DISCO公司产品系列介绍

1、Company Document number ： WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998DISCO公司产品介绍一：自动切割机什度是自动切割机？是指被加工物的安装及卸载作业均采用手动方式进行，只有加工工序实施自动化操作的切割机。在有些机型上 也可实施自动化位羞校准作业。但在机器内部没有配置清洗、乾燥装置.位置校准切割操作人员以手动方式将被 加工物安装到工作找上。操作人员只要按下开始按钮，机 台就可在位歪校准工序识别出的 切割道进行切割加工。3000系列的设备可自动实施位置校准作 业。300系列和500系列的设备，由操 作人员使用显微镜进行切割位霞对准作业。300 系列 -

2、Automatic Dicing Saw300系列切割机/切断机，利用人工方式完成加工物的安装调整及识别切割位餐的校准作业，并且在设计上力 求节省占地空间，使该机型的外形结构显得简洁精巧。另外，为了满足各种加工要求，在最大加工物尺寸和加工精度等方面，均拥有种类丰富的产品群。For 6f, frameDAD321DAD322【一目fliPSF 烟DAC351/DAD361设备概要适用6”加工物的自动切 割机DAD321的改良机型，羟 能更高追求高精度的切断机和自 动切割机最大加工物尺寸160 X 1606"(边长6"方形户DAC351： 153 X 153DAD361： 16

3、0 X160适用框架2-6-1DAC351：-DAD361： 2-5, 2-6X轴可切割范围 (mm)192160192进刀速度有效 范围(mm/s)-300-500-300丫轴可切割范围 (mm)162最小步进量 (mm)定位精度 (mm)以内/160 (单一误差) 以内/5以内/160 (单一误差) 以内/5光学尺最小分 辨率(mm)-Z轴有效行程 (mm)(2”切割刀片)(2”切割刀片)(2”切割刀片)辰小移动量 (mm)重复定位精度 (mm)可使用的最大581(使用kw的主轴时)e轴最大旋转角度 (deg)380320DAC351：DAD361： 380主轴额定功率 (kw)at 30

4、,000 min-1额定力矩 (Nm)转速范围(mirr1)3,000 - 40,000设备尺寸(WxDxH) (mm)500 x 1,050 x 1,455500 X 900 X 1,600500 x lr050 X 1,455设备重量(kg)约500约420(无变压器)约470(有变压器)约550*1另外需要专用夹具。For 8” fram欠DAD381设备概要可对应最大300 mm方形加工物的自动切割机最大加工物尺寸X适用框架2-8-1X轴可切割范围(mm)394进刀速度有效范围 (mm/s)-400丫轴可切割范围(mm)310最小步进量(mm)定位精度(mm)以内/310 (单一误差)

5、 以内/5光学尺最小分辨率(mm)Z轴有效行程(mm)(2”切割刀片)最小移动量(mm)重复定位精度(mm)可使用的最大切割刀片直 径(mm)8轴最大旋转角度(deg.)380主轴额定功率(kw)at 60,000 min-1额定力矩(Nm)转速范围(minn)6,000 - 60,000设备尺寸(WxDxH) (mm)lz028 x 1,550 X 1,235设备重量(kg)约 1,200*为了改进设备.本公司可能在没有预先通知客户的情况下,就对本规格实施变更.因此请仔细确认规格彳合.再发出订单。3000 系列-Automatic Dicing Saw3000系列自动切割机以人工方式进行加工

6、物的安装调整及卸货作业，只有切割加工作业以自动方式进行。另 外，由於采用了自动校准功能及LCD触摸式液晶显示萤幕，操作便利性得以提高。DAD3220 ：该机型在外形尺寸上追求小型化，与本公司的旧机型(DAD321)相比较减少了大约14%的占地 面积。DAD3230 ：该机型在整体布局上预留了空间，具有优越的可扩展性(适应特殊用途)DAD3430 ：在DAD3230的基础上开发出的能够进行高精度加工的机型，X轴上采用了气动滑轨。DAD3350 ：标准配置了输出功率为的主轴，并采用高刚性门式结构，可有效地提高加工点的稳定性cDAD3220DAD3230DAD3430最大加工物尺寸6"(6

7、"方形户6”方形”220 x 160 mm*2适用框架2-6-1X轴可切割范围 (mm)160220进刀速度有效 范围(mm/s)-500-300丫轴可切割范围 (mm)162最小步进量 (mm)定位精度 (mm)以内/160(单一误差)以内/5以内/160(单一误差) 以内/5Z轴有效行程 (mm)(2”切割刀片)最小移动量 (mm)重复定位精度 (mm)可使用的最大 切割刀片直径 (mm)58 (使用kW的主轴时)e轴最大旋转角度 (deg)320主轴额定功率 (kW)kW: at 30z000 mirr1额定力矩 (Nm)kW:转速范围(mhr1)kW: 3,000 - 40,

8、000设备尺寸(WxDxH) (mm)500 x 900 X 1,670730 X 900 X 1,670设备重量(kg)约550(无变压错)约600(有变压器)约600(无变压器)约650(有变压器)*1另外需要专用的治具。*2在一部分的机型上对0轴旋转角度有限制DAD3350 骐目障所组*搭教入廿:/卜'儿kWkW最大加工物尺寸8 °250 mm角七适用檐架2-8-1X轴可切割范围 (mm)260进刀速度有效 范围(mm/s)-600丫轴可切割范围 (mm)260最小步进量 (mm)定位精度 (mm)以内/260(单一误差)以内/5Z轴有效行程 (mm)最小移动量 (mm

9、)重复定位精度 (mm)可使用的最大 切割刀片直径 (mm)58127。轴最大旋转角度 (deg)380主轴额定功率 (kW)at 60,000 min-1at 30,000 mirr1额定力矩 (Nm)转速范圉(mirr6,000 - 60,0003,000 - 30,000设备尺寸(WxDxH) (mm)900 x 1,050 x lr800设备重量(kg)约1,200(无变压器)约1,268(有变压器)*1另外需要专用的治具。*2在一部分的机型上对0轴旋转角度有限制500 系列-Automatic Dicing Saw500系列是利用人工方式完成加工物的安装调整及识别切割位装校准作业的切

10、割机/切断机。另外，由於在设 计上彻底追求自动切割机所特有的简易操作性，该系列在许多领域都得到了广泛的应用,DAD522DAC552DAD562设备概要适用6”加工物的自动切割|追求高精度的切断追求高精度的自动切割机机机最大加工物尺寸220 X 160适用框架25 2-6一2-5, 2-6X 轴可切割范围(mm)220进刀速度有效范围 (mm/s) 移动方式-300直线导轨-100气动导轨-300气动导轨Y 轴可切割范围(mm)160最小步进量(mm)定位精度(mm)以内/160 (单一误差) 以内/5以内/160(单一误差) 以内/5以内/160 (单一误差) 以内/5光学尺最小分辨率(mm

11、)-移动方式直线导轨直线导轨直线导轨Z 轴有效行程 (mm)(2"切割刀片)最小移动量 (mm)重复定位精度 (mm)5可使用的最大切割刀片直 径(mm)9 轴最大旋转角度 (deg)380-380主轴额定功率 (kW)at 30,000 mirT1额定力矩 (Nm)转速范围 (min-1)3,000 - 40,000设备尺寸(WxDxH) (mm)760 x 850 x 1,510设备重量 (kg)约670“为了改进设备.本公司可能在没有预先通知客户的情况下.就对本规格实施变更.因此请仔细确认规格彳合,再发出 订单0二：全自动切割机什麽是切割机是指利用在高速旋转的主轴前端部安装超薄

12、的外圆刀刃之切割刀片，就可以对被加工物进行切割或开槽的设 备。什麽是全自动切割机从装片、位置校准、切割、清洗/乾燥、到卸片为止的一系列工序，可全部实现自动化操作的切割机。装片位置校准切割清洗/乾燥卸片从晶片盒中取出被 加工物，搬运到工 作盘上。校正设定位置的 偏差，并检测出 加工位置。经过位装校准功能 识别出的切割道进 行切割加工。同时在旋转中之 被加工物上，利 用喷射纯水对其 表面进行清洗， 然彳爰使用压缩空 气进行乾燥。在完成清洗/乾燥 工序之彳机将被加 工物装600系列(并列式双主轴)-Automatic Dicing SawDFD600系列全自动切割机，实现了从加工物搬运、校准、切割加

13、工到清洗/乾燥的全自动化操作。由於在DFD651、DFD691上采用了 2根主轴并列配囊的并列式结构，所以能够运用双主轴加工应用技术(包括阶梯切割、斜角切割及双刀切割)进行切割加工C另外，除了矽晶片的切割加工以外，还可在陶瓷切割加工及半导体封装元件基板加工(分割)等领域得到广泛的 用°什麽是并列式双主轴是指2根主轴相互平行配置的切割机。由於可进行双主轴加工，所以能提高生产效率。什麽是双主轴加工应用技术双刀切割阶梯式切割斜面切割适用框架2-6, 2-8210-450210采用2根主轴同时加工2条切割 道的方法。可提高生产效率。先使用Z1主轴切割刀片对被加工 物进行开槽，再使用较薄的Z2

14、轴 切割刀片进行完全切割c由於分2 步实施切割加工，所以能有效地 抑制背面崩裂的产生。先使用Z1主轴V字形刀刃的切割 刀片进行开槽加工，再使用Z2轴 切割刀片进行完全切割。由於可同 时对晶片进行切割及倒角加工，所 以能够提高晶片的强度。DFD641 / DFD651 DFD681 / DFD691最大加工物尺寸可切割范围(mm)进刀速度有效 范围(mm/s)可切割范围(mm)最小步进量(mm)定位精度 (mm)光学尺根小分 辨率(mm)y轴 (DFD651Z691 )有效行程 (mm)定位精度 (mm)光学尺最小分 辨率(mm)Z1-Z2 轴有效行程 (mm)最小移动量 (mm)重复定位精度

15、(mm)可使用的最大 切割刀片直径 (mm)6轴最大旋转角度 (deg)主轴额定功率 (kW)额定力矩 (Nm)转速范围 (min-1)设备尺寸(WxDxH) (mm)设备重量 (kg)以内/210(单一误差)以内/526以内/26(使用2”切割刀片时)at 60,000 mirri6,000 - 60,000DFD641： 1485 x 1,168 x1,235DFD651： 1,350 X 1,168 X1,235DFD641：约 1,000DFD651：约 1,300380(使用3”切割刀片时)at 30,000 mirr13,000 - 30,000lz350 x 1,168 x 1,

16、235约 1,300685/695 (并列式双主轴自动切割机)系列- Automatic Dicing Saw采用真空方式将半导体封装基板吸附在根据基板形状设计的专用治具上，再已此治具作为工作盘方式切割半导体封装元件(Package Singulation)的切割机。还配重了可将分割接的边角废料搬运到切割机外面的特殊装置。虽然半导体封装基板的安装调整作业是以手动方式进行的：但识别切割位霞的位曜校准作业为自动化,另外,由於采用了 kW的机械式主轴，所以可适用於安装多刀切割刀片(选配项目)。DAD685DAD695最大加工物尺寸X轴可切割范围(mm) 进刀速度有效范围(mm/s)250 x 250

17、 mm250-600Y轴可切割范围(mm)最小步进量(mm)定位精度(mm)光学尺分辨率(mm)y轴(并列式双主轴机 型)有效行程(mm)定位精度(mm)光学尺分辨率(mm)Z1Z2 轴有效行程 (mm)最小移动量 (mm)重复定位精度 (mm)可使用的最大切割刀片直径 (mm)6轴最大旋转角度 (deg.)主轴额定功率 (kW)额定力矩 (Nm)转速范围 (min-1)设备尺寸(WxDxH)(mm)设备重量(kg)6000系列(对向式双)250以内/250(单一误差)以内/5kW空气轴承型：30kW机械轴承型：40kW空气轴承型：以内/30kW机械轴承型:以内/40kw空气轴承型：14 (

18、2”切割刀片时)kW机械轴承型：17 ( 3”切割刀片时)130at 40,000 min-1at 20,000 mim1kW空气轴承型：kW机械轴承型：1kW空气轴承型：3,000 - 40,000kW机械轴承型：3,000 - 20,000lz320 X 1,335 X 1,235约 1,200约 1,300-Fully Automatic Dicing Saw 6000系列设备，实现了从加工物撅运、校准、切割加工到清洗/乾燥的全自动化操作。另外还配置 新的功能,进一步实现了生产率的提高和成本的降低° 由於在DFD6340、DFD6361采用了 2根主轴对向配装的对向式双主轴结构

19、，在DFD6450采用 了 2根主轴并列配置的并列式双主轴结构，所以可运用特有的双主轴加工应用技术(包括阶梯切割、 斜角切割及双刀切割)进行切割加工。 另外，通过在DFD6450上安装复数的切割刀片，还可对半导体封装元件基板进行切割加工。采用 对向式双主轴结构(DFD6340, 6361) 采用并列式双主轴结构(DFD6450) 配当LCD触摸式液晶显示萤幕和图形化的用户操作介面GUI 采用刀片保护盖自动开闭装置和主轴止动装气 配羞加工条件监控装置，容易把握加工物的加工进度和设备的各种运行状态 在各主轴上安装了 NCS(非接触测高)(DFD6340, 6361)'选配项目 在切割部及清

20、洗部安装了水气双流体清洗装登“选配项目 配备节能功能节省占地面积什麽是对向式双主轴是指2根主轴在1条直线上相互面对面配歪的切割机c由於可进行双主轴加工，所以能提高生产效率。什麽是双主轴加工应用技术双刀切割阶梯式切割斜面切割采用2根主轴同时加工2条切割 道的方法。可提高生产效率。先使用Z1主轴切割刀片对被加工 物进行开槽，再使用较薄的Z2轴 切割刀片进行完全切割,由於分2 步实施切割加工，所以能有效地 抑制背面崩裂的产生。先使用Z1主轴V字形刀刃的切割 刀片进行开槽加工，再使用Z2轴 切割刀片进行完全切割口由於可同 时对晶片进行切割及倒角加工，所 以能够提高晶片的强度。对应对应8英寸的加工物DF

21、D6240僮5微倒郊DFD6340DFD6450 质酸F姬最大加工物尺寸8M适用框架2-8-1X轴可切割范围(mm)210250进刀速度有效范围 (mm/s)-600丫1轴 (DFD6240：Y 轴)可切割范围(mm)210250最小步进量(mm)定位精度(mm)以内/210(单一误差)以内/5以内/210(单一误差)以内/5以内/250(单一误差) 以内/5光学尺最小分辨率 (mm)丫2轴有效行程(mm)-30可切割范围(mm)-210-最小步进量(mm)一定位精度(mm)-以内/210(单一误差)(单一误差) 以内/30以内/5Z轴 (DFD6240)Z1Z2岫 (DFD6340, DFD

22、6450)有效行程 (mm)(2”切割刀片)(2"切割刀片)最小移动量 (mm)重复定位精度 (mm)可使用的最大切割 刀片直径(mm)58(使用规格为kw、kw的主轴时)60。轴最大旋转角度 (deg)380主轴额定功率 (kw)kW: at 60,000 mirT1 kW: at 60,000 mim1 kW: at 30,000 mim1kw：at 60,000 min-1 kW力矩加强型： at 40,000 min-1 kW空气轴承型： at 30,000 min-1 kW机械轴承型： at 20,000 mirn1额定力超 (Nm)kW: kW: kw：kw：kW力矩加强

23、型：kW空气轴承型：kW机械轴承型：转速范圉 (mirr1)kW： 6,000 - 60,000kw： 6,000 - 60,000kW： 3,000 - 30,000kw：6,000 - 60,000 kw力矩加强型：4,000 - 40,000 kW空气轴承型：3,000 - 30,000 kW机械轴承型：3,000 - 20,000设备尺寸(WxDxH) (mm)900 x 1,190 x1,800lr180 X 1,100 X 1,850lr120 X 1,500 X1,600设备重量 (kg)约1,200 (无变压 器)约1,280 (有变压 器)约1,600 (无变压器)约1,67

24、0 (有变压器)约1,400 (无变压器)约1,480 (有变压器)*为了改进设备.本公司可能在没有预先通知客户的情况下.就对本规格实施变更,因此请仔细确认规格彳叁,再 发出订单。对应300mm的加工物DFD6361最大加工物尺寸 最大适用檐架300 mm2-12不为了改进设备,本公司可能在没有预先通知客户的情况下.就对本规格实施变更,因此请仔细确认规格会.再 发出订单.三：雷射切割机7000系列7000 系列 - Fully Automatic Laser Saw7000系列，是能够完成从搬运工件、位置校准、雷射切割（全切割、开槽加工、内部改质加工）到清洗、乾燥 为止等一系列作业的全自动宙射

25、切割机。因为配置了 LCD触摸式液晶显示萤幕和GUI（图形化用户界面），使 操作变得更为便利，另外，还采用几乎不发生热变形的短脉冲击射技术，从而能够避免因过热对电路面产生的 不良影响：）1 ：雷射加工介绍：A:烧蚀加工将雷射能量於极短的时间内集中在微小区域，使固体蒸发的加工方法（适用於烧蚀试加工的技术）：1：2：3：解决方案1 ： Low-k膜开槽加工在高速电子元器件上逐步被采用的低介电常数（Low-k）膜及铜质材料，由於难以使用普通的金刚石切割刀 片进行切割加工，所以有时无法达到电子元件厂家所要求的加工标准，为此，迪思科公司的工程师开发了可解 决这种问题的加工应用技术°应用技术雷射

26、开槽加工制程先在切割道内割开2条细槽（开槽），然彼再使用切割刀片在2条细槽的中间区域进行全切割加工。利用采用该项加工制程，能够提高生产效率，减少甚至解决因崩裂、分层（薄膜剥离）等不良因素造成 的加工品质问题。Pi （n）窗射开槽加工 （阶梯式切割刀片切割）Omega（3）雷射开槽加工 （一次全切穿刀片切割）3a加工事例切割道断面照片Low-k层和金属线路的放大照片在n方式雷射开槽彳然 使用切割刀片 实施阶梯切割。只出现很微小的崩裂和薄膜剥落现象。设备追求加工精度和操作便利性由於在对应300mm晶片的全自动上采用了非发热加工方式即短脉冲雷射切割技术，去除切割道上的 Low-k膜及铜等金属布线，所

27、以能够在开槽加工过程中尽可能排除因发热所产生的影响c另外。在该设 备上还配当了 LCD触控式面板萤常和图形化用户界面（GUI）,使操作更为方便,DFL7160击射加工部位宙射切割加工品质将短脉冲雷射聚焦到晶片表面接进行照射。Low-k膜连续吸收亩射脉冲，当吸收到一定程度的热能 彼，Low-k膜会瞬间汽化。由於相互作用的原理，被汽化的物质会消耗掉晶片的热能，所以可以进行 热影响极少的加工。击射开槽加工制程熔敷、热影响清晰可见c （材 质：矽）熔敷、热影响稍微2:雷射全切割加工高撅率电子元件中使用的GaAs（碑化镣）等化合物半导体，在采用金刚石切割刀片进行切割（以下：刀片切 割）时，切割速度馒、难

28、以提高生产效率：，另外，在Sip（System in Package）等高集成化背景下，抗折强度高的薄片制造技术需求也浮出水面，然 而，刀片切割中，随着晶片由厚到薄，切割难度也越来越大。为解决这些问题，迪斯科着眼於宙射切割机的宙射头和光学系统优化系统，利用宙射，确立了全切割应用技 术。应用技术雷射全切割制程本制程，是在厚度200pm以下的薄型晶片上面（图案面），用宙射照射1次或多次，切入胶带，将晶 片全切割的切割方法。因为宙射全切割可以加快切割速度，所以可以提高生产效率。加工实例 GaAs化合物半导体的薄型晶片切割GaAs晶片因为材料脆，在切割时容易发生破裂或缺损，所以以往的刀片切割速度很难得

29、到提高。因 为亩射全切割工序可以将切割刀片的切割速度提高10倍以上，所以可以提高生产效率。（切割速度仅 为一例c实际操作时，因加工晶片不同会有所差异。）采用宙射全切割制程，加工接切割槽宽度小，与刀片相比切割槽损失少，可以减小晶粒间隔。对於小 型晶粒切割中，加工线条数会增加的化合物半导体晶片而言，通过实现减小晶粒间隔，1枚晶片可生 产的晶粒个数会得到相应提高c< GaAs 晶片 SEM Image >/GaAs加工时,要使用附加设备.用於除去气化As气体的装置。薄型化矽晶片的全切割加工伴随着晶片薄型化，切割时的崩裂或裂缝对晶粒强度也有很大影响C因此，需要有可以进一步抑制崩 裂现象的加

30、工方法，切割的难度也越来越大c另外，伴随着薄型化晶粒粘贴胶膜DAF（Die Attach File）使用的增加，对背面粘贴DAF的晶片，通过抑制毛边等现象进行高品质切割，也是一个重要的 课题。针对这些课题，迪思科确立了包括矽的薄型晶片切割解决方案在内的宙射全切割应用技术c宙射全切 割，利用宙射的高速加工，便UPH得以提高c另外，附有DAF的矽晶片，矽和DAF一起或单独切 割均可。矽晶片附DAF的矽晶片晶粒上面照片晶粒侧面照片其他雷射全切割加工实例背面附金属膜的矽晶片、Gap（磷化锡）晶片、InP（磷化钠）晶片、GaN（氮化钱）晶片、Ge（褚）晶片等。设备本产品为，将Low-k膜开槽加工中获得广

31、泛好评，可对应q）300mm晶片的全自动亩射切割机的宙射头 和光学系统再次优化彳发，用於宙射全切割的装置C3:DBG + DAF雷射切割”制程利用研磨来分割晶片，故能够降低背面崩裂，并能因此提高晶片抗折强度。另外，因为是在研磨结束 阶段分割成晶粒，所以有望在加工薄形晶片时戒小晶片破搅的风险。今接如能在这种DBG制程中采用DAF(Die Attach Film)、的话，也有可能在SiP(System in Package)等薄型晶片积层的封装制造方面全面 采用DBG制程。在DBG制程中采用DAF时，需要在分割成晶粒的晶片的背面贴上DAF,并再次将DAF单独切割。这次我 们向大家介绍利用宙射全切割

32、进行这种DAF切割的应用技术。- 1 DBG (Dicing Before Grinding):这种技术将传统的''背面研磨一晶片切断的制程倒过来， 先将晶片半切割，然彳发利用背面研磨进行晶片分割。- 2 DAF (Die Attach Film):这是一种薄膜状的接合材料，用於薄型晶片积层等。应用技术在DBG加工彳发，用刀片来切割DAF时，目前以下几个方面的课题有待解决。<DBG制程中利用刀片切割DAF时的课题- 晶粒的整列性粘贴切割胶带、剥离表面保护胶带时，有时会出现晶粒错位(切割槽偏移)。如果晶粒的错位量很 大，则有可能无法瑞保有良好的刀片切割通路。- 刀片的刃宽因

33、为需要比切割槽宽度(晶粒间的距离)更薄的刀片，所以要求加工时要很小心。- 加工速度为了保证切割彳爰DAF有良好的品质，有时难以进行高速加工。但是，采用在DBG加工接利用亩射切割DAF的应用技术，则可以解决加工时晶粒错位的问题，并能提 高加工速度。DBG + DAF宙射切割的制程将DBG加工彳发的晶片转放到架上，剥离掉表面保护胶带彳然 从晶片表面一侧对DAF进行全切割。晶片 已经分离成了晶粒，所以就可以从晶粒间照射宙射，只将DAF切断。DAF宙射切割的优点可改善DAF的加工品质采用宙射切割技术可以抑制采用刀片切割进行DAF切割时产生的毛边。图1,表面一侧SEM照片DAF宙射切割(70pmSi +

34、 20pmDAF)能够进行高速切割，提高生产效率与刀片切割相比，可以提高DAF全切割时的加工速度。加工实例：加工进给速度100mm/sec 300mm/sec,以lpass进行DAF切割(加工条件因DAF的种类、DAF的厚度、晶片厚度和切割槽宽度等的不同而异。)利用特殊排列校准功能，可以解决晶粒错位问题即使在DBG加工彳发的晶片上出现了晶粒错位，也能够通过采用特殊排列校准功能进行跟随晶粒错位的加 Io可就各加工线上的每个排列对位点，记忆切割槽中心的位羞，并用宙射对其中心进行切割C图2.DAF切割的示意图 装置(DBG + DAF切割规格)使用产品：(For Ablation processin

35、g烧蚀加工)DFL71601融1儆一俎DFL7260曲一烟最大适用晶片直径适用於300mm晶圆、烧蚀加工 的亩射切割机适用於300mm晶圆、烧蚀加工的双头雷 射切割机最大适用晶片直径300 mm最大适用框架2-12X轴 (工作 台)可切割范围 (mm)310最大进刀速度 (mm/s)6001,000Y轴 (工作 台)可切割范围 (mm)最小步进量 (mm)310Y轴定位精度以内/310(单一误差)以内/5光学尺最小分辨 率(mm)Z轴宙射聚焦输入范 围(mm)-短小移动量 (mm)重复定位精度 (mm)e轴 (工作 台)最大旋转角度 (deg)380(初始位置开始正方向320、负方 向60)3

36、80(初始位置开始正方向245、负方向135)射生径 宙产拨产生器模式利用半导体亩射激发的Q开关单 体亩射利用半导体雷射激发的Q开关单体宙射x 2设备尺寸(WXDXH) (mm)lz200 X 1,500 X 1,8002,800 X lz220 X 1,800设备重量 (kg)约1,750 (无变压转)约1,870 (有变压器)2,900 (包括 UPS)* DFL7260注在设备外设置冷却装蓄。1,200 x 650 x 1,558mm(冷却装差尺寸)*为了改进设备.本公司可能在没有预先通知客户的情况下.就对本规格实施变更.因此请仔细确认规格绫.再发 出订单。B ;隐形切割将击射聚光於工件

37、内部，在工件内部形成改质层，箱由扩展胶膜等方法将工件分割成晶粒的切割方法DFL7360,娟解TOF娴DFL7340|函版司F蚱最大适用晶片直径适用於8英寸梃架的隐形雷射切 割机适用於300mm晶圆的隐形窗射切割机最大适用晶片直径200 mm300 mm最大适用框架2-8-1Frames not supportedX轴 (工作 台)可切割范围(mm)210310最大进刀速度 (mm/s)1,000Y轴 (工作 台)可切割范围(mm)210310最小步进量(mm)Y轴定位精度以内/310(单一误差)以内/5光学尺最小分辨率 (mm)Z轴雷射聚焦输入范围 (mm)-最小移动量(mm)重坦定位精度(m

38、m)e轴 (工作 台)最大旋转角度(deg)380(初始位置开始正方向320、负方 向60)380(初始位置开始正方向245、负方向135)亩射 产生器产生器模式利用半导体宙射激发的Q开关单体雷射设备尺寸(WxDxH) (mm)1,000 X 1,800 X 1,990lz700 X 2,950 X 1,800设备重量 (kg)约1,860 (无变压约1,990 (有变压器)2,590 (参考值),为了改进设备.本公司可能在没有预先通知客户的情况下.就对本规格实施变更,因此请仔细确认规格接.再发 出订单。四：研磨机什麽是研磨机是指对被加工物进行减薄加工的研磨设备。最大适用加工物尺寸主轴工作盘数

39、量数量应用领域800DAG8108H1 1半导体电子元件、陶瓷研磨机系列DFG8308”22晶片双面研磨8000DFG85408"23晶片背面研磨| 系列 | DFG8560 | 300m J 238000 系列- Fully Automatic Grinder(1)： 8000系列全自动研磨机8000系列研磨机：是为实现对晶片的减薄加工，能够自动完成从晶片的背面研磨到清洗搬运为止等一系列作 业的全自动研磨设备。因为配置了触摸式液晶显示萤特及GUI(图形化的用户介面)，便操作变得更为便利c 另外，能够与(Dicing Before Grinding-先切割彳发研磨)和消除残留应力设备

40、。，组成联机系统，实现联机运 行。什麽是纵向切入方式就是指将旋转的研磨轮自上而下地切入自转的被加工物，并研磨加工至规定厚度尺寸的研磨方法。DFG8540龌目fljPDF蝴DFG85601一目at一涸可研磨的晶片直径Max 8”(4" - 8")Max 300(8” - 12”)结构配重2根主轴、3个工作盘(公转台方式)应用领域100 pm以下的超薄研磨基本规格研磨方式利用晶片旋转，进行纵向切入方式主轴使用主轴高频马达内装式空气静压主轴主轴数量2额定功率(kW)转速(minT)rpm1,000 - 7,0001,000 - 4,000Z轴行程(mm)120(附原点)Z轴研磨进

41、刀速度 (mm/s)-Z轴快速移动速度 (mm/s)50Z轴最小指定移动量 (Mm)z轴最小移动量(|jm)厚度测量器晶片工作盘测量范围(pm)0 - 1,800分辨率(pm)重笈定位精度(pm) 工作盘样式土多孔陶瓷工作盘固定方式真空式转速0 - 300工作盘数量3工作叁清洗利用刷子和油石，配合工作理内水及压缩空气混合喷出状态下进使用研磨轮行清洗。整面研磨(工作盘转速设定值) 金刚石研磨轮(mm)2000 - 999300晶片搬运部 清洗部晶片盒架数量2晶片盒部流程模式同盒回收流程(Same flow)以及异盒回收流程(Open flow)清洗装置水清洗及乾燥真空装置加工精度排气速度(m3/

42、h) 到达压力(kPaG)29/36(m3/h) 50/60(Hz)-90(在循环供水温度为15C。，供水流量为lL/min时)电动马达(kW)用水量(L/min)单片晶片内的厚度偏差 (pm)供水温度在22co以上：3/供水温度小於22C°： 1以下(使用专用工作盘、研磨8”晶片时)晶片与晶片之间的厚度 偏差(|jm)±3以下精加工彳爰表面粗糙度 (pm)Ry左右(使用#2000研磨轮进行精加工时)/ Ry左右(使用#1400研磨轮进行精加工时)设备尺寸(WxDxH) (mm)1,200 X 2,670 X1,8001,400 X 3,322 X 1,800设备重量1(k

43、g)约 3,100约 4,000“为了改进设备.本公司可能在没有预先通知客户的情况下.就对本规格实施变更,因此请仔细确认规格彳妥,再发出 订单，8000系列全自动研磨/抛光机8000系列全自动研磨/抛光机，可以在同一个工作盘上进行从背面研磨到乾式抛光的一系列加工，能进一步 提高超薄加工的稳定性。另外，由於采用3根主轴、4个工作盘的结构，设计了最佳的搬运布局，并将真空 装置安装於设备内部相当於同一机台，使该机型的外形尺寸更加简洁、精致。另外，还可与组成联机系统，还 能适用於(Dicing Before Grinding-先切割彳发研磨制程)系统的建立以及使用DAF(Die Attach Film

44、)的应用 技术。DGP8760 朋脏出F蚱DGP8761可加工的晶片直径Max 300mm基本规格加工 方式Z1Z2轴利用晶片旋转实施纵向切入方式Z3轴利用晶片旋转实施不规则纵向切入方式主轴使用主轴高频马达内姿式 空气静压主轴主轴数量3额定功率 (kw)Z1-Z2 轴Z3轴转速(mirrZ1-Z2 轴1,000 - 4,000Z3轴1,000 - 3,0001,000 - 4,000Z轴行程 (mm)Z1-Z2 轴120(附原点)Z3轴50Z轴研磨进刀速度 (mm/s)-Z轴快速移动速度 (mm/s)50Z轴最小指定移动量(pm)Z轴最小移动量(叩)工作这样式多孔陶瓷工作盘固定方式真空式| 转

45、速(mlni)rpm0 - 3000 - 800片作盘 晶工盥工作盘数量4工作盘清洗利用刷子和油石，配合工作盘内水及 压缩空气混合喷出状态下进行清洗利用水气双流体装置与整平石，配合水 及压缩空气的回流进行清洗晶片清洗利用水气双流体喷头进行水清洗整面研磨(工作盘转速设定 值)0 - 999使用 研磨 轮金刚石研 磨轮 (mm)Z1-Z2轴300乾式抛光 磨轮 (mm)Z3轴450片运清部 晶搬部洗晶片盒架数量2晶片盒部流程模式同盒回收流程(Same flow)和异盒回收流程(Open flow)清洗装置通过水气双流体喷头，进行水清洗及乾燥真空装置排气速度到达压力单台26/34(m3/h) 50/

46、60(Hz)真空泵装置(kPa)20/28(m3/h) 50/60(Hz)(在-70 kPa 时)-90(在循环供水温度为15C。、供水流量为IL/min时)电动马达(kw)用水量（LVmin）（在30C。以下时的用水量）（在25C°以下时的用水量）（在20C。以下时的用水量）加工 梏度（使用专用工作盘时、在研磨300 mm晶片时）单片晶片内的厚度 偏差（Wn）在以下（只使用Z1轴Z2轴进行研 磨时，在以下）在以下（只使用Z1轴Z2轴进行研磨 时，在以下）晶片与晶片之间的 厚度偏差（pm）在土以下（只使用Z1轴Z2轴进行研 磨时，在士以下）在士以下（只使用Z1轴Z2轴进行研磨 时，在

47、士以下）精加工接表面粗糙 度（pm）在以下只使用Z1轴Z2轴进行研磨 左右（使用#2000研磨轮进行精加工时）/ 左右（使用#1400研磨轮进行精加工时）设备尺寸(WXDXH) (mm)1,690 X 3,450 X 1,800设备重量 （kg）约 5,100约 6,300“为了改进设备.本公司可能在没有预先通知客户的情况下.就对本规格实施变更.因此请仔细确认规格彳合,再发出 订单.8000系列全自动抛光机8000系列全自动抛光机是一种绝对乾式研磨设备，该设备并不是使用金刚石研磨轮，而是使用可与矽进行固 相反应的乾式抛光磨轮，在不使用水和研磨膏的条件下，能有效地去除因金刚石研磨轮加工接产生的表

48、面变质 层。另外，为了能更安全地完成从明磨、乾式抛光到晶片搬运为止的连续作业，该设备可与8000系列研磨机和 组成联机系统，以适应对晶片进行超薄加工的要求，DFP8140廨解研炯DFP8160座炯可加工的晶片直径4" - 200 mm (4” - 8”)200 mm - 300 mm (8“ - 12”)基本规格加工方式利用晶片旋转，实施不规则纵向切入方式主轴使用主轴高频马达内置式空气静压主轴主轴数量1额定功率（kW）转速(mirri)rpm Z轴行程(mm)1,000 - 4,000100(附原点)1,000 - 3,00072(附原点)Z轴研磨进刀速度 （mm/s）-z轴快速移动

49、速度 (mm/s)50Z轴最小指定移动量 3m)Z轴最小移动量 (pm)晶片工作直工作盘样式多孔陶瓷工作盘固定方式真空式转速(mini)rpm0 - 300工作盘数量1工作宜清洗利用刷子和油石，配合工作盘内水及压缩空气混合喷出状态下进行 清洗。晶片清洗通过喷头喷水进行清洗内置式负载传感器薄型传感器整面研磨(工作叁转速设定值)Y轴加工行程4200 - 999510丫轴最大速度-200Y轴最小移动量使用研磨轮乾式抛光磨轮(mm)300450晶片搬运部清 洗部晶片盒架数量2晶片盒部流程模式同盒回收流程(Same flow)以及异盒回收流程(Open flow)清洗装置通过水气双流体喷头，进行水清洗及

50、乾燥真空装当排气速度(m3/h) 到达压力(kPa)29/36 50/60(Hz)-90(在循环供水温度为15C。，供水流量为IL/min时)电动马达(kw)用水量(L/min)供水温度在22C。以上：3/供水温度小於22C。： 1吸尘装置加工精度方式湿式循环方式排气量(m3/min)电动马达(kW)用水量(L/min) 去除量偏差(him)±1以下(在平均去除量为2 pm时)设备尺寸(WXDXH) (mm)1,200 X 2,670 X 1,8001,400 X 3,322 X 1,800设备重量 (kg)约 1,900约 2,400水为了改进设备.本公司可能在没有预先通知客户的情况下,就对本规格实施变更.因此请仔细确认规格彳组再发出 订单，多功能晶片框架粘贴机-Fully Automatic Multifunction Wafer Mounter可与300mm规格的8000系列机型（、）组成联机系统的晶片檐架粘贴机（Mounter） 0该设备由对 表面保护胶膜进行紫外线照射的UV照射装曜、DAF胶膜黏贴装置（DFM2700、2800 一体型DAF可用於 DFM2700. 2800.单个DAF仅可用於DFM2700）、切割框架粘贴装置以及表面保护胶膜剥离装置等组 成，可实现一体化操作。DFM2700 蝴DFM2800电源输入电源单相 AC20