数比带

23、载时高(V ) BJT管的输出伏安特性近似于恒流特性，故其输出电阻甚大。(V )场效应管是电压控制器件，故其输入电阻要比BJT管的输入电阻大得多。(X )只要工作点合适，被晶体管放大器放大的信号就不会失真。(V)在晶体管放大器中，放大管的B值既与工作点高低有关，也与工作频率 咼低有关。(V ) NPN晶体管放大器中，不同工作点处管子的B值是不一样的。V )对输入信号而言，场效应管放大器的动态范围要比BJT管放大器的动态范围大许多。V ) BJT管的动态范围要比FET管的动态范围小得多。X ) BJT管的B值通常为一常数，与管子的工作频率无关。V )温度升高后，电路中BJT管的工作点电流应增大一

24、点。V ) BJT管的输入特性呈指数型变化，FET管的转换特性(传输特性)呈 平方律变化。X ) BJT管的B值通常为一常数，与管子的工作区无关。V ) FET管的输入电阻与输出电阻均是很大很大的。(x ) BJT管的输入电阻、输出电阻均是很大的。V ) CMOS电路是互补对称式金属-氧化物-半导体电路之意，它的显著特 点是静态功耗甚低。(V ) MOS场效应管属电压控制器件，故其输入电阻很高。(X )场效应管和双极型晶体管均属电压控制器件。(V )晶体管BJT与场效应管均为非线性器件，前者为指数型，后者为平方 律型。V ) CMOS门电路的噪声门限通常要高于 TTL门电路的噪声门限。场效应管

25、共漏极放大器(源极输出放大器)的特点是 ：2. 分压式偏置的单级低频放大电路分析RB2VBQIlVBQ(510)Icq图2-3单级低频放大电路"实验电路以图2-3为例，为一分压式偏置的单级低频放大电路。1. 电路中上偏置电阻Rb1由1R3和RP1串联组成，下偏置电阻 为1R4, 1R5为 集电极电阻RC, 1R7、1R8为发射极电流负反馈电阻，起到稳定直流工作点 的作用，1C1和1C2为交流耦合电容，1C3为发射极旁路电容。输入的交流 信号Ui经1C1送到三极管基极，经放大后从集电极输出，经 1C 2耦合到负 载电阻1R9(RL)上。放大器的静态工作点Q主要由上偏置电阻、下偏置电阻、

26、RE、RC及电源电 压+VCC所决定，该电路利用上偏置电阻、下偏置电阻的分压固定基极电位 VBQ。如果满足I1»IBQ，当温度升高时，ICQ VEQ VBQ IBQ ICQ ， 结果抑制了 ICQ的变化，从而获得稳定的静态工作点。2、基本关系式只有当I1>>IBQ时才能保证VBQ恒定。这是工作点稳定的必要条件，一般取11=(510) IBQ(硅管)11=(1020) IBQ(锗管)负反馈愈强，电路的稳定性愈好，所以要求VBQ >>VBE ，即VBQ=(510) VBE， 一般取 VBQ=(35) V (硅管)VBQ=(13)V(锗管)电路的静态工作点由下列关系

27、式确定：VBQ V BEVEQReICQICQVeq=( 0.20.5) VCC对于小信号放大器，一般取ICQ =0.5mA2 mARB1VCCVBQ、BRB2VCEQVCC1 CQ (RCRE )3. 组态:双极性：共发射极()、共集电极、共基极.?EAl = Al-BJT的三种组态(1) 共射放大电路：共射组态放大电路，以发射极为输入和输出回路的公共端， 外来信号从基极输入、放大后的信号从集电极输出。(2) 共集放大电路：共集组态放大电路，以集电极为输入和输出回路的公共端， 外来信号从基极输入、放大后的信号从发射极输出。(3) 共基放大电路：共基组态放大电路，以基极为输入和输出回路的公共端

28、，外 来信号从发射极输入、放大后的信号从集电极输出。13.() 在共e (共发射极)、共c (共等电极)晶体管放大电路中，输出信号与 输入信号的相位关系是：A.二者输入、输出均同相B. 二者输入、输出均反相C. 共e放大器输出与输入同相，共c放大器输出与输入反向D. 共e放大器输出与输入反相，共c放大器输出与输入同相1. 晶体管共集电极放大器（射极输出器）的特点是 场效应管共漏极放大器（源极输出放大器）的特点是1、在共e、共b、共c三类放大器中，输出阻抗最低的是共 c 放大器，输入阻抗最低者是共b放大器。?BBJT的三种组态三种组态放大器的比较参数共射放大器共革放人器艾集电放人器人=尹普尚4.

29、«1 低44 a迪=1+ /?尽尽凤叫% - R*砸置+ 0 *用J?口 = J?住咼% -凤高&讥"备代低1"M用中间级高频、宽带. 恒流源输入、输出级 中间隔离极接法共射共集共基大小于1大B1+”aR、中大小凤大小大频带窄中宽牢载情况下场效应管组态增US 压A!XX r 齢阻电 0H r 铀阻出系 输关共源高高高较相 反低髙低相 同共栅高低髙较二工作在恒流区时牛趴间的电压极性结型jN沟道0匕<0, nDS>0)，r (P沟道(f&>0，/DS<0)场效应管绝缘栅型增强型JN沟道R %。）11|P沟道（畑0,畑0）耗沟道（

30、岭肆及性任意，7也0）、p沟道（畑极性任意，畑0）1. 输出信号与输入信号反相的是共e 放大器，同相的是共b、共c放大器。2. 在共e共b、共c三类放大器中，输出信号与输入信号反相的是共e 放大器，同相的是共b、共c放大器。3. （D ）在共e、共b、共c三种放大电路中，输入阻抗最高的放大器是：A、共e放大器 B、共b放大器C、共e、共b放大器 D、共c放大器（D）共e、共b、共c三类放大器中，输出电压与输入电压反相180°的是：A、共C放大器B、共c、共b放大器C、共b放大器D、共e放大器D ）已知放大电路如图示，若电阻 RC值减小，则A、增益下降、通频带变宽B、增益下降、通频带变

31、窄C、增益增大、通频带变宽D、增益增大，通频带变窄6（ D ）已知放大电路如图示：输出V01、V02与输入Vi信号间的相位关系为:A、V01、V02均与Vi同相B、V01、V02均与Vi反相C、V01与Vi同相，V02与Vi反相D、V01与Vi反相，V02与Vi同相(B)晶体管共发射极的截止频率fB的定义是：A、B = B 0时的工作频率B、B =0.707 B 0时的工作频率C、B =2B 0时的工作频率 D、B =1时的工作频率()放大电路如下图(EDP0702205),当工作点正确时，其输入正弦信号幅值约为多大时，输出信号不失真。A、0.6 0.7V B、0.20.3VC、几伏4、( A

32、 )晶体管共集电极放大器与场效应管共漏极放大器的输出电压与输入电 压间的相位关系为:A、均为同相B、均为反相C、前者为同相，后者为反相D、前者为反相，后者为同相3、( D )已知音频共发射极放大电路和如图一所示，放大器输出信号波形不失 真的条件是输入V的幅值为：A、0.20.3VB、0.60.7V4、( D )已知音频放大电路如图一所示，若耦合电容 C1的容量减小，则放大 器的上限截止频率？ H与下限截止频率？ L将：A、？L、？H均降低B、？H降低C、？L升高、？ H降低D、？L升高5、(B )已知音频放大电路如图一所示，若电容 Ce开路(断开)，则放大器的 放大倍数Av及频带宽度Bw将：A

33、、Av、Bw均增大B、Av降低、Bw增大(X )共发射极晶体管放大器与共源极场效应管放大器相比，前者所允许的 输入信号幅值将大于后者。差动放大器：(V) 在相同条件下，双端输出差动放大器的电压增益要比单端输出差动放大 器的电压增益高一倍.(V )差动放大器的增益仅与输出方式(单端或双端输出)有关，而与输入 方式无关。(V )差动(差分)放大器的电压增益仅与其输出方式(单端或双端)有关， 而与输入方式无关。4. 交流负反馈对放大电路性能的影响一、提高放大倍数的稳定性二、改变输入电阻和输出电阻三、展宽频带四、减小非线性失真五、引入负反馈的一般原则1. 欲稳定某个量，则引该量的负反馈稳定直流，引直流

34、反馈；稳定交流,引交流反馈； 稳定输出电压，引电压反馈；稳定输出电流，引电流反馈。2. 根据对输入、输出电阻的要求选择反馈类型欲提高输入电阻，采用串联反馈；欲降低输入电阻，采用并联反馈；要求高内阻输出，采用电流反馈；要求低内阻输出，采用电压反馈。3. 为使反馈效果强，根据信号源及负载确定反馈类型信号源为恒压源，采用串联反馈；信号源为恒流源，采用并联反馈；要求负载能力强，采用电压反馈；要求恒流源输出，采用电流反馈。1. (X)要使电路的输出电压稳定，带载能力强，应选用深度的电流负反馈放大电路。2. ( X ) 负反馈会使放大电路的增益下降，但能提高放大器的上限截止频率 f H和下限截止频率fL

35、。3. ( V )放大电路只要引入串联负反馈，其输入电阻一定会增加。4. ( X )要使放大器的输出电压稳定，带载能力强，应采用电流负反馈电路。5. ( X )正反馈系统都是不稳定的系统。6. ( V )负反馈可使系统的增益下降，带宽增加，非线性失真减小。7. ( X )负反馈虽使放大器的增益下降，但可加大放大器的频带宽度，即使 fH、fL均增大。8. ( x )负反馈系统都是稳定系统，不会产生自激。9. ( A )为了提高放大器输出电压的稳定性，并降低此放大器对前级电路的影 响，应采用的反馈方式是：A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈通频带宽：1. ( V

36、 )同一放大电路，若要其增益增大，则其通频带宽度将减小。2. ( V ) 放大电路，若要其增益加大，则其频带宽度会减小。放大器级联：1. ( X )两个带宽均为1MHZ、增益均为20倍的放大器级联后，其总带宽 将等于1MHZ，总增益将等于400倍。2. ( X )交流放大器级间耦合电容器的容量若减小，则放大器的低频特性将 变差，即fL将减小。3. 放大器的级数愈多，则其总的放大倍数会愈大，通频带会愈 窄4. 多级放大器系统中，放大器的级数愈多，则其总的放大倍数会愈大，通频带 会愈窄。()为了提高放大器输出电压的稳定性，并降低此放大器对前级电路的影响， 应采用的反馈方式是：A、电压串联负反馈B、

37、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈()为了提高放大器的带载能力，并降低此放大器对前级电路的影响， 应采用的反馈方式是：A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈2、在各类负反馈放大电路中，能稳定输出电压的是电压 负反馈放大器，能提高输入阻抗的是 串联 负反馈放大器。7、()已知电路如图二，图中存在什么反馈：A、电流串联负反馈B、电流并联负反馈C、电压串联负反馈(输入点和反馈点在一条路上为并联型)D、电压并联负反馈C40-11nRLTILJ5. 滤波器时间常数：表示过渡反应的时间过程的常数。在电阻、电容的电路中，它是电阻和电容的乘积。若C的单位是 H

38、(微法)，R的单位是MQ (兆欧)，时间常数t的单位就是秒。在RC电路中，电容电压Uc总是由初始值Uc(O)按指数规律单调的衰减到零，其时 间常数=R*C在RL电路中,iL总是由初始值iL(O)按指数规律单调的衰减到零，其时间常数 =L/R方波的边缘对应高频分量；阻容滤波传递函数龙_鱼_ J必一 1氏 r |_ D心训0截止频率决定于电容所在冋路的时间常数R或C越大截止频率越低10( V )低通滤波电路对信号的相移为正值， 即输出信号的相位要落后于输 入信号一个相角。(A )已知电路如图2.2所示，此电路不失真传输高速 0、1信号的条件是:A、RC值尽可能小B、RC值尽可能大C、与RC值关系不

39、大D、RC值不能太大，也不能太小(C)已知电路如图2.1所示，此电路属于:A、低通滤波电路B、高通滤波电路C、带通滤波电路D、带阻滤波电路(D)已知电路如图，输入信号为周期 方波，则RC的乘积应为：2Q的对称方波，要使输出信号仍为对称A. RC = 1 pSB. RC = 2 psC. RC >>1 psD. RC <<1 p(A )已知电路如图，其主要功能为:A、带通滤波B、带阻滤波C、低通滤波D、高通滤波(A ) 一方波经过放大器后，其前沿的上升时间变大，其主要原因可能为:A、放大器的上限截止频率fH低B、放大器的上限截止频率fH高C、放大器的下限截止频率fL低D、

40、放大器的下限截止频率fL高(C )一前后沿很陡的方波通过一放大电路， 若其输出的方波前后沿变得不陡, 甚至近似为三角波或锯齿波，其主要原因为：A、放大器的增益不合适B、放大器的下限截止频率fL过高C、放大器的上限截止频率fH过低CD、放大器的上限截止6. 集成运放：虚短虚断& ( B)已知电路如图二，RCvv ，则输出信号 V的波形为:A、V为方波B、V为微分脉冲C、V为正弦波D、V为锯齿波CX-1RL1Rl T-二，则输出信号(C )已知电路如下图(EDP0702207),输入幅值为2V的正弦信号 为：A、被放大了的正弦波 B、为占空比1:1的方波C、为占空比小于1的方波D、为占空比

41、大于1的方波fflEDP07022079. ( D )已知电路如下图，输入为正弦波，RC乘积足够大，其输出端信号为A.仍为正弦波B.为方波C.为锯齿波D.为三角波VoD )已知电路如下图(EDP0702213),输入信号为周期为2血的对称方波，若 要输出信号仍为不失真的对称方波，则 RC的乘积应：A、RC = 1 qB、RC = 24 宙C、 RC >> 1 q D、RC < < 1 q11. ( X )可用普通三用表检测音频信号的电压大小。知识点三、数字电路"hnfwuumO 込QG,1. 计数器：1. ( V )计数器可作分频之用。2. ( X ) N进制

42、计数器可以实现(N-1)次分频。(PPT)JKQQ*00000011100110110100011011011110DQQ*000010101111触发器：1. ( X ) JK触发器的J、K两输入端若接入不同信号(0, 1)时，则输出端 Q的电平将随K端信号而变化。2. ( X )触发器的置位端(置1端)至输出端的信号延时量一定大于触发器 由输入端至输出端的延时量。3. ( V )触发器复位端(清零端)至输出端的时延一定小于输入端至输出端的 时延。4. ()下列各触发器中，具有约束条件的触发器是：A、主从JK触发器B、主从D触发器C、同步RS触发器D、边沿D触发器2. 门电路：1. ( V

43、)在实际电路中，与门、与非门的多余输入端口最好都接高电平，以 免干扰信号窜入电路。2. ( X )多输入端或非门中没有用到的输入端口最好接高电平，以免干扰信 号窜入电路。3. ( X )与门的多余输入端，在使用时，最好接低电平0。4. ( X )多输入端与非门中没有用到的输入端口最好接地，以免干扰信号窜 入。5. ( X )多个 TTL 电路的输出端可并联使用(线与连接)6. ( V )在数字电路系统中，信号波形产生毛刺(竞争冒险)的条件是在同 一时刻有多个输入信号发生突变。7. ( D )与非、或非门的封门端电平(输出端状态仅由此端决定，与其它输入 端状态无关)为：A、均为低电平0 B、均为

44、高电平1C、与非门为1,或非门为0D、与非门为0,或非门为18. ( D )用异或门可对两同频率方波进行相位比较(相位检测) ，可判断出两 输入信号间相位差的最大值可达：A、 45°B、 90°C、 135° D、 180°3. FPGA ：1. ( V )通常，FPGA芯片的工作电压(供电电压)为 3.3V，而单片机的工 作电压为 5V。2. ( V ) FPGA的显著特点是它的灵活性、高速性及丰富的资源。 逻辑电路：1. ( X )组合逻辑电路具有记忆功能。2. ( V )时序逻辑电路的输出状态与输入信号的历史状态有关，它具有记忆功 能。3. ( X

45、 )时序逻辑电路无记忆功能。4. ( X )译码器、加法器、触发器等都属于组合逻辑电路。5. ()已知电路如图 2.3，下述哪种说法是正确的：A、R值无论大小，发光管均不亮B、R值无论大小，发光管均亮C、R值为很小时，发光管才能亮D、R值为很大时，发光管才能亮6. ( B )用TTL与非门或CMOS与非门组成如图电路, 为：A、两类与非门、电位器在任何位置B、只有CMOS与非门、电位器在任何位置C、只有TTL与非门、电位器在任何位置D、两类与非门、电位器在任何位置均不亠57-O O1使发光管发光的条件与非门 n4代数逻辑数字电子技术基础第五版! na ati aaai = r iimti is

46、ia= !iaiaiBii?根据与、或、非的定义，得表231的布尔恒等式序号公式骨口' 序号公式101 ' = 0； 0 ' = 110 A=0111 + A= 121 A=A120 + A = A3A A=A13A + A = A4A A '=014A + A ' = 15A B =:B A15A +B = B + A6A (B C)=(A B) C16A + (B +C) = (A + B) + C7A (B +C)=A B + A C17A + B C = (A +B)(A +C)8(A B)'=A，+ B，18(A+ B)，= A，B &

47、#39;9(A ')'=A !»! 11 I bi > ni “ iiib hii i IiitiJaiim若干常用公式序 号I 22A +A ' B = A + B2324A B + A B '二 AA ( A + B) = A25A B + A C + B C = A B + A CA B + A ' C + B CD = A B + A ' C i|4.Ga dxkBHAKai J KBKBH XG 14. Ida - KBBAK BB 4. - hS - G l4 aBHS|aAii|a U a 4. ! a h +卡 I

48、 J . A (AB) ' = A B ' ; A ' (AB) ' = A '1.(V)逻辑代数中，下述关系成立：74系列：1. ( X ) 74H系列TTL集成电路的最高工作频率要高于 74AS系列TTL的 最咼工作频率。2. ( X ) 74LS47是输出低电平有效的7段字形译码器，与其相配合使用的 LED数码管应为共阴接法。3. ( V ) SN54HXX74HXX系列器件均为高速系列数字集成芯片。4. ( X )数字电路中只有高低两种电平，即 1和0两种状态。5. ( V )国标CT4000系列的数字电路相当于国际上的 SN54LSXX/74L

49、SXX 系列的器件，它们都是低功耗肖特其系列器件。数电基础知识:TTL电平与CMOS电平的区别知识点四单片机:汇编语言、存储器容量、时钟周期、工作方式、复位、接口、指令执行过程、 串口、接口芯片1. 语言高级语言：面向算法VB等；中级语言：C面向算法兼顾部分硬件；低级语 言：汇编，面向底层硬件；机器语言：二进制代码计算机系统应包括硬件系统、软件系统两大部分。()汇编语言与硬件电路及CPU间的关系是： 不是面向硬件电路的计算机语言，与 CPU有关。 不是面向硬件电路的计算机语言，与 CPU无关。 是面向硬件电路的计算机语言，与 CPU有关。 是面向硬件电路的计算机语言，与 CPU无关。(X )用

50、高级语言编写的计算机程序，既可提高计算机的运行速度，又可节 省内存空间。(X )计算机的机器语言能为硬件电路所识别，它与所用CPU的类型无关。 (X ) 计算机的高级语言是面向问题、面向用户的程序设计语言，与所用的 微处理器有关。(V )汇编语言只有经过“编译/汇编”程序翻译成机器语言后才能为计算机所执行。13、()对于同一操作，与汇编语言程序相比，高级语言程序的特点是：A、电路执行速度快，所需存储空间小B、电路执行速度快，所需存储空间大C、电路执行速度慢，所需存储空间大D、电路执行速度慢，所需存储空间小2. 存储器容量存储器可寻址空间(能够找到的最大单元数)2的N (地址线条数)次方。6、(

51、)已知某半导体存储芯片的地址线为 12根，则此存储器的存储容量为：A、512KBB、1024KBC、2048KBD、4096KB( )某存储芯片， 若 8 根数据线作地址线与 8 根地址线复用， 则此存储芯片 的存储容量为：A、 8KBB、 32KBC、 64KBD 、 128KB)某存储芯片， 若 8 根数据线作地址线与8 根地址线复用，则此存储芯片的存储容量为：A、 8KBB、 32KBC、 64KBD 、 128KB3. 时钟周期单片机系统中，指令周期T1、机器周期T2、时钟周期T3,三者的时间关系为:A、T3> T2> T1 B、 T2> T1> T3C、 T1> T2> T3 D、 T1> T3> T2(X ) 单片机系统中