MOSFET特性参数EAS的解析_第1页
MOSFET特性参数EAS的解析_第2页
MOSFET特性参数EAS的解析_第3页
MOSFET特性参数EAS的解析_第4页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、MOSFET特性参数EAS的解析一、 EAS与EAR的定义EAS单脉冲雪崩击穿能量, EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。EAR重复雪崩能量, 标定了器件所能承受的反复雪崩击穿能量。二、如何通过测试波形判断是否发生雪崩上图（a）开关电源中的雪崩工作波形。在MOSFET截止时约有300V的冲击电压加在漏极和源极之间，并出现振铃。上图（b）对时间轴进行了放大，由图可以清楚的看出由

2、于栅极电压下降，管子截止，ID减小的同时VDS升高并在295V处VDS电压波形出现平顶（钳位）。这种电压被钳位的现象即是雪崩状态，所以当功率MOSFET发生雪崩时，漏源极电压幅值会被钳位至有效击穿电压的水平。图1所示为开关电源中典型的雪崩波形。源漏电压（CH3）被钳制在1kV，并能看到经整流的电流（CH4）。图1 器件击穿，800V额定值MOSFET图2 反激变换器中典型的雪崩情况三、 如何计算雪崩能量四、 在什么的应用条件下要考虑雪崩能量对于那些在MOSFET的D和S极产生较大电压的尖峰应用，就要考虑器件的雪崩能量，电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用，MOSFE

3、T关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。五、 雪崩击穿（EAS/EAR）的保护 如上图所示，可在变压器（感性负载）两端并接RCD吸收回路，以降低反向尖峰电压，避免出现雪崩击穿现象；串联栅极电阻，并设置为合适值，以抑制dv/dt，增加关断时间，从而抑制反向尖峰电压，但是这又会增加关断损耗，所以栅极电阻要设置在一个合适值；也可在MOS

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论