基于LTCC工艺的设计规范总结

1、基于LTCC工艺的设计规范总结1材料特性 特性相关参数值1相对介电常数Er：5.9±0.2(1100GH)2介质损耗角正切：<0.002 （1100GHz)3电阻率：>at 100DVC5层数：最多30层6每层层厚：0.1mm7导体厚度：0.01mm8孔径：最小直径0.1mm 可选6mil 8mil 10mil 12mil9密度：Density3.210镀金属：铜（Cu）顶层：嵌入其中，中间层：上下各嵌入50 过孔镀银（Ag）11.基板尺寸（最大）105mm×105mm12生瓷片精度横向平面精度：±5um众向生瓷精度：±10um2.导体线宽和

2、间距 建议尺寸 最小尺寸ABC顶层45um45um45um内层100um100um100umNote: 可能的情况下推荐更大的间距，密度过大或者焊盘过近将造成潜在的短路问题 相关参数: 网印最小线宽/间距 100um/100um 直描最小线宽/间距 50um/75um蚀刻最小线宽/间距 45um/45um3导体到基板边缘的间距/和腔体间隙 推荐尺寸 最小尺寸4电气过孔214 的可选通孔直径为：6mils、8mils、10mils、12mils互连通孔最小直径：0.1mm 5.同层通孔间距A一般取3倍于孔径尺寸注意：散热和RF通孔排除在此标准外相关参数：互连通孔最小节距：0.3mm6.过孔托盘在

3、通孔上面和下面的托盘必须以一定的距离与通孔的所有边都重叠，除非密集布线情况时不允许使用此方法（通孔直接与导线相连）7基板边缘电气通孔A值推荐34倍于通孔直径，最小为1825mil8器件安装处通孔分布当设计的密度需要长的通孔串时，通孔必须交错分布以防发生突然折断的裂缝。层与层直接的电气通孔之间的交错连接：通孔采取垂直方向的交错（Z字型），以使传送通道（routing channels）的封闭(blockage)降到最小,并减小通孔的“加速效应”（posting effect）。以下是交错通孔技术的示例： 可接受的Z字形 推荐的阶梯型 堆叠通孔通孔堆栈：说明：电连接建议使用交错通孔，在特别情况下，

4、在同一通孔处最多可以通孔15 层。9地和电源面板大面积的裸露导体区域，比如面板，必须是实心的。烧结板在所有可能的地方应该网格化。铺地的区域必须是实心的，以此在需要时提供对传输线或其他关键信号线的保护。所有铺地板的边缘（在基板的周围和腔体附近）都必须造成城形，来提升生瓷带层与层之间的迭片结构的粘合性。相邻层之间的面板的栅格形状必须是可以相互抵消(offset)的，使基板顶层和地层表面较为平整注意：接地板的网格应尽可能的大来减小多余增量和损耗，对于大面积地面/电源面，建议使用栅格形式，对于特别情况，局部可以使用面地面/面电源面。10空腔空腔底部导体与空腔壁之间的间隙如果有必要，底部导体的电气连接可以穿过空腔壁，但是不能超过壁长的25，最大50，城形的金属化设计可以用来满足该设计。裸露/烧结导体到腔体壁之间的间隙11通孔与腔体的间隙通孔和腔体壁之间的间隙连接架注意：在设计确认前应该检查连接架上的空腔壁高度12空腔与空腔的间隔：最小尺寸 注意：1 烧结腔体壁长度不应超过5