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1、 第五章 结型场效应晶体管5-1 硅N沟道JFET具有图5-1a的结构以及以下参数：，和，计算：（a）自建电势，（b）夹断电压 ，（c）电导G以及（d）在栅极和漏极为零偏压时实际的沟道电导。 解： (a) （b） (c) () (d) ()5-2 试推导N沟道JEFT的电流与电压、关系。它的截止面为2a2a，为所包围，器件长度为L。2a2a 解： = 5-3.解： G2SD = 5-4 计算并画出在25、150和-50G时习题5-1中JFET的转移特性。采用第一章给出的电子迁移率数据。栅电压的增量采用0.5V 。解：转移特性 ，由此得下表：其中，n、u为查表所得Tu cm/v.sn cm 在T

2、= 25G时，有0-0.5-1-1.5-24.462.571.260.440.05 在T= 150G时，有0-0.5-1-1.5-22.431.470.790.390.08 在T= -50G时，有0-0.5-1-1.5-29.695.953.291.490.42由此可得近似的图形为：5-5 （a）计算并绘出在25G时习题5-1中JFET的小讯号饱和跨导。 （b）若=50时，重复（a）. 解： 其中， 由此可得下表： （v）00.511.522.53（m）4.32 3.062.041.160.371.16 （m）3.552.651.851.090.361.09 由此画得草图如下：105-6 (a

3、) 估算习题5-1中JFET的截止频率。 (b) 若L=2um，重复（a）。 (c) 若采用N型GaAs，重复（b） 解：a) 由 ，即 可得 b） c) GaAs: ， 5-7 计算在和时，习题5-1中JFET的漏极电阻。 解：当时， ，由于 ， 取 ，则 ， 取 ，则 ，( k)5.8下图为结型场效应晶体管的低频小信号等效电路图，其中RS为源极电阻。证明：由于RS的存在，晶体管的跨导变成式中为忽略RS时的跨导。G+S_SRsDIDS解：有RS存在时，由回路可知 （2分） 即 所以 即 。 5-9一个N沟增强型GaAs MESFET在T=300K时，假设。N沟道掺杂浓度。计算沟道厚度a。解：由 有

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