模拟电子技术规范试题1标准答案及评分标准_第1页
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文档简介

1、1 / 12模拟电子技术试卷 1 答案及评分标准一、 推断题( 每题 1 分,共 10 分)1. 半 导 体 是 指 导 电 性 能 介 于 导 体 与 绝 缘 体 之 间 的 一 类物 质 。(对)2. 三极管共集电极电路的发射极电阻Re能够稳定静态工作点。( 对)3. 结型场效应管外加的栅 - 源电压应使栅 -源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其志大的特点。(对)4. 差分放大电路采纳双端输出时, 在理想对称情况下其共模抑制比为 无穷大。( 对 )5. 只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。 ( 错 )6. 能 够 用 电 子 电 压 表 测 量 三 极 管 放 大 电 路 的

2、 静 态 工 作电 压 。( 错)7. 共集电极电路的输入阻抗高,输出阻抗低,电压放大倍数大。( 错)8. 过零比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。(错 )9. 互补输出级应采纳共集或共漏接法。 ( 对)2 / 1210.乙类功率放大电路的效率最高, 理论上可达 78.5 ,但存在交越失真。( 对)填空题(每空 1 分,共 28 分)1. 当 PN 结正向偏置时,扩散电流 大于一漂移电流,耗尽层 变窄。当 PN 结反向偏置时,扩散电流小于_漂移电流。(填大于、小于、 等于、不变、变宽、变窄)2. 三极管的外加偏置满足发射结正偏和集电结反偏时,工作在放大区。3. 当温度升高时,晶体三极管的UBE将

3、减小,ICE。增大,B增大。(增大或减小)4. 场效应管是通过改变电压来改变电流的,因此它是一个电压操纵器件;依照结构的不同,场效应管可分为结型_ 和 绝缘栅型_ 两种类型。5. 集成运放的输入级一般采纳高性能的恒流源差分放大电路,其目的是 克服零点漂移。6. 在差分放大电路中,两输入端获得的一对大小相等,极性相反的信号称差模信号:而大小相等,极性相同的信号称为共模_信号。7. 已知某深度负反馈电路开环增益Aud=100,反馈系数 F=0.1,则闭环3 / 12增益Auf=9.09_ 。4 / 12A.VD 导通,LAO=9VB.VD 截止,LAO=-12V8. 正弦波振荡电路一般由放大电路、

4、反馈环路、选频网络和稳幅环节等四个环节组成,而且缺一不可。9. 正弦波振荡电路产生自激振荡的两个条件是:振幅条件和相位条件 。10.若采纳市电供电,则通过_、_整流_ 、滤波 和_ 后可得到稳定的直流电。三、单项选择题(每空 2 分,共 22 分)1. 测得工作在放大电路中的某晶体管的两个电极在无交流信号输入 时的电流大小和方向如下图所示。贝憎子的类型、从左至右的管脚 极性和B值分不为(D )。A. NPN c,e,b,61B.PNP,c,b,e,602. 下图所示电路中,二极管为理想二极管,以下讲法正确的是( B )e,c,b,61C. NPN, c,b,e,60D.PNP,9V()C.VD

5、 截止,UAO=12V5 / 12D.VD 导通,UAO=-9V3假如将三极管的基极和发射极短路,则( C )A . 管 子 深 度 饱和B .发射结反偏C.管子截止D .集电结烧坏4. 图 3-4 电路中,当输入 1KHz 5mV 的正弦波时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,则这种失真是(B );A.饱和失真B .截止失真 C .交越失真D.频率失真为了消除此失真,应(D )。A.减小集电极电阻 Rc B .改换B小的管子C.增大基极偏置电阻 Rb D .减小基极偏置电阻 Rb6 / 125.若要得到一个 PNP 型复合管,可选择下列 4 种接法中的CD6.( A )放大电路便于集成,但各级的静态工作点不独立,相互阻碍。A.直接耦合B.变压器耦合C . 阻容耦合7. 要得到一个 Ri 大,Ro 小的阻抗变换电路,应选择(A

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