郝子龙低表面掺杂浓度高效晶体硅太阳电池研究

1、EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.低表面掺杂浓度高效低表面掺杂浓度高效晶体硅太阳电池研究晶体硅太阳电池研究 报告人：宋佳报告人：宋佳日日 期：期： EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Changzhou

2、 EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.主要内容Q 为什么选用低表面浓度为什么选用低表面浓度Q 如何实现低表面浓度的优势如何实现低表面浓度的优势Q 低表面浓度电池的性能测试低表面浓度电池的性能测试EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.1.1.表面掺杂量与少子寿命的关系表面掺杂量与少子寿命的关系随着表面掺杂浓度的增大，随着表面掺杂浓度的增大，少子复合损失增多，少子少子复合损失增多，少子寿命迅速下降。寿命迅速下降

3、。EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.此图为载流子收集几率和产生几率此图为载流子收集几率和产生几率与电池片位置的关系，结深越浅，与电池片位置的关系，结深越浅，短波光电转换效率越高。短波光电转换效率越高。2.2.结深与短波光电转换的关系结深与短波光电转换的关系EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.此

4、图为光吸收此图为光吸收71%时，时，最大的死层厚度与截最大的死层厚度与截止波长的关系，当死止波长的关系，当死层厚度越小，短波端层厚度越小，短波端截止波长越短，所以截止波长越短，所以浅结可以展宽短波段浅结可以展宽短波段的光谱效应。的光谱效应。3.3.结深与死层的关系结深与死层的关系EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Phot

5、ovoltaic Technology Co.,Ltd.EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 验证（验证（44根细栅，线宽根细栅，线宽100m）目标方阻目标方阻实际方阻实际方阻3541414241414141424040454849494849484949484855575958585758605957586565666664646568656464EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Ch

6、angzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.A组组PmppUocIscRsFFNcell352.667 0.6255.5260.00577.220.1723 452.705 0.6275.5760.00577.360.1747 552.693 0.6305.6360.00775.850.1739 652.686 0.6315.7020.00874.660.1735 EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Lt

7、d. 改进改进（54根细栅，线宽根细栅，线宽90m ）54线网版细栅宽度：大约线网版细栅宽度：大约90um44线网版细栅宽度：大约线网版细栅宽度：大约100um理论上两种网版遮光面积相差：理论上两种网版遮光面积相差：（54*90um-44*100um）*123mm=56.58mm2实际上两种网版遮光面积相差：实际上两种网版遮光面积相差：（54*100um-44*110um）*123mm=68.88mm2实际遮光面积差占整个面积的实际遮光面积差占整个面积的0.445%，对电流具有一定的影响。，对电流具有一定的影响。EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科

8、技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.目标方阻目标方阻实际方阻实际方阻3538353436353638353637454546454344454646474455535251535454555555566563646160636263666361EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.B组组PmppUocIscRsFFNcell352.701 0.6255.538 0.00478.

9、050.1745 452.711 0.6285.591 0.00477.210.1751 552.738 0.6315.652 0.00576.780.1769 652.760 0.6335.715 0.00776.280.1782 EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.

10、,Ltd. 小小 结结方阻越高，需要越密的栅线与之配合，才能发挥方阻越高，需要越密的栅线与之配合，才能发挥出高方阻低表面浓度的优势，这其中有两个难点出高方阻低表面浓度的优势，这其中有两个难点，其一是高方阻均匀性的控制，其二是银浆的选，其一是高方阻均匀性的控制，其二是银浆的选择，需要综合考虑银浆的导电特性、粘度等，使择，需要综合考虑银浆的导电特性、粘度等，使之适合密栅高方阻的印刷烧结。之适合密栅高方阻的印刷烧结。EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd

11、. 量子效率量子效率65方阻方阻45方阻方阻EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 电致发光（电致发光（Electroluminescence）方块电阻方块电阻65/ 方块电阻方块电阻35/ 方块电阻方块电阻45/ 方块电阻方块电阻55/ EGING PV FOR THE WORLD常州常州亿晶光电亿晶光电科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 结论：结论： 配合密栅网版，高方阻电池的电性能有更高的潜力。配合密栅网版，高方阻电池的电性能有更高的潜力。 通过实验，通过实验，6565欧方阻与欧方阻与5454线网版较匹配，线网版较匹配，4545欧方阻与欧方阻与4