清华大学半导体器件张莉期末考题

1、文档来源为 :从网络收集整理.word 版本可编辑.欢迎下载支持发信人:smallsheep(finalexamination),信区:Pretest标题:微电子器件发信站:自由空间(MonJun2010:27:102005),站内填空：一，已知af,aR,和IES,求Ics=(互易关系)二.bjtA和bjtBo一个集电极是N-,一个集电极是N+问：哪个饱和压降大_，那个early电压大_那个容易电流集边_.哪个容易穿通电压大哪个容易击穿BVCBO.,三.发射结扩散电容应该包括那几个时间常数的影响简答：1 .阵口ft对Ic的特性有很大的相似之处，比如在小电流段都随Ic的减小而减小，在大电流段都

2、随Ic的增大而减小。请解释原因2 .总结一下NN+结的作用。大题：1 .对于杂质浓度分布为NAB(x)=NAB(0)exp(入x/WB)勺分布，用mollrose方法推出基区少子分布和渡越时间。2 .给了WB,WE,和其它一堆参数，求&a,hef.求IB，Ic，求几模型参数，gm,go,gu.3 .画图，上升时间t0，t1，t2三点处的能带图，和少子分布图总体来说很简单。好像很多人都很得意，ft！发信人:willow(我要我的自由),信区:Pretest标题:半导体器件-张莉发信站:自由空间(WedJun2321:38:402004),站内A卷1。以下那些是由热载流子效应引起的。6个选

3、项，待补充。2。何谓准静态近似3。为了加快电路开关时间参数应如何选取。参数，电容，fT,beita,待补充4。CE律的参数变化，Vt,xSiO2,N,结深按照参数的变化规律下列效应将如何变化(1)掺杂浓度N引起：.5种效应，待补充。/sigh,我把N弄反了，5个空全错(2)结深引起。3种效应，待补充。5?BJT高频pai电路，及各参数意义简答，(1)Vbs增加，nMOS,pMOS的Vt,gmb分别如何变化(2)场区注入的杂质类型，作用，对小尺寸器件影响一个MOS管，栅接漏接高电位，衬底接源接地给了4个IdVds，Vfb,Na,求尽可能多的参数已知载流子速度v(y尸u*dV(y)/d(y),推导

4、Vds=Vdsat时的v(y),并作图-发信人:wkgenius(我们都渴望一种温存),信区:Pretest标题:2003年春半导体器件试题发信站:自由空间(2003年07月02日18:12:53星期三),站内信件1.6ev|1um|酱紫的pn结导带底能带分布问1:N还是P重掺杂，为何?问2：外加电压正抑或负，为何？问3：求低掺杂边掺杂浓度问4：画场强分布，求最大场强，并画0偏时的场强分布二.pnp正向放大区和反向放大加压的问题，两种情况下一些增益参数的变化，恩，题目太长乐。三.MOS和BJT饱和区的含义和机构(5 个，其四.tox减小对mos管一些效应的影响及原因，有截止频率，亚阈值特性他的

5、三个记不清了，这个没仔细看，乱答得:()五.MOS和BJTfT的产生机构(就是延迟项的含义)六求本征电流增益，注意Qb0=Gb*q就万事大吉了七.给定基区分布，求基区传输延迟(理解了moll-ross方法就easy了)八关于MOS衬偏调制系数以及beta值等的运算，很简单九一些基本概念的简答，比较常规十.可夹断型埋沟器件，Vgs=Vt,衬偏为0时的能带图*贴出来供ddmm们参考吧，题目有点活，关键在于考察对基础知识的理解，平时作业一定要弄懂plus:光电专业的ddmm一定别选这个课阿，内容超级多而且杂，很是很烦的，别重蹈我的覆辙发信人:XTR（M970）,信区:Pretest标题:微电子器件与

6、电路（许军老师）2009秋季期末考题发信站:自由空间（SatJan921:45:102010）,站内第一次在pretest发题，为后面的几门攒rp吧1 .填空（20分）（与上一年的是完全一样的，cv过来而已）1 .在双极型集成电路中不同BJT器件之间的隔离通常采用来实现，而埋层的作用则主要是,提高BJT电流增益的主要方法有,以及,若发射级掺杂浓度过高也会导致BJT放大倍数的下降，主要是由于效应造成的。2 .半导体晶体材料中载流子扩散系数主要取决于A.散射机制B.复合机制C杂质浓度梯度D.表面复合速度3 .有效的降低NMOS晶体管的关态漏电流，可以采用下面哪种方法A.减小源漏之间的沟道长度B.降

7、低器件阈值电压C提高衬底沟道区的掺杂浓度D.降低源漏区的掺杂浓度4 .硅PN结实验表明小注入时，理论计算的I比实验值小，其原因主要是理论计算忽略了A扩散区的产生电流B.势垒区的产生电流C.扩散区复合电流D.势垒区的复合电流5 .要有效的抑制双极型晶体管的基区宽度调制效应，可以采用下面哪种方法A.减小基区掺杂浓度B.增大基区掺杂浓度C.增大收集区掺杂浓度D.减小基区宽度2 .（20分）一个NMOS器件，W=15lm,L=2am,Cox=6.9*10A（-8）F/cm2,保持VDS=0.1V不变，VGS=1.5V时，IDS=35aA;VGS=2.5V时，IDS=75aA。求心n和VT。3 .（20

8、分）采用N+掺杂的多晶硅栅极NMOS器件，P衬底掺杂浓度NA=3*10A16/cm3,（）ms=1.10V,NSS=1.0*10A11/cm2,VT0=0.65V。求tox和VBS=-3V时的VT。4 .（20分）影响硅双极型晶体管高频性能的主要因素有哪些？能否用两个PN结二极管反向串联起来形成NPN或PNP的结构来实现BJT的电流放大作用，为什么？5 .（20分）采用电阻作为负载的NMOS反相器，NMOS的W/L=4/1,心n=500cm2V-s,VT0=1.0V,Cox=1*10A（-7）F/cm2,R=10kQ,VDD=5V。（1）求Vin=0,2.5V,5V时对应的输出电压VOH,VO

9、M,VOL。（2）如果要使VOM=2.5V，应当如何调整R或W/L的值，说明设计方案并求出此时的VOH和VOL。发信人:arg（SaintBaby）,信区:Pretest标题:微电子器件与电路期末-许军老师-六字班发信站:自由空间（SatJan322:03:232009）,站内一.填空（20分）1 .在双极型集成电路中不同BJT器件之间的隔离通常采用来实现，而埋层的作用则主要是,提高BJT电流增益的主要方法有,以及,若发射级掺杂浓度过高也会导致BJT放大倍数的下降，主要是由于o2 .半导体晶体材料中载流子扩散系数主要取决于A.散射机制B.复合机制C杂质浓度梯度D.表面复合速度3 .有效的降低N

10、MOS晶体管的关态漏电流，可以采用下面哪种方法A.减小源漏之间的沟道长度B.降低器件阈值电压C提高衬底沟道区的掺杂浓度D.降低源漏区的掺杂浓度4 .硅PN结实验表明小注入时，理论计算的I比实验值小，其原因主要是理论计算忽略了A扩散区的产生电流B.势垒区的产生电流C.扩散区复合电流D.势垒区的复合电流5 .要有效的抑制双极型晶体管的基区宽度调制效应，可以采用下面哪种方法A.减小基区掺杂浓度B.增大基区掺杂浓度C.增大收集区掺杂浓度D.减小基区宽度二一个硅PNP型BJT的发射区，基区与收集区的掺杂浓度分别为1e19,5e17和1e15,Xe=1um,Xb=0.7um，其中un=450，up=90，

11、载流子扩散长度为20um，忽略发射结空间电荷区的复合效应，计算该BJT的发射结注入效率，基区输运系数以及晶体管电流放大倍数a和b.（20分）三.P衬底上制作的一个Al栅极MOS器件，tox=500A,Qss=1.5e11cm-2,假设fai（ms）=-0.85V,计算该器件零偏开启电压和VBS=2V下的阈值电压.（20分）四.对于MOS功率器件，通常采用什么方法增大其电流驱动能力？对于BJT功率器件，通常采用什么方法增大其电流驱动能力？并简要说明理由.（20分）五.一个有比电路（上拉网络是R=10k,下面接一个NMOS）W/L=4/1,un=500,VT=1V,Cox=1e-7,R=10K，V

12、dd=5V（1）Vin=0V，2.5V，5V时，求出分别对应的输出电压（2）欲使Vom=2.5V,如何调整R或者W/L的值？给出你的设计方案，并求出对应情况下的Vol,Voh.（20分）许老师的考题真诡异发信人:hellow（hui）,信区:Pretest标题:半导体器件-我刚刚重考过的发信站:自由空间（2001年06月01日18:43:19星期五）,站内信件这门课的特点就是公式狂多，你记不住:（被砍的人最多了，我是其中一员。刚刚重考过，所以就告诉大家考过了什么，因为和去年的没有区别，可能对大家的帮助比较大:)1 .p59,双极晶体管外加电压的正负特性2 .p60,图2-8，会多少有些变化，自

13、己注意了，加能带图3 .p80,e-m方程，这次没有考，不过很重要，呵呵4 .p82,叠加原理，考了3次，如果这次不考，说明你们点背5 .p82,互易关系，去年考了，今年没有考6 .p116,解释基区宽度调变效应，呵呵，有些难记，不过比着死悄悄，你知道应该选择什么啦,这节的公式记牢了:)接下来的晚点再说，有事情了发信人:hellow(hui),信区:Pretest标题:半导体器件(补充)发信站:自由空间(2001年06月02日12:28:49星期六),站内信件p153-156，计算f-t,h-fe,f-beta，如果有两道计算题，则肯定有这一道，主要公式是f-beta(p155,3-99),这

14、就牵涉到p156-p170关于传输时间的计算，我看得不士很懂，感觉理论性太强了:(p192，最高震荡频率，此概念连着2年都考了。p221，埋沟的概念和解解，96，97，此次重考都出了，我不明白有什么重要的，不过还是记了一下。p223，mos系统的能带图，如果此章出画图题，非这个莫属，包括一些变形:Pp222-224，关于一些电压的计算，不确定会是那个，但是公式是相同的。p224-234，阈电压的计算，本章的计算只可能出这一个，而且老师也喜欢这个。p235，萨方程，不得不说，它太重要了，可能要你推导的说/pukeblood。p255，几个跨导的计算，强调了好多次，可惜每次都没有考，不知你们的运气

15、如何。p258,V-a的计算，还有p119(2-312)计算V-a。刚才有人说zl可能要变题了，我认为不可能，因为教材完全没有改变，只不过你们的封面好看了一些，这些点希望没有时间复习的ddmm们切记，并且演算几个题目，我不能给你保证说你肯定能过，起码死的不会很抽象。祝大家推研顺利！发信人:ogre(营养饼),信区:Pretest标题:v6晶体管！发信站:FreeE&E(ThuJun1712:49:351999),转信考虑到v6同学的心情，抓紧时间贴出此文：我们的晶体管是张莉讲课，曹老出题，现在，将我们当年的一些试题贴在下面。由于时间已久，有点忘了，也记不清是期中题还是期末的题了，以下内

16、容仅供参考。1画出PNP管在饱和区、正向工作区、反向工作区的能级图和载流子分布图。注意，是PNP管，书上是NPN管。2 晶体管原理（中）的“第三章”（小信号模型及开关特性）中有一道大证明题，好象是推导双极管的关断时间和开启时间。（中册6877页）3 MOS元件有一道计算题，完全是套用公式，比较简单。（MOS是不是不考）4 画小信号等效电路，并求各电容、各时间（tao_.），跟一道作业题很象。5 双级元件的击穿，主要考原理说明。6 求B（bei_ta），比较简单，直接套公式。7 一些小题，主要考对基础概念的理解和记忆。能记住的就只有这么多了，不知对大家有没有帮助。着门课总的感觉是着重考基础内容，复习时不要太偏。（可以参考我很久以前在此版发的文章）发信人:wizard（冰儿）,信区:Pretest标题:v6晶体管试题发信站:FreeE&E（SunJun