模电(李国立)2章习题答案

1、2半导体三极管自我检测题1 .选择和填空1 .三极管工作在放大区时，发射结为A,集电结为_B_,工作在饱和区时，发射结为_A_,集电结为_A_。（A.正向偏置，B.反向偏置，C.零偏置）2 .NPN和PNP型三极管的区别取决于D。（A.半导体材料硅和错的不同，B.掺杂元素的不同，C.掺杂浓度的不同，D.P区和N区的位置不同）3 .三极管的共射交流电流放大系数定义为应变化量（或AIf）与叵变化量（或A之比，共基交流电流放大系数定义为k变化量（或AIc）与Ie变化量（或AIe）之比。已知某三极管的=0.99,那么该管的99。4 .三极管的Icbo是指发射一极开路时，集电极与直极间的反向饱和电流；I

2、ceo是指匕极开路时，集电极与发射极之间的穿透电流。5 .随着温度升高，三极管的电流放大系数_A_,穿透电流Iceo_A_,在Ib不变的情况下b-e结电压Vbe_B_o（A.增大，B,减小，C,不变）6 .对于同一个三极管来说，IcboAIceo；vbr（cbo）BVbr（ceo）。（A.小于，B.大于，C.等于）7 .随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将_C_,输出特性曲线将,输出特性曲线的间隔将且。（A.上移，B,下移，C.左移，D,右移，E,增大，F.减小，G.不变）8 .已知某三极管的PcM=800mW,Icm=500mA,Vbr（ceo）=30V。若该管子在电路中工作电压Vc

3、e=10V,则工作电流IC不应超过_80_mA;若Vce=1V,则Ic不应超过500mA。若管子的工作电流Ic=10mA,则工作电压Vce不应超过30V:若Ic=200mA,则Vce不应超过3V。2 .判断题（正确的在括号内画，错误的画X）1 .NPN型和PNP型三极管都有三个电极、两个PN结，正常工作时外加电压的要求相同。（X）2 .三极管工作在放大状态时，集电极电流是由多子漂移形成的。（X）3 .三极管具有两个PN结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。（X）4 .三极管的外部电流关系是iciB,这是一个线性方程，所以三极管是线性器件。（X）5 .三极管工作于哪个区域与外加电压

4、的情况有关。（V）6 .测出某三极管的共基电流放大系数小于1,表明该管子没有放大能力。（X）7 .由于三极管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。（V）8 .只要是硅三极管，无论是NPN还是PNP型，正常工作时，发射结的工作电压Vbe都为0.7V左右。（X）9.三极管的共射电流放大系数B和共基直流电流放大系数之间的关系为/(1)O(X)10.三极管的ICEO大约为ICBO的(1+)倍。(，)习题2.1在三极管放大电路中，测得三个三极管的各个电极白对地静态电位如图题2.1所示,试判断各三极管的类型(NPN、PNP、硅、错)，并注明电极eb、c的位置。(b

5、)图题2.1解：(a)图为NPN型硅三极管，左起 (b)图为PNP型硅三极管，左起 (c)图为PNP型错三极管，左起e、b、c;c、b、e;c、 e、bo2.2用直流电压表测得电路中三极管各电极的对地静态电位如图题 些三级管分别处于什么状态。+6V-18V-8.5V+12V2.2所示，试判断这+6V-0.7V-12V-3V(1 )( 2 )( 3 )0V+5.7V(4 )( 5 )图题2.2解：(1) NPN管，Vbe 0.7V,发射结正偏置，Vbc6V ,集电结反偏置，放大(2) PNP 管，Vbe(3) NPN 管，Vbe(4) NPN 管，Vbe(5PNP 管，Vbe0.7V ,发射结正

6、偏置，Vbc0.7V ,发射结反偏置，截止3V ,发射结电压过高，损坏0.7V ,发射结正偏置，Vbc(5) V ,集电结反偏置，放大0.4V ,集电结正偏置，饱和2.3在某放大电路中有两只三极管。测得每个三极管的两个电极中的电流大小和方向如图题2.3(a)、(b)所示。(1)标出另一个电极中的电流大小和方向；(2)判断管子类型(NPN、PNP),表明电极e、b、c的位置；(3)估算管子的B值。2、12解：(a)由KCL得另一电极的电流为 对应于 e、c、b,4.9/0.1 49。(b)由KCL得另一电极的电流为5-0.1) =4.9mA,流入，管子类型为 NPN,6.1-6=0.1mA,流出，管子类型为 PNP,对应于 c、b、e,6/0.1 60。2.4某大功率三极管的输出特性如图题2.4所示，试求出该管子的、Iceo、VbR(CEO