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各种晶体管的导通条件及特性SCR,GTO,GTR,MOSFET,IGBT晶闸管晶闸管(SCR)(SCR)阳极Anode阴极kathode导通条件：A-K之间加正向电压，G-K之间加正向电压(门极G上加触发脉冲)；特性：当阳极电流上升到擎住电流(使晶闸管由关断到导通的最小电流)，即使门极G电压信号消失，晶闸管仍可继续导通关断条件：晶闸管阳极电流小于维持电流(保持晶闸管导通的最小电流)G-Gate门极门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管(GTO)(GTO)G-Gate门极阳极Anode阴极kathode电力晶体管电力晶体管(GTR)(GTR)基极baseC- collect集电极e- emitter发射极GTR在伏安特性区中只工作在饱和区和截止区导通：在基极b施加驱动信号关断：在基极b去掉驱动信号电力场效应晶体管电力场效应晶体管(MOSFET)(MOSFET)S-Source源极D-Drain漏极G-Gate门极箭头往里为N沟道，虚线为增强型，实线为耗尽型绝缘栅双极晶体管（绝缘栅双极晶体管（IGBTIGBT）

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