最新材料科学基础复习题

1、一、填空题1.材料结构影响材料的性能，从微观上材料结构分为三个层次 （ ） 、 （ ）、（ ）；2硅酸盐晶体中 SiO4 四面体之间的结合方式有（）、（ ）、（ ）、（ ）和组群状五种结构方式。 其中石英族晶体是 （ ） 结构方式；3. 某位错的柏矢与位错线平行，则该位错为 （ ） ；4. 根 据 单 键 能 的 大 小 ， 形 成 玻 璃 的 氧 化 物 可 分 为 （）、（ ）、（ ）三类；5. 相律是描述处于热力学平衡状态的系统中（ ）与（ ） 和 （ ）之间关系的定律。6. 固 体相 变的界面，按 照原 子排列的特 点可分 为（ ）、（ ）、（二、选择题：1.形成临界晶核时体积自由能的

2、减少只能补偿表面能的（ A） 1/3（B）2/3（C）3/42.在二元系合金相图中，计算两相相对量的杠杆法则用于（A）单相区中（B）两相区中3.能进行攀移的位错必然是（A）刃型位错（B）螺型位错4.A 和 A-B 合金焊合后发生柯肯达尔效应,（ A） A 组元的扩散速率大于 B 组元（ B） B 组元的扩散速率大于 A 组元（ C） A、B 两组元的扩散速率相同5.,位错滑移的派 -纳力越小。（A）位错宽度越大（B）滑移方向上的原子间距越大 越大6.下述有关自扩散的描述中正确的为（A） 自扩散系数由浓度梯度引起（B） 自扩散又称为化学扩散（C） 自扩散系数随温度升高而增加三、名称解释1最紧密堆

3、积原理； 2克肯达尔效应； 3肖特基缺陷； 4固溶强化； 5一级相变6 珠光体； 7. 一级相变； 8 晶体结合能；9. 间隙固溶体； 10. 浓度三角形四、判断题1. 间隙相是固溶体的一种。2. 液固相变成核条件是需要一定的过冷度,且成核速率随过冷度的增加而增加。3. 根据相律计算,在匀晶相图中的两相区内,其自由度为2,即温度与成分这两个变量都可以独立改变。4. 对扩散常数 Do的影响因素主要是温度及扩散激活能。5. MgO 是离子晶体,因此它完全由离子键结合而成。6. 位错的伯格斯矢量是唯一的特征量,它表示位错的长度。五、简答题1. 简要回答何谓金属的应变时效,并用柯氏气团解释该现象。）。

4、（C） 相邻位错的距离（C）三相平衡水平线上（C）混合位错 测得界面向 A 试样方向移动,2. 由 SiO2的相图解释制备压电晶体石英采用水热法而不采用提拉法的原因3. 写出七大晶系的名称和其中任两个晶系的晶体常数特征。4. 简述形成固溶体对晶体性质的影响。六、综合计算题1假定某面心立方晶体可以开动的滑移系为(111)110。(1) 写出引起滑移的单位位错的柏氏矢量；(2)假定在该滑移系作用一大小为 7X106N/m2的切应力， 计算单位刃位错线受力大小和方向(设 晶格常数 a=0.2nm)2.2.TiO2可用作汽车尾气传感器，检测空燃比，即尾气中的氧分压。根据所学缺陷知识，写出 非化学计量化

5、合物的缺陷反应方程式，说明其工作原理。4.分析碳含量 1wt%的 Fe- C 合金从液态平衡冷却至室温的转变过程。(本大题共 3 小题， 每小 题 3 分，共计 9 分)(1) 用组织示意图说明各阶段的组织；(2) 计算室温下的相组成物相对含量；(3) 计算室温下组织组成物的相对含量5已知Cs+半径为0.167nm, Cl-半径为0.181 nm。(本题共 2 小题，共计 10 分)(1)试画出CsCl的晶胞并确定其属于何种空间点阵；(4分)(2)计算其密度和堆积系数。(原子质量：Cs 132.9; Cl 35.5)6.假设纯晶体凝固时形成的核为球形，试用结晶动力学的Johnson-Mehl

6、方程计算结晶速率最快时对应的固体含量。3.下图为某三元固态互不溶解共晶系的投影图程中。1 画出冷却曲线及标明可能反应？2列出计算初晶 A相相对含量的公式。3 指出二元共晶线及三元共晶点。当成分为 F 的材料从高温液相冷却到室温的过7.下图是 A-B-C 三元系统相图，根据相图回答下列问题：（1）写出点 P, R, S 的成分；（2）设有 2kgP,问需要多少何种成分的合金 Z 才可混熔成 6kg 成分为 R 的合金。8. 已知 200 C 铝在铜中的扩散系数为 2.5X10-20cm2/s，在 500 C 则为 3.1X10-20cm2/s，试求 铝在铜中扩散的激活能。9. 已知位错环 ABCD 的柏氏矢量为 b,外应