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文档简介

1、WORD格式27162716 指的是 Intel2716芯片， Intel2716 是一种可编程可擦写存储器芯片封装：双列直插式封装，24 个引脚根本构造：带有浮动栅的MOS 管封装：直插24 脚，引脚功能：Al0A0 ：地址信号O7O0 ： 双向数据信号输入输出引脚；CE ：片选OE ：数据输出允许；Vcc ： +5v 电源，VPP ： +25v 电源；GND ：地2716 读时序：专业资料整理WORD格式2732相较于 2716 ：Intel2716 存储器芯片的存储阵列由4K×8个带有浮动栅的MOS 管构成，共可保存4K×8位二进制信息封装：直插24 脚引脚功能：A0

2、A11 地址E 片选G/VPP 输出允许 /+25v 电源DQ07 数据双向VSS 地VCC+5v电源2732 读时序专业资料整理WORD格式2764 、27128 、 27256 、 27512 等与之类似27020存储空间： 256kx8读写时间： 55/70ns封装：直插 /贴片 32 脚专业资料整理WORD格式引脚功能：专业资料整理WORD格式A0A17 地址线I/O07 数据输入输出CE 片选OE 输出允许PGM 编程选通VCC+5v电源VPP+25v电源GND 地27020 读时序：27040 与之类似RAM-61166116 是 2K*8 位静态随机存储器芯片,采用 CMOS 工

3、艺制造 ,单一 +5V 供电 ,额定功耗 160mW,典型存取时间90/120ns,专业资料整理WORD格式封装： 24 线双列直插式封装.专业资料整理WORD格式引脚功能 :A0-A10为地址线 ;CE 是片选线 ;OE 是读允许线 ;WE 是写允许线 .操作方式：CEOEWED0-D7方式H-高阻未选中LLHDout读LHLDin写LLLDin写RAM 62646264 是 8K*8位静态随机存储器芯片, 采用CMOS工 艺 制造,单一 +5V供电 ,最大功耗 450mW,典型存取时间70/100/120ns,封装：直插式28 脚引脚功能：A0A12: 地址线WE 写允许OE 读允许专业资料整理WORD格式CS 片选专业资料整理WORD格式NC NoconnectionI/O1I/O8数据输入输出操作模式模式CS1CS2OEWEI/O18备用HXXX高阻XLXX高阻制止

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