第四节晶体三极管

1、第四节第四节 晶体三极管晶体三极管 的伏安特性曲线的伏安特性曲线 晶体三极管的理论伏安特性曲线，可以根据埃伯尔斯莫尔方程直接画出来。 理论伏安特性曲线： 是不考虑中性区所固有的体电阻、制造工艺上的离散性以及其它的寄生影响等因素。 如果考虑到这些影响，则实际的伏安特性曲线将偏离理论伏安特性曲线。一般都采用实验方法逐点描绘出来或用晶体三极管测试仪直接侧得。双口网络V1I2I1V2共基极VEBICIEVCBCEB共发射极共集电极VBCIEIBVBCEBCVCEICIBVBEBCE 以共发射极为例： 根据电路可知： 有四个变量 IB 、VBE 、IC 、VCE 输入特性曲线族 CEVBEEBVfI）（

2、1 输出特性曲线族 BICEECVfI）（2或 BEVCEECVfI）（2VCEICIBVBEECB 在某些应用场合下，还需要其它形式的特性曲线，这些特性曲线都可以从上述的输入和输出特性曲线转换得到。 例如：转移特性曲线族 CEVBECVfI）（电流放大特性曲线族 CEVBCIfI）（一、输入特性曲线族：一、输入特性曲线族：实际测量得到的输入特性曲线族。 0IEBO +ICBOV(BR)BEOIB /AVCE = 10VVCE = 0.3VVCE = 00.70.60.5VBE /V0.8基区宽度调制效应： WBVCEWBOIBNPNWBO 二、输出特性曲线族：二、输出特性曲线族：实际测量得到

3、的输出特性曲线族。 放放大大区区击击穿穿区区饱和区饱和区截止区截止区IC /mAIB=-ICBO(IE=0)V(BR)CBOV(BR)CEOIC=ICBOIC=ICEOVCE/V10AIB=040A30A20A 根据外加电压大小的不同，整个曲线族可划分为四个区，即放大区、截止区、饱和区、击穿区。1、放大区： 晶体三极管工作在放大模式，即 发射结正偏，集电结反偏。 IC 与 IB 之间满足直流传输方程，即 CEOBCIII 特点： （1）、若设 为常数，当 IB 等量增加时，输出特性曲线也将等间隔的平行上移。由于基区宽度调制效应，当VCE 增大时，基区复合减小，导致 和相应的 略有增大。 Ecn

4、II11因此，每一条以 IB 为参变量的曲线都随VCE 增大而略有上翘。（2）、若取VBE 为参变量，作特性曲线 IC VBE4VBE3VBE2VBE1VCE0AVA VA 称为厄尔利电压，其值的大小可用来表示输出特性曲线得上翘程度。 VA 越大，上翘程度就越小。考虑厄尔利电压的影响，则TBEVVSCeII应该加以修正为 ）（ACEVVSCVVeIITBE10VCEIC IC IC2IC1 2、截止区： 晶体三极管工作在截止模式，即 发射结反偏，集电结反偏。 从输出特性曲线上看，工程上，可规定 IB = 0 （相应地 IC = ICEO ）以下的区域称为截止区。 特点： （1）、VCE 很大，

5、其值接近偏置电压。（2）、 严格的说，截止区应该是 IE = 0 以下的区域。 当 IE = 0 时 IC = ICBO ，IB = - ICBO 3、饱和区： 晶体三极管工作在饱和模式，即 发射结正偏，集电结正偏。 特点： （1）、VCE 很小，其值小于0.3V。（仅适合小功率管） （2）、IC 与 IB 之间不满足直流传输方程，并且有IC V(BR)CEO 当基极开路，即 IB = 0 ，IC = ICBO 时 ，击穿电压为V(BR)CEO 。当 IE = 0 ，即IC = ICBO ，IB = - ICBO 时，击穿电压最大用 V(BR)CBO表示。 三、极限参数：三、极限参数： PCM VCE0V