电子技术课程设计指导书--

1、电子技术课程设计一、设计目的二、设计方案三、音频放大电路的设计及仿真（一）设计指标要求1、电压放大倍数：Au=1452、最大输出电压：Uo=3.5V3、频率响应：30Hz30kHz4、输入电阻：ri>15k 5、失真度：<10%6、负载电阻：RL=2k7、电源电压：EC=24V（二）设计步骤和方法1、选择电路方案对讲机放大电路的框图如下图所示，根据设计指标选择多级放大电路，前置级为电压放大，输出级为功率放大，主要对前置级电压放大电路进行设计。电路方案的确定包括以下几个方面内容：（1）根据总的电压放大倍数，确定放大电路的级数。（2）根据输入、输出阻抗及频率响应等方面的要求，确定电路晶

2、体管的组态及静态偏置电路。（3）根据三种耦合方式的不同特点，选用适当的耦合方式。2、选择电路根据上述要求选择的电路如图所示。3、计算元器件参数（1）确定电源电压EC：为保证输出电压幅度能达到指标要求，电源电压EC应满足如下要求： 图一EC>2Vom+VE+VCES式中：Vom为最大输出幅度 VE为晶体管发射级电压，一般取VE=24V。VCES为晶体管饱和压降，一般取VCES=3V。指标要求的最大输出电压Vo=3V，给定电源电压EC=24V，可以满足要求。（2）确定T2的集电极电阻R8和静态工作电流ICQ2。因为这级的输出电压比较大，为使负载得到最大幅度的电压，静态工作点应设在交流负载线的

3、中点。如图一所示。由图可知，Q点在交流负载线的中点，因此的T2静态工作点满足下列条件。 (1-1) 因在晶体管的饱和区和截止区，信号失真很大，为了使电路不产生饱和失真和截止失真，VCEQ2应满足：VCEQ2>Vom+VCES (1-2)由（1-1）式消去ICQ2并将（1-2）式代入可得：取VE=3V；VCES=1V则：取R8=3.5k由（1-1）式消去VCEQ2可得：（3）确定T2发射级电阻R9：取R9=0.68k（4）确定晶体管T2：选取晶体管时主要依据晶体管的三个极限参数：BVCEO>晶体管c-e间最大电压VCEmax（管子截止时c-e间电压）ICM>晶体管工作时的最大电

4、流ICmax（管子饱和时c-e回路电流）PCM>晶体管工作时的最大功耗PCmax由图一可知：IC2最大值为IC2max=2ICQ2VCE的最大值VCE2max=EC根据甲类电路的特点，T2的最大功耗为：PCmax=VCEQ2·ICQ2因此T2的参数应满足：BVCEO>EC=12V ICM>2ICQ2=4mA PCM> VCEQ2·ICQ2=4.8mW选用S9011，其参数为：BVCEO>30V；ICM>30mA；PCM>400mW；满足要求。实测=100。（5）确定T2的基极电阻R6和R7在工作点稳定的电路中，基极电压VB越稳定，则

5、电路的稳定性越好。因此，在设计电路时应尽量使流过R6和R7的IR大些，以满足IR>>IB的条件，保证VB不受IB变化的影响。但是IR并不是越大越好，因为IR大，则R6和R7的值必然要小，这时将产生两个问题：第一增加电源的消耗；第二使第二级的输入电阻降低，而第二级的输入电阻是第一级的负载，所以IR太大时，将使第一级的放大倍数降低。为了使VB稳定同时第二级的输入电阻又不致太小，一般计算时，按下式选取IR的值：IR=（510）IBQ 硅管IR=（1015）IBQ 锗管在上式中IR的选取原则对硅管和锗管是不同的，这是因为锗管的ICBO随温度变化大，将会影响基极电位的稳定，因此IR取值一般比

6、较大。对硅管来说ICBO很小，因此IR的值可取得小些。本电路T2选用的是硅管，故取IR=5IBQ则：由图4知：取：R7=16.36k；R6=93k。（6）确定T1的静态工作点ICQ1；VCEQ因为第一级是放大器的输入级，其输入信号比较小，放大后的输出电压也不大。所以对于第一级，失真度和输出幅度的要求比较容易实现。主要应考虑如何减小噪声，因输入级的噪声将随信号一起被逐级放大，对整机的噪声指标影响极大。晶体管的噪声大小与工作点的选取有很大的关系，减小静态电流对降低噪声是有利的，但对提高放大倍数不利。所以静态电流不能太小。在工程计算中，一般对小信号电路的输入级都不详细计算，而是凭经验直接选取： IC

7、Q1=0.11mA 锗管 ICQ1=0.12mA 硅管 VCEQ=（23）V如果输入信号较大或输出幅度较大时不能用此方法，而应该具体计算。计算方法与计算第二级的方法相同。（7）确定T1管的集电极电阻R3，发射级电阻R4、R5：由图五知： 取：VE1=3V；VCEQ1=3V；ICQ1=0.5mA则：取：R3=12k取：R4=0.039 k；R5=6.1k(8)选择T1管选取原则与T2相同：BVCE0Ec=12V； ICM0.5mA； PCM1.5mW，根据现有条件选用S9011，实测1=100。（9）T1管基极电阻的选取取：IR=10IBQ，VE1=3V由图六知；取：R1=408k；R2=72k

8、（10）耦合电容和旁路电容的选取各级耦合电容及旁路电容应根据放大器的下限频率f1决定。这些电容的容量越大，则放大器的低频响应越好。但容量越大电容漏电越大，这将造成电路工作不稳定。因此要适当的选择电容的容量，以保证收到满意的效果。在设计时一般按下式计算：其中：RS是信号源内阻，ri1是第一级输入电阻。其中：r01是第一级输出电阻，ri2是第二级输入电阻。其中：ro2是第二级输出电阻。其中：Rb=R6/R7/R3由于这些公式计算繁琐，所以在工程计算中，常凭经验选取：耦合电容：210F发射极旁路电容：150200F现在用第二种方法确定C1、C2、C3、Ce1和Ce2取：C1=C2=C3=10FCe1

9、=Ce2=100F电容器的耐压值只要大于可能出现在电容两端的最大电压即可。（11）反馈网络的计算根据深反馈的计算方法，由图七知： Rf=100R4-R46.19k取： Rf=5.6k，Cf=10F根据上述结果，可得电路图（图八）4、理论计算（1）根据电路图中的实际参数值，画出直流通路，计算静态工作点。.（2）画出微变等效电路，电压放大倍数（3）计算各级的输入电阻和输出电阻。（4）判别负反馈。（三）利用EWB电路仿真软件对设计的电路进行仿真1、用EWB画的原理图2、获得静态工作点的值3、获得输入输出波形图4、获得频率特性图5、元器件的明细表四、收音机安装、调试过程及体会1、收音机的安装2、收音机

10、的调试过程3、收音机元器件的明细表4、收音机安装、调试过程的体会五、结束语六、附录（一）色环电阻及其计算颜色有效数字乘数允许偏差%工作电压V银色10-2±10金色10-1±5黑色01004棕色1101±16.3红色2102±210橙色310316黄色410425绿色5105±0.532蓝色6106±0.240紫色7107±0.150灰色810863白色9109无色±20（二）常用晶体管的型号及型号极性用途VCBOVCEOICM(mA)PCM(mW)A()D()E()9011NPN高放503030400284539609012PNP功放40205006256491781129013NPN功放40205006256491781129014NPN低放50451004506015040010009015PNP低放504510045060150（三）电阻器标称系列标称值系列E24E12E6备注电阻器标称值1.01.01.0