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文档简介
1、WORD格式电工电子技术试题库一、单项选择题1.硅稳压管的工作状态是 ( D)A. 正向导通B.正向击穿C.反向截止D.反向击穿2.要得到 N 型杂质半导体,应在本征半导体硅或锗中掺入少量的C A. 三价元素B.四价元素C.五价元素D.六价元素3以下关于 P 型半导体中载流子的描述,正确的选项是 (C)A仅自由电子是载流子B仅空穴是载流子C自由电子和空穴都是载流子D三价杂质离子也是载流子4理想运算放大器的两个根本特点是( C )A虚地与虚断B虚短与虚地C虚短与虚断D断路与短路5在本征半导体中参加少量的五价元素后,可形成BA P 型半导体,其少子为自由电子BN 型半导体,其多子为自由电子C P
2、型半导体,其少子为空穴DN 型半导体,其多子为空穴理想二极管构成的电路如题2 图所示,那么输出电压UO 为B6A3VB10VC-3VD -10V7关于三极管的构造特点,以下说法不正确的为BA基区很薄B基区掺杂浓度最高C发射区掺杂浓度最高D发射结的结面积小于集电结的结面积8测得某放大电路中的三极管,各管脚电位如题4 图所示,那么可判定该管为DA锗管为 b 极B硅管为 c 极C锗管为 e 极D硅管为 b 极9放大电路如题 7 图所示,该电路引入了交直流BA电流并联负反响专业资料整理WORD格式1专业资料整理WORD格式B电流串联负反响C电压并联负反响D电压串联负反响10.理想二极管构成的电路如题2
3、 图所示,那么输出电压U0为(B)RA.-10VB.-4VC.+6VD.+10V11.NPN 型三极管处在放大状态时,各电极的电位关系是(D)A.E 极电位最高, C 极电位最低B.E 极电位最高, B 极电位最低C.C 极电位最高, B 极电位最低D.C 极电位最高, E 极电位最低12.假设要求放大电路输入电阻高,且稳定输出电压,在放大电路中应引入的负反馈组态为 ( C)A. 电流串联B.电流并联C.电压串联D.电压并联13.要降低放大电路输入电阻,可引入 ( D )A. 电压负反响B.电流负反响C.串联负反响D.并联负反响14.共射极放大电路直流负载线由 (C)A. 电流放大系数确定B.
4、基极电阻 Rb 与电源 Ucc 确定C.集电极电阻 Rc 与电源 Ucc 确定D.负载电阻 RL 确定15.函数 Y AB C等价于( B)A. Y=ABCB. YAB CC.Y=AB+CD. YAB C16.以下与 F=A+B+C 相等的逻辑函数为 (C)A.F= ABCB.F= A+B+CC.F= ABCD.F= A+B+C17以下逻辑式中,正确的逻辑公式是(D )AAAABAA1CAAADAA0专业资料整理WORD格式2专业资料整理WORD格式18.逻辑表达式AB与以下式子中的哪一个相等( D)A.A BB. ABC. ABD. AB19逻辑符号如以下列图所示,其中表示“与非门的是(C)
5、20在以下输入情况中, “或非运算的结果为逻辑1 的是 (A)A全部输入为 0B全部输入为1C任一输入是 0,其它输入为 1D任一输入是1,其它输入为021主从型 JK 触发器,当 J=K=0 时,那么 CP 脉冲来到后 JK 触发器的次状态 Qn+1为( C)A0B1C QnDQn22题 l2 图为同步 RS 触发器, SD=RD =l。在 CP=1 期间,当 S=1,R=0 时,触发器输出状态 Qn+1为 A A 1B0C QnD不定23.由主从JK 触发器构成的电路如题15 图所示,可知该电路实现的功能为(A)A. 保持B.置 0C.置 1D.计数24.把 JK 触发器的 J 与 K 都
6、接到高电平上,那么其特性方程变为(B)A.Q n+1=QnB.Qn+ln= QC.Qn+1=1D.Qn+1=0专业资料整理WORD格式3专业资料整理WORD格式25.在 CP 有效的情况下,当输入端 D=0 时,那么 D 触发器的输出端Qn+1=(A)A.0B.1C.QnD. Qn1、集成运算放大器的共模抑制比越大,表示该组件(C ) 。(a) 差模信号放大倍数越大(b) 带负载能力越强(c) 抑制零点漂移的能力越强2、电路如下列图为 (B )。(a) 反相式电压源(b) 同相式电压源(c) 电流源USRFR1-RuORRLUZ3、由开关组成的逻辑电路如下列图,设开关A、B 分别有如下列图为“
7、和“01两个状态,那么电灯 HL 亮的逻辑式为 ( c )。(a) FAB AB (b) F AB AB (c) F AB AB"1""1"ABU"0""0"HL4、电路如下列图,当RF减小时,放大电路的b。(a) 频带变宽,稳定性降低 (b) 频带变宽,稳定性提高(c) 频带变窄,稳定性降低 (d) 频带变窄,稳定性提高专业资料整理WORD格式4专业资料整理WORD格式RFuIR1uO+R专业资料整理WORD格式5、整流电路如下列图,直流电压表V内阻设为无穷大的读数均为管承受的最高反向电压为141V 的电路是以下
8、列图中c。D1+RLVDu2-+u2D2u2RL-(a)( b)D 1D 2+u 2RLV-D 4D 3(c)90V,二极V专业资料整理WORD格式6、某数 / 模转换器的输入为 8 位二进制数字信号 D7D0,输出为 025.5V 的模拟电压。假设数字信号的最低位是“ 1其余各位是“ 0,那么输出的模拟电压为 (a) 。(a)0.1V(b)0.01V(c)0.001V7、电路如图 1 所示,二极管 D 为理想元件,U3V, ui =6sint V,那么输出电压 uO的波形为图 2 中B。专业资料整理WORD格式5专业资料整理WORD格式R+u iD+uO-U-uO/ V63(a)图163(b
9、)uO/ V专业资料整理WORD格式036t 036t专业资料整理WORD格式9uO/ V专业资料整理WORD格式63(c)0uO/ V63(d)t 0图2t专业资料整理WORD格式8、逻辑电路如下列图,输入为X,Y,同它功能一样的是b。(a) 可控 RS触发器 (b)JK 触发器 (c) 根本 RS触发器 (d)T 触发器&X1&DQQY&CCQ9、 电路如下列图,该电路的名称是c 。(a)单 相 桥 式 整 流 电 路 (b)单 相 全 波 整 流 电 路 (c)单 相 半专业资料整理WORD格式6专业资料整理WORD格式波整流电路10、由开关组成的逻辑电路如下列图
10、,设开关接通为“1,断开为“ 0,电灯亮为“ 1,电灯暗为“ 0,那么该电路为 ( b )。(a) “与 门(b) “或 门(c) “非 门AH L+B11、 假设用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为 ( c ) 。(a) 正、反向电阻相等(b) 正向电阻大 ,反向电阻小(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍(d) 正、反向电阻都等于无穷大12、运算放大器电路如下列图,RF1和 RF2均为反响电阻,其反响极性为(D )。(a) RF1 引入的为正反响, RF2引入的为负反响(b) RF1 和 RF2引入的均为负反响(c) RF1 和 RF2引入的均为正反响(d) R
11、F1 引入的为负反响, RF2引入的为正反响RF1uIR1-uoR2RF213、电路如下列图,UCC12V, RC3k,40 且忽略 UBE,假设要使静态时 UCE9V,那么 RB 应取c。(a) 600 k(b) 240 k(c) 480 k(d) 360 k专业资料整理WORD格式7专业资料整理WORD格式RCU CCRB+C2+ C1uoui-二、填空题。1.在 P 型半导体中, _自由电子 _是少数载流子。2.半导体二极管的最大反向电流IRM越大,说明管子的 _单向导电 _性能越差。3.PNP 型晶体三极管,发射结正向偏置时,应是基极电位比发射极电位_高_。4晶体二极管的主要特性是正偏
12、导通,反偏_截止 _。5假设测得某双极型晶体管基极电流I B=10A ,集电极电流IC=1mA,那么晶体管的电流放大倍数=_100_。6理想运算放大器可分为两个工作区,它们是_线性区和饱和区 _。7某放大状态的晶体管=99,IE=1mA,那么 IB=_0.01_mA。8.引入电压负反响可以稳定放大电路的_输出电压 _。9.理想集成运放开环电压增益A uo=_。10.组合逻辑电路的输出状态仅决定于_当前输入状态的复杂逻辑电路_。11.函数 F=ABC+A B C+ C的最简与或表达式为F=_。12稳压二极管在正常工作时,应工作在_反向击穿区 _状态。13假设 Y=AB+( A +B)(C+D+E
13、) ,那么其反函数Y =_。14.在 N 型半导体中 _自由电子 _是多数载流子。15.在根本逻辑公式中A+A=_A_ 。16.数字电路按功能可分为组合逻辑电路和_组合 _逻辑电路。17.D 触发器的特性方程为 _。18T 触发器的特性方程为 _。三、简答题1.集成运放的输入端,在满足什么条件下,存在虚短路,虚断路"在反相比例运算电路中,反相输入端是如何形成虚地的"2 电子电路中的反响组态有哪几种?3.写出 R-S 触发器的特性方程和特性表。专业资料整理WORD格式8专业资料整理WORD格式4. 什么是理想运算放大器?理想运放具有以下主要特征:1、运放输入阻抗无穷大2、运放
14、输出阻抗为零3、运放放大倍数无穷大4、运放带宽无穷大5、运放共模抑制比无穷大具有这些特征的运放为理想运放放大器5.用公式法化简逻辑函数YABBCDACBC6. 逻辑函数的表示方法有哪几种?逻辑真值表逻辑函数式逻辑图7.简单描述一下二极管的开关特性。二极管在正向电压作用下电阻很小 ,处于导通状态 ,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下 ,电阻很大 ,处于截止状态 ,如同一只断开的开关 .利用二极管的开关特性 ,可以组成各种逻辑电路 .8. 晶体管具有电流放大作用,其外部条件和内部条件个为什么?内部条件基区:较薄 ,掺杂浓度低 .发射区:掺杂浓度高多子载流子浓度高.集电区:面积较大利于少子漂移.
15、外部条件发射结加正向偏置电压 ,使其正向导通 .集电结加反向偏置电压 ,使其反向截止 .9. 晶体管输出特性曲线可分为那几个区?放大区 .条件:发射结正偏 ,集电结反偏 . 起放大作用饱和区 .条件:发射结正偏 ,集电结正偏 . 三极管导通截止区 .条件:发射结反偏 ,集电结反偏 . 三极管断开三极管工作于饱和区和截止区相当于开关.10. 负反响对放大电路的工作性能有那些影响?1,负反响对放大倍数的影响专业资料整理WORD格式9专业资料整理WORD格式放大倍数下降,但稳定性提高了2,改善输出波形的非线性失真3,负反响对输入电阻的影响, :4,负反响对输出电阻的影响:5,负反响对频带的宽度影响:
16、展宽通频带,这样的话上限频率更高了,下限频率更低了。改善了放大电路的频率性能四、分析计算题1.电路如下列图:图中 R1=1K, R2=2K,R3=R4=5K 试求: (1)U0与 Ui1和 Ui2的关系式;(2)当 Ui1 =0.5V,Ui2=0.1V 时,计算输出电压 U0值,运放输入端电位, UN、UP值。2.晶体管放大电路如图1所示,已知U CC12V , RC3k, RB240k,晶体管的40.1专业资料整理WORD格式0专业资料整理WORD格式 1画出直流通路和交流通路;RCRBC1+TRS+ui+es 图 1 2用直流通路估算各静态值。3.比较器电路如下列图,UR3V ,运放输出的
17、饱和电压为(1)画出传输特性;(2)假设 u I6s i nt V, 画出uO 的波形。u IR-uORU R+UCCC2+RLuoUOM ,要求:专业资料整理WORD格式4由理想集成运算放大器构成的运算电路如题 26 图所示。请问 A1、A 2各构成何种运算电路 " 假设 ui=10mV ,分别计算 uOl和 uO2;指出 A2引入了何种负反响组态。5将以下逻辑函数式化为最简“与或 式。F2= ABCABCABCABC6电路如题 28 图所示。要求:写出 F 的逻辑函数表达式并化为最简“与或 式;列写真值表;1专业资料整理WORD格式1专业资料整理WORD格式对应输入 A 、B、
18、C 的波形画出输出 F 的波形。7.逻辑电路图如下列图,各触发器的初始状态为“0,RD和SD和 C 的波形,试画出Q0 ,Q1和F的波形。Q0Q1SDQ0&FJQ1RCDQ0KQ1CCSDRDQ0Q1F8固定偏置放大电路如题32 图所示,晶体管的=80, UBEQ=0.6V,欲使 IB=40A , UC=6V,试计算电阻 RB和 RC的值。1专业资料整理WORD格式2专业资料整理WORD格式9题 36 图所示组合逻辑电路, 写出Y0, Y1, Y2, Y3的逻辑表达式,完成以下真值表,并说明该电路的逻辑功能。10利用公式法化简以下表达式,写出最简与或式。FABACBC11.如图电路 (1)指出 A 1A 2各构成什么电路。 (2)写出 V Ol及 V O表达式。12.某型号电冰箱制冷原理如下列图。基准电压U12V,U24V,US为温控取样电压,Rt为负温度系数的热敏电阻,KA为继电器,FF0为同步RS触发器,M 为单相电动机。要求: (1)说明A1,A2在此电路中的作用; (2)说明电位US随温度变化的规律; (
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