Channel5_Fast数据采集简要流程

1、Channels数据采集简要流程(Fast)(注：本流程是Fast的基本操作过程，详细参数设置请参阅相关说明书)一.数据采集前的准备1 .插入HASP(狗)2 .获得SE像(1)将样品装夹后，放入SEM样品室，达到真空度(高真空或所设定的低真空范围)；(2)设置SEM成像参数：HV=20-30kV、Spot:6-7(FEIQuanta200)(Fast采集数据需要的信号一般比较强)、TiltCorrection：70，WD=13-26mm等。(工作距离越小越好，但不能太小，防止样品台撞到探头，样品及样品台的最高位置，不能超过10mm位置线。样品尺寸不要超过30mm)(3)选择EBSD测试的样品

2、扫描区域，使样品分析区域处于电子束光轴下方。(视野看到样品，保证样品位于电子束光轴之下，防止探头被撞。)4.EBSD探头进入(1)打开EBSD控制器(ControlBox)。(2)解锁控制手柄：按下手柄上的“Stop®(3)进入EBSD探头：长按控制手柄上的“IN键3sec,EBSD探头自动伸入样品室内；当探头进入到DD=110mm时，自动停止。继续长按3sec“IN®,使探头继续进入，直到在工程师校准数据文件规定的位置上自动停止，也可点击“In®,使EBSD探头以0.1mm的步进逐点进入。注意1】：工程师已设定的DD=166.6mm。(康伟说已校正为167.6m

3、m)注意2：应用EBSD原位拉伸台时，选DD=157.9mm。注意3:进入EBSD探头时，应打开SEM的CCD,实施监测探头位置。5.进入“HklFastAcquasition软件（快速标定：300个点）双击“HkFastAcquisition"，进入Pattern采集软件选择“onlineacquisition,选择onlineacquisition选项，,点击“OK。Simulation选项只用作脱机处理或演示。如下图所示：二.Pattern标定参数的设置1. 扣除背底（低倍快扫），进入EBSP模块：（1） 点击“ViewEBSPlive,unprocessed.采集背底。（2）

4、 选择采集Pattern的参数：“Binning:"常选择2>2或4X4"Ga"'常选择high（增益，是把噪音和信号同时增大，一般选4-5）一Integration（相当于exposure一般选4-5,太大影响速度）:先调节binning和gain到合适数值，然后被动选择“Integration,上股不大于10,如果调到10仍然背景不明显，需要调大SEM入射电子束流（Spot:增力口至I6或7）,得到合适亮度的背底，即出现光晕，而不出现Pattern,一"BackgroundFrame”一般选32。“FramAverage_般选择3。数值

5、越大，扫描速度会明显的降低。“UsDynamicStretch”可选。运用动态扣背底，速度会有降低。-自动扣除背底采用低放大倍数（保证样品充满视野）和快速扫描模式“Houghiesolution上股选择50-60,“Band金属一月选择4-6。一Backgroundcorrection保持不变。（3） 点击“collectstaticbackground”图标，完成背底扣除。选择Usedynamicstretch,即扣除动态背底（每个点的补偿值），如图所示:。/,*1>rINIjOinjQiHr2 .校准数据进入“EBSPEBSPanalysissettingsloadcalfile模块

6、，选择接近校正过的参数。单价硅标样的校正参数保存在C:CHANNEL5Calibrationloadcalibration中。可将其它样品的校正参数保存在C:CHANNEL5Calibrationsavecalibration中。SCi=|Eand.i-=to&-3 .选择标定物相进入“phas板块，进入“phaseaddphase选择所要标定的物相tselect4.采集电子图像(SE像或BSE像)hMwaMi知修倒外HMJiWfriMFd'>(1)将SEM切换到合适的放大倍数，注意：此时不应再改变样品台的位置。(2)在“SEM真块。(高倍慢扫)点击“startfullv

7、ision中，采集一幅SE图像，做为EBSD点扫描或面扫描定位用。可采集两种图像，SE模式或者BSE模式。(3)点击“sem/stageparametersead"，电子图像的放大倍数和标尺将显示在图像中。4 4)BSE像的调整(a)先调整好SE像。（b）主放大器“BACKSCATTER的参数设置：打开“BACKSCATTER后面板上的主放开关选择主放大器的“Mod劭”RECOED 选择主放大器的“Gai的“殁“3” 选择主放大器的亮度和对比度：Contrast（对比度）置中（一圈满量程）；Brightness亮度中间偏小（10圈满量程） 晶片的选择：晶片“抑“2:”晶体学取向衬度：

8、WD可稍远，即离晶片较近晶片“抑“4:”原子序数衬度（成份衬度）。晶片共有3个状态：午“绿灯、关”和-“红灯，一般采用-"。使用晶片“的”21关闭“争口”4：反之亦然。也可采用单个晶片。（c）图像采集软件参数设置：“Imaged:选择“Channel1”“Ave中：Pixel选择“-4”（数值小，扫描速度快）；Line选择“2”（数值小，扫描速度快）。观察到图像后，增加Pixel和Line值，如Pixel:8-12,Line：4,记录图像。骷意:图像中出现条纹，表明Pixel和Line匹配不好。5. 标定菊池带（1） 在“SEMW块中，选择“toggleSEMspomode,在“so

9、lution窗'已立即显示点模式移动电子束条件下单个花样的标定结果（phase,MAD,orientation）0（2） 优化Pattern标定参数：在“solution块中，点击“refineselectsolution,使MAD值减小,得到优质花样。在EBSPsetting”中，增力口Frameaverage”的Frame数，可提高Pattern质量,但增加了花样采集时间。（3）重复过程（1）（2）,使MAD值减小，直到MAD减小到均小于1（最好均小于0.5）,得到优质花样及标定率。三.Map的自动采集设置：进入“projec暇块，进行面扫描1 .进入“projec瞠'块，

10、点击"definegridjob建立一个任务。2 .设置采集参数：positionX,positionYstepsize等。注意：此时不得改变“Binning/"Gai号口“integration。”3 .采集Map：点击“ruqueuedEBSDjob最小化"FAS1W口，可加快花样采集速度。同时在“result觉块里可实时显示扫描的EBSP结果。四.退出EBSD探头采集数据结束后务必先退出EBSD探头。按“Stop®解锁手柄，继续长按3sec“OU1a,使探头退出五、其它：1 .获得ODF数据：在桌面“ProjectManage中，打开“Subjec

11、tProperty选择宏观对称性:选择正交：得到0-90%勺数据选择三斜：得到0-180%勺数据2 .相机一样品距离（DD）的测试：DetectorDist的值必0,为D-D的距离（在？页面中）Channel5数据采集常见问题（FAQ）1 .打开“FlamencdH,在加载硬件及连接时出现错误"failedtoinitializeCameracontrol?”可能的原因:没有打开控制器“controlbox,或者没有检测到控制器连接。解决的方法:打开控制器电源，重新启动“Flamenco”如果控制器已经打开，请先将探头缩回零位，关闭控制器电源，再重新依次打开控制器和软件。2 .样品已

12、经出现在电镜视野里，"Binning”Gain选项设置也合适，但是增加“Timeperframe到很大（几百以上）也看不到背底的光晕？可能的原因:探头没有伸入到工作位置，工作距离太大或者电镜束流不够大。解决的方法:需要提高束斑尺寸，或者换用更大的光阑。3 .能够看到背底，但是看上去有些直边光影，而不是圆形的光晕？可能的原因:电镜样品室内部的可见光源CCD没有关闭，EBSD工作时必须关闭。解决的方法:关闭CCD。4 .能够看到背底光晕，但是背底一直在闪烁或者总有全黑的背景周期出现？可能的原因:电镜放大倍数较低，样品没有充满整个视野。解决方法:增加放大倍数可以使背底稳定性明显改善。5 .

13、束流条件合适，但是背底不明显，增大“Timeperframe值到很大（如100-1000）才能看到一些竖条纹或含暗点的灰度图像？可能的原因:上次采集的背底没有消除，即“InSoftwareimageenhancement'选项在观察本底时还处于选中状态。解决的方法:单击去掉勾选“I-nSoftwareimageenhancements何。6点模式采集花样，花样质量很清晰，但是在“Detecbands”步骤时没有选中任何菊池带？可能的原因:查看“EBSFGeomerty”窗口中红色方框(fieldofview)和绿色圆圈(areaofinterest)位置，这时绿色圆圈可能已经缩小到边角。解决的方法:恢复默认条件下的红色方框和绿色圆圈最大化即可。7点模式采集花样，花样质量很清晰，"Detecbands”步骤也选中了合适的菊池带，但在在“inde蟠骤中无法标定出结果，或者每个点标定偏差都很大(MAD值很高)？可能的原因:相结构不符，或者标定校准文件选择不对，尤其是工作距离WD不符。解决的方法:重新选择物相，或者重新选择校准文件。8.提高Patte