极管三极管场效应管试题

1、、填空（40分）1、纯净的半导体称为半导体器件测试题,它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少量的价元素，可形成P型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为,少数载流子为2 、如图，这是材料的二极管的曲线，在正向电压超过后，二极管开始导通，这个电压称为电压。正常导通后，此管的正向压降约。当反向电压增大到电压。其中V 时，V(v)即称为稳压管一般工作在区。3、二极管的重要特性是，具体指：给二极管加电压，二极管导通;给二极管加电压，二极管截止。4、二极管的主要参数有5、晶体三极管是控制器件。三极管按材料分为两种类型,而每一种又有两种结构形式。6、三极管有放大作用的外部条件是发射结，集电结。工作在饱和区

2、时发射结偏；集电结偏。7、三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作于时，lc=0 ;当三极管工作于区时，关系式Ic= B I b才成立;当三极管工作在区时Vce 0。8、三极管的电流分配关系是9、场效应管是利用电压来控制电流大小的半导体器件。10、场效应管的转移特性曲线是指在一定的下，之间的关系。场应管的输出特性曲线划分为三个区。二、判断题（14分）1、（）将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。2 、（ ） P 型半导体带正电， N 型半导体带负电。3、 （）硅的导通电压为，锗的导通电压为。4、（）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。5、（）二极管只要加上

3、了正向电压，就一定能导通。6、 （）三极管的中ICEO的值体现了温度稳定性，越大说明三极管热稳定性越高7、（）对于三极管来说，只要发射结正偏集电结反偏就工作在放大状态。8、（）三极管可以用两个二极管来替代。9、（）三极管有放大作用，把基极能量放大成集电极电流输出。10、（）硅三极管比锗三极管稳定。11、（）场效应管是电流控制型器件。12、（）结型场效应管可分为增强型与耗尽型两种。13、 （）场效应管的跨导反映了厶V对厶I 的控制能力。GSD14、（）开启电压 Vt是耗尽型场效应管和重要参数。三、选择题（26分）1、半导体的导电能力（）。A.与导体相同B.与绝缘体相同C.介乎导体和绝缘体之间2、

4、 当温度升高时，半导体的导电能力将（）。A.增强 B . 减弱C.不变3、P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（）A.带正电B.带负电 C.不带电4、将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将（）。A.变宽B.变窄C.不变5、电路如图所示，所有二极管均为理想元件，则 导通，1D、D 截止23D1、D2、D3的工作状态为（）。 截止，D导通31、D3截止，D2导通1、D2、D3均截止D13V0V -+6VD2A.增大B.不变C.减小7、 测得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为 型锗管 型锗管 型硅管 型硅管8、 工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）A.发射结正偏，

5、集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结、集电结均反偏D.发射结、集电结均正偏9、某效应管的符号如图所示，则该场效应管应为（）。沟道耗尽型沟道增强型沟道增强型0V、和，则该管为（）10、某场效应管的转移特性如图所示，则此场效应管为（）A.绝缘栅N沟道耗尽型 B.绝缘栅P沟道耗尽型 C.绝缘栅N沟道增强型常数UGS /V11、在焊接场效应管时，电烙铁需要有外接地线或先断电后再快速焊接，其原因是（）A.防止过热烧坏B.防止栅极感应电压过高而造成击穿C.防止漏、源极间造成短路12、晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，A.增大，和I CBO减小UBEB.C.和U减小，1增大D.BECBO晶体管的，I CBO， Ube的变化情况和 增大， 减小I CBOBE，I ， U都增大CBO BE四、分析计算题（22分）1、如图，V1、V2为理想二极管。分析V1V2状态 求Vab（ 5分）12V1KV2j 6V2、图中，V为硅二极管。求S分别与B接通时V的状态和Vmn的值（5分）10ViovAT1、3、判断图示三极管的工作状态。（6 分）5V2V(a) 0V3V(b)3V(d)4