笔记本电路基础 最新

1、由实际元器件构成的由实际元器件构成的可将其他形式的能量转换成电能、向可将其他形式的能量转换成电能、向电路提供电能的装置。电路提供电能的装置。可将电能转换成其他形式的能量、在可将电能转换成其他形式的能量、在电路中接收电能的设备。电路中接收电能的设备。电源和负载之间不可缺少的连接、电源和负载之间不可缺少的连接、控制和保护部件统称为中间环节，控制和保护部件统称为中间环节，如导线、开关及各种继电器等。如导线、开关及各种继电器等。的电路可对电信号进行传递、变的电路可对电信号进行传递、变换、储存和处理。换、储存和处理。的电路可对电能进行传输、分配的电路可对电能进行传输、分配和转换。和转换。死区时间, 上下

2、管驱动信号均为低电平发光二极管的工作电流很小，为了防止其烧毁或延长电源的使用时间，要将电路的电流限制在其工作电流范围内，根据欧姆定律可以计算出R1的值。 I=V/（R1+RD）(此时的I值应该是发光二极管的工作电流值),相信不难求出电阻的值。电容器电容器：capacitor 1、符号和单位：符号： C、（TC、CT、CB、BC、CM、MC、CE、EC、CC、CN、CP）单位：法（F）、微法（F=10-6F）、纳法（nF=10-9F）、皮法（pF=10-12F）电容的常用单位是微法、纳法和皮法；电容 的默认单位是微法；特性和作用：a、特性：电容是一种能够储存电能的元件，通过充电和放电来储存和释放

3、电能；有如下特性：）充放电储存和释放能量；）通交流而隔直流；）通高频交流电而阻碍低频交流电；）电容不允许加在其两端的电压发生突变，电容的充放电需符合一定的规律，其充放电常数=RC 5）容抗：电容对交流电的阻碍作用，用Xc表示，单位为。 XC =1/（2f c)其中2为常数，f为频率，c为容量电容的作用电容的作用C1、C2是耦合电容，传输音频交流信号，C2同时有隔直流的作用，防止直流烧坏扬声器；电感：电感：1、符号和单位：、符号和单位： 符号：符号：L单位：单位：1亨（亨（H）=1000 毫亨（毫亨（mH） 1mH =1000 微亨（微亨（H）作用：a、滤波：电感的滤波作用与电容非常相似，只不过

4、电容是并联在电路中，而电感是串联在电路中，它相当于一个电源，这两个电源是串联关系。单独电感做滤波的情况比较少，一般与电容配合使用组成L型或型滤波电路，滤波效果才更佳。L型滤波和型滤波b、储能：二极管：二极管：a、符号：b、分类： 按功能分：1）整流二极管： 普通、快恢复、超快恢复、肖特基 2）稳压二极管：3）开关二极管：4）发光二极管：5）光电二极管：按材料分： 硅管、锗管按封装形式分：玻璃封装、塑料封装c、特性与作用：1、特性：单向导电性：电流只能从正极流向负极而不能从负极流向正极；正向导通时有压降，普通硅管为0.6-0.7V； 普通锗管为0.2-0.3V 发光二极管的压降1-5V反向电压大

5、于定值时会击穿；如1N4001 1A 50V 1N4007 1A 100V 场管场管N沟道增强型MOSFET的结构P型衬底BSiO2N+N+SDG 取一块P型半导体作为衬底，用B表示。 用氧化工艺生成一层SiO2 薄膜绝缘层。 然后用光刻工艺腐蚀出两个孔。 扩散两个高掺杂的N型区。从而形成两个PN结。（绿色部分） 从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。 N沟道增强型MOSFET的符号如左图所示。左面的一个衬底在内部与源极相连，右面的一个没有连接，使用时需要在外部连接。DGSBDGSBD S GB衬衬底底 N沟道增强型图符号沟道增强型图

6、符号D S GB衬衬底底 P沟道增强型图符号沟道增强型图符号SI4435SI48356986SG1S2G2D1D2/S14816G1S1S2G2D14814D24235 N沟道增强型MOSFET的工作原理 对N沟道增强型MOS场效应三极管的工作原理，分两个方面进行讨论，一是栅源电压UGS对沟道会产生影响，二是漏源电压UDS也会对沟道产生影响，从而对输出电流，即漏极电流ID产生影响。 1栅源电压UGS的控制作用SDGPN+N+SiO型衬底DSUGSU2=0空穴正离子电子负离子+ 先令漏源电压UDS=0，加入栅源电压UGS以后并不断增加。 UGS带给栅极正电荷，会将正对SiO2层的表面下的衬底中的

7、空穴推走，从而形成一层负离子层，即耗尽层，用绿色的区域表示。 同时会在栅极下的表层感生一定的电子电荷，若电子数量较多，从而在漏源之间可形成导电沟道。 沟道中的电子和P型衬底的多子导电性质相反，称为反型层。此时若加上UDS ，就会有漏极电流ID产生。反型层0DSU 当UGS较小时，不能形成有效的沟道，尽管加有UDS ，也不能形成ID 。当增加UGS，使ID刚刚出现时，对应的UGS称为开启电压，用UGS(th)或UT表示。N沟道导通条件沟道导通条件: UG US典型应用电路典型应用电路16V 输入控制信号5V输出16VP沟道导通条件: UG VB;Q2为N沟道MOS管,导通条件为 UG US，当Q2导通时, VA VB,故Q1也导通,VC输出16V,当Q2截止时, VA = VB,故Q2也截止,VC无输出.VAVBP P沟道导通条件：沟道导通条件： VG VSVC典型应用电路典型应用电路 AYY=AAY0011同相门真值表如下AYY=AAY0110反相门真值表如下 AC