固体物理,考试,led,CH1-semiconductor Introductions

1、2022-4-31现代半导体器现代半导体器 件物理与工艺件物理与工艺 Physics and Technology of Modern Semiconductor Devices概 论 2022-4-32 Pre-courses： 固体物理学 半导体物理 热力学与统计物理学 量子力学 模拟电子技术基础 数字电子技术基础 Introduction Course：现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺 Credit 学分：4 Schedule：1-18周 Spring 王王 忆忆罗坚义罗坚义李李 阳阳徐徐 维维Teachers2022-4-33u 半导体器件物理与工艺 施敏 苏州大学出版

2、社 u 半导体制造技术 Michael Quirk et al. 电子工业出版社 u 微电子学概论 张兴 北京大学出版社 u 固体物理 黄昆 高等教育出版社 u Handbook of Semiconductor Fabrication Technology u New York :Marcel Dekker,c2000 u 半导体中的杂质深能级 A.G.米尔恩斯 科学出版社 u 以及其他的papers、conferences、handouts References2022-4-34u 掌握半导体物理基本理论 u 掌握基本器件物理知识 u 掌握IC制造工艺知识 u PSPICE=SPICE 建

3、模 Simulation Program with Intergrated Circuit Emphasis u 了解什么是微电子学和研究的前沿 u 了解微电子学的过去、现状和未来 u 初步了解集成电路设计、集成电路CAD方法等基本概念 The goal of the course2022-4-35 课程考核 平时作业与实验：20 课外阅读：20 期末考试：60% 致谢 承蒙参考书目、论文为课件提供了理论 承蒙许多网站提供了各种资料 承蒙其他课件各种提供 声明 此课件仅仅用于课堂教学，不得用于其他商业用途 成绩考核成绩考核2022-4-36概论 Introduction 第一部分 半导体物理

4、Semiconductor Physics 第二部分 半导体器件 Semiconductor Devices 第三部分 半导体工艺Semiconductor TechnologyCourse ContentThree Main Parts 2022-4-37第二章 热平衡时的能带和载流子浓度 Band Level and Carriers density in Thermal Equilibrium 第三章 载流子输送现象 Carriers Transport Phenomena Part I 半导体物理第一章 概述 Introduction2022-4-38 第四章 p-n结 PN Junc

5、tion 第五章 双极型晶体管及相关器件 Bipolar Junction Transistor & Related Devices 第六章 MOSFET及相关器件 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor & Related Devices 第七章 MESFET及相关器件 Metal Semiconductor Field Effect Transistor & Related Devices 第八章 微波二极管、量子效应和热电器件 Microwave Diode, Quantum Effect & Pyroelectric Devi

6、ces 第九章 光电器件 Photoelectric Devices Part II 半导体器件2022-4-39u 半导体产业介绍 u 硅片制作中的沾污控制 u 测量学和缺陷检查 u 晶体生长和外延 u 薄膜淀积 u 图形曝光与光刻 u 杂质掺杂 Part III 半导体工艺2022-4-310研究半导体器件中电子或空穴的运动规律，如何通过能带裁剪工程(构造特定形状的势垒结构)来控制载流子(电子、空穴)的运动，使其载流子的运动行为满足特定的要求。以及在在不同器件结构下，研究其不同方面的电性能和光性能。 半导体器件物理研究什么？2022-4-311一个应用物理、电机工程、电子工程或材 料科学领

7、域的学生，你可能会自问:为什么要学习这门课程？For money?For ambition?For good life?For technology? 为什么要学习该课程？2022-4-312自从1998年以来，电子工业是世界上规模最大的工业，其全球销售量超过一万亿美元。而半导体器件正是此工业的基础。更深入地了解电子学的相关课程，拥有半导体器件的最基本的知识是必要的，它也可以使你对现代这个由电子技术发展而来的信息时代有所贡献。 简单理由2022-4-313 19802000年的全球国民生产总值（WGP）及电子、汽车、半导体和钢铁工业的销售量，并外插此曲线到2010年止。 2022-4-314从

8、上图中可以得知： 电子工业和半导体工业已经超过传统的钢铁工业、汽车工业，成为21世纪的高附加值、高科技的产业。电子工业的高速发展依赖于半导体工业的快速提高，而在半导体工业中其核心是集成电路（电集成、光集成、光电集成），集成电路在性能、集成度、速度等方面的快速发展是以半导体物理、半导体器件、半导体制造工艺的发展为基础的。 半导体工业的核心是什么？2022-4-315 通过一系列特定的平面制造工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连关系，集成在一块半导体单晶片上，并封装在一个保护外壳内，能执行特定的功能复杂电子系统。 半导体器件物理为其提供了基础知识，是半导体工业

9、的发展平台。核心是：集成电路【核心是：集成电路【Integrated Circuit：IC】2022-4-316集成电路的战略地位首先表现在当代国民经济的集成电路的战略地位首先表现在当代国民经济的食物链食物链关关系。系。 进入信息化社会的判据：半导体产值占工农业总产值的0.5%。 IC的战略地位 2022-4-317据美国半导体协会（据美国半导体协会（SIA）预测）预测 电子信息服务业 30万亿美元 相当于1997年全世界GDP总和 GDP50万亿美元 电子装备 6-8万亿元 2012年 集成电路产值1万亿美元 2022-4-3182022-4-3192022-4-3202022-4-3212

10、022-4-3222022-4-3232022-4-324Leo Esaki 日本江崎玲于奈 2022-4-3252022-4-3262022-4-3272022-4-3282022-4-329安腾处理器：“IA-64是一个与x86代码的决裂，它是为未来设计的“。Itanium是专门用在高端企业级64-bit计算环境中竞争的，对抗基于IBM Power4/5，HP PA-RISC 2022-4-3302022-4-33180年代后期-90年代初美国采取了一系列增强微电子技术创新和集成电路产业发展的措施，重新夺回领先地位。90年代以来美国经济保持持续高速增长主要得益于信息产业的发展，而其基础是集

11、成电路产业与技术创新。 1985-1990年间世界半导体商品市场份额 日本公司 美国公司51.4%39%50%37.9%两个列子2022-4-33290年代日本经济萧条的同时，集成电路市场份额严重下降。年代日本经济萧条的同时，集成电路市场份额严重下降。 2022-4-333中国台湾地区中国台湾地区 2022-4-334世界世界GDP增长与世界集成电路产业增长情况比较增长与世界集成电路产业增长情况比较（资料来源：（资料来源：ICE商业部）商业部） 2022-4-335TI公司的技术创新，数字信号处理器（DSP）使它的利润率比诺基亚高出10个百分点。 中国IT企业与Intel公司利润的比较 202

12、2-4-336对国家安全与国防建设的作用 在农业社会：大刀长矛等冷兵器；在农业社会：大刀长矛等冷兵器； 在工业化社会：枪、炮等热兵器在工业化社会：枪、炮等热兵器 信息化社会：信息化社会： IC成为武器的一个组成元，电子战、信息战。成为武器的一个组成元，电子战、信息战。 美国国防部各类武器装备经费预算中的电子含量美国国防部各类武器装备经费预算中的电子含量*(单位：单位：%) 2022-4-337 几乎所有的传统产业与微电子技术结合，用集成电路芯片进几乎所有的传统产业与微电子技术结合，用集成电路芯片进行智能改造，都可以使传统产业重新焕发青春；行智能改造，都可以使传统产业重新焕发青春； 全国各行业的

13、风机、水泵的总耗电量约占了全国发电量的全国各行业的风机、水泵的总耗电量约占了全国发电量的30%，仅仅对风机、水泵采用变频调速等电子技术进行改造，仅仅对风机、水泵采用变频调速等电子技术进行改造，每年即可节电每年即可节电500 亿度以上，相当于三个葛洲坝电站的发电量亿度以上，相当于三个葛洲坝电站的发电量(157亿度亿度/年年)； 固体照明工程，对白炽灯进行高效节能改造，并假设推广应用固体照明工程，对白炽灯进行高效节能改造，并假设推广应用30%，所节省的电能相当于三座大亚弯核电站的发电量，所节省的电能相当于三座大亚弯核电站的发电量(139亿亿度度/年年)。 微电子对传统产业的渗透与带动作用2022-

14、4-338u Internet基础设施 各种各样的网络：电缆、光纤(光电子)、无线 . 路由和交换技术：路由器、交换机、防火墙、网关 . 终端设备：PC、NetPC、WebTV . 网络基础软件：TCP/IP、DNS、LDAP、DCE . u Internet服务 信息服务: 极其大量的各种信息 交易服务: 高可靠、高保密 . 计算服务: 网络 对信息社会的重要性2022-4-3392022-4-340p-n结是半导体器件的关键基础 结构，其理论是半导体器件物 理的基础。可以形成p-n-p双极 型晶体管，形成p-n-p-n结构的 可控硅器件。 人类研究半导体器件已经超过125年，迄今大约有60

15、种主要的器件以及100种和器件相关的变异器件。但所有这些器件均可由几种基本器件结构所组成。 金属-半导体用来做整流接触， 欧姆接触；利用整流接触当作 栅极、利用欧姆接触作漏极(drain) 和源极(source)。 器件的基础结构 2022-4-341异质结是快速器件和光电 器件的关键构成要素。 用MOS结构当作栅极，再用两 个p-n结分别当作漏极和源极， 就可以制作出MOFET。 2022-4-342晶体管的发明 1946年1月，Bell实验室正式成立半导体研究小组, W. Schokley， J. Bardeen、W. H. Brattain。 Bardeen提出了表面态理论， Schok

16、ley给出了实现放大器的基本设想， Brattain设计了实验。 1947年12月23日，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。 2022-4-343集成电路的发明 1952年5月，英国科学家G. W. A. Dummer第一次提出了集成电路的设想。 1958年以（德州仪器公司）TI的科学家基尔比(Clair Kilby)为首的研究小组研 制出了世界上第一块集成电路，并于1959年公布了该结果。 Intle公司德诺宜斯（Robert Noyce）同时间发明了IC的单晶制造概念。 2022-4-344 布朗(Braun)在1874年发现金属和金属硫化物(如铜铁矿，copper pyrite)接触的

17、阻值和外加 电压的大小及方向有关。 在1907年，朗德(Round)发现了电致发光效应(即发光二极管，1ight- emitting diode，LED)，观察到当在碳化硅晶体两端外加10V的电压时 ，晶体会发出淡黄色的光。 1952年伊伯斯(Ebers)为复杂的开关器件可控硅器件(thyristor)提出 了一个基本的模型。 以硅pn结制成的太阳能电池(solar cell)则在1954年被阕平(Chapin) 等人发明。太阳能电池是目前获得太阳能最主要的技术之一，它可以 将太阳光直接转换成电能。 1957年，克罗马(Kroemer)提出了用异质结双极型晶体管 (heterjunction

18、bipolar transistor，HBT)来改善晶体管的特性，这种器 件有可能成为更快的半导体器件。 其他的重要里程碑 2022-4-345 1958年江崎(Esaki)则观察到重掺杂(heavily doped)的p-n结具有负电 阻的特性，此发现促成了隧道二极管(tunnel diode，或穿透二极管)的 问世隧道二极管以及所谓的隧穿现象(tunneling phenomenon，或 穿透现象)对薄膜间的欧姆接触或载流子穿透理论有很大贡献。 1960年由姜(Kahng)及亚特拉(Atalla)发明的MOSFET，是先进集成电 路最重要的器件。 1962年霍尔(HalI)等人第一次用半导

19、体做出了激光(1aser)。 1963年克罗马(Kroemer)、阿法罗(Alferov)和卡查雷挪(Kazarinov)发 表了异质结构激光(heterostructure laser)，奠定了现代激光二极管的 基础，使激光可以在室温下连续工作。 其他的重要里程碑（续）2022-4-346三种重要的微波器件相继被发明制造出来： 1963年冈(Gunn)提出的转移电子二极管(transferred-electron diode， TED)，又称为冈二极管(Gunn diode)，被广泛应用到侦测系统、远程 控制和微波测试仪器。 姜士敦(Johnston)等人发明的碰撞电离雪崩渡越时间二极管（I

20、MPATT diode）,是目前可以在毫米波频率下产生最高连续波（continuous wave ,CW）功率器件。 1966年由密德（Mead）发明金半场效应晶体管（MESFET），并成 为单片微波集成电路monolitl ic microwave integrate circuit ,MMIC） 的关键器件。 其他的重要里程碑（续）2022-4-347 1967年姜(Kahng)和施敏发明了一种非挥发性半导体存储器 (nonvolatile semiconductor memory，NVSM)，可以在电源关掉以后 ，仍然保持其储存的信息。成为应用于便携式电子系统如手机、笔记 本电脑、数码相

21、机和智能卡方面最主要的存储器。 1970年波意尔(Boyle)和史密斯(Smith)发明电荷耦合器件(charge- coupled device，CCD)它被大量地用于手提式摄像机(vide camera)和 光检测系统上。 1974年张立纲等明了共振式隧道二极管(resonant tunneling diode， RTD)，它是大部分量子效应(quantum-effect)器件的基础量子效应 器件因为可以在特定电路功能下，大量地减少器件数量，所以具有超 高密集度、超高速及更强的功能 1980年，Minura等人发明了调制掺杂场效应晶体管(modulation- doped field-ef

22、fect transistor，MODFET)，如果选择适当的异质结材 料，这将会是更快速的场效应晶体管。 其他的重要里程碑（续） 2022-4-348主要半导体器件列表 2022-4-349第一台计算机 1832 The Babbage Difference Engine 25,000个元件 费用：7,470$ 2022-4-350ENIAC - 第一台电子计算机(1946) 2022-4-351Intel 4004 Micro-Processor 1971 1000 transistors 1 MHz operation 2022-4-352Intel Pentium (IV) micro

23、processor 体系架构：90纳米制程 二级高速缓存：2MB 三级高速缓存：无 主频速率： 3.73 GHz 时钟速度：3.73 GHz 前端总线：1066 MHz 2022-4-353AMD的双核心Opteron处理器 2022-4-354龙芯一号（神州龙芯公司） 基于0.18微米CMOS工，32位微 处理器。支持最新版本的Linux、 VxWork，Windows CE等操作系 统。可广泛应用于工业控制、 信息家电、通讯、网络设备、 PDA、网络终端、存储服务器、 安全服务器等产品上。 国产处理器中国大陆 2022-4-3552022-4-356中国台湾 2022-4-357 嵌入式C

24、PU是指应用于各种信息设备里的CPU，一般功能不太强、主要是以低价格、 低功耗为特征，著名的有ARM、MIPS等公司的CPU。 高性能CPU是指应用于服务器和超级计算机中的高性能CPU，例如Alpha、UltraSparc 、PowerPC等等。 其他优秀的处理器 2022-4-358半导体器件物理研究的层次 电子设计的抽象层次结构图 器件是半导体器件物理 的研究对象！ 2022-4-3591965, Intel的创始人之一Gordon Moore在他的论文cramming more components onto integrated circuits里预言：每18个月芯片集成度增加一倍。

25、30年来这个预言基本正确，普遍认为这个定律可以适用到2010年。 2002年达到每个芯片100,000,000个晶体管。 2910年达到每个芯片1,000,000,000个晶体管。 毫无疑问，在过去的四十年里，摩尔定律成为了科技进步速度的推动力。然而传统的光刻技术正在日益成为半导体制造工艺的瓶颈，在从0.18微米到0.13微米的工艺转换过程中各大厂商都碰到了很多困难（如现阶段CPU制造过程中晶体管本身存在的漏电问题），而最新的90nm制造工艺也迟迟无法投入量产。Moore定律再一次面临严峻的挑战，如果没有技术突破，这一领导行业40多年的经验公式将不再有效。 不过不用担心，新的工艺、新的器件结构

26、、纳米电子学为半导体工业带来了曙光！ Moore 定律和等比例缩小2022-4-360Moore定律：处理器集成度提高 2022-4-361Moore定律：存储器集成度的提高 2022-4-362在1974年第九期的IEEE Journal of Solid-State Circuits期刊上，Dennard提出了器件等比例缩小定律。 基本思想：MOS器件的横向纵向尺寸（沟道长、宽度等横向尺寸和栅层厚度、结深等纵向尺寸）按一定比例K缩小，单位面积上的功耗可保持不变；这时器件所占的面积（因而成本）可随之缩小K2倍，器件性能可提高K3倍。所以器件越小，同样面积芯片可集成更多、更好的器件，低了器件相

27、对成本。这是摩尔定律的物理基础，也正是这种物理特性，刺激了加速的技术创新。 器件按比例缩小原理 2022-4-363最初的器件等比例缩小要求电压也减小，这就带来了器件的不稳定性问题，为了解决此问题，提出了修改的器件等比例缩小。 三种形式的器件等比例缩小2022-4-364很多重要的半导体技术其实是由多个以前发明的工艺技术延伸而来的。例如1798年就已经发明了图形曝光工艺，只是当初影像图形是从石片转移过来的。将叙述各种首次被应用到半导体工艺或制作半导体器件而被研发出来的具有里程碑意义的技术。 1918年柴可拉斯基(Czochralski)发明了一种液态-固态单晶生长的技术（Cz法），至今仍广泛应

28、用于大部分硅晶片晶体的生长。 1925年布理吉曼(Bridgman)发明另一种技术，被大量用于砷化镓和一些化合物半导体的晶体生长。 1952年魏可(Welker)发现砷化镓和其他的V族化合物也是半导体材料，相关这些化合物半导体的技术和器件才陆续被深入研究。 具有里程碑意义的技术半导体工艺技术2022-4-365 1855年菲克(Fick)提出了基本扩散理论。对半导体工艺而言，杂质原 子(dopant)的扩散 (diffusion)是很重要的一种现象。 1952年范恩(Pfann)在其专利中提及利用扩散技术来改变硅的电导率 的想法。 1957年安卓斯(Andrus)把古老的图形曝光技术应用在半导

29、体器件的制 作上，利用一些感光而且抗刻蚀的聚合物(即光阻)来做图形的转移。 图形曝光技术是半导体工业中的一个关键性的技术，图形曝光的成本 就占了35以上。 1957年弗洛区(Frosch)和德利克(Derrick)提出氧化物掩蔽层方式 (oxide masking method)，发现氧化层可以阻止大部分杂质的扩散穿 透。 同年，雪弗塔(Sheftal)等人提出用化学气相淀积(CVD)外延生长技术 。是在具有晶格结构的晶体表面上，生长出一层半导体晶体薄膜的技 术，这种技术对改善器件特性或制造新颖结构器件而言非常重要。 具有里程碑意义的技术（续）2022-4-366 1967年丹纳(Dennar

30、d)发明了一项由两个器件组成的极重要的电路， 即动态随机存储器 (DRAM).存储单元器件包含了一个MOSFET和一 个储存电荷的电容，其中MOSFET作为使电 容充电或放电的开关。应 用在非便携式(non-portable)电子系统中的第一选择。 1969年柯文(Kerwin)等人提出了多晶硅自对准栅极工艺，这个工艺不 但改善了器件的可靠性，还降低了寄生电容。 同年，门纳赛维(Manasevit)和辛浦生(simpson)提出金属有机化学气 相淀积技术(MOCVD)。对化合物半导体而言，这是二种非常重要的外 延技术。 1971年尔文(Irving)等人提出，利用CF4-O2的混合气体来到蚀硅

31、晶片 。当器件的尺寸变小，为了增加图形转移的可靠度，干法刻蚀(dry etching)技术取代了湿法腐蚀技术。 同年，卓以和(Cho)提出了分子束外延(MBE)技术，可以近乎完美地控 制原于的排列，所以也可以控制外延层组成和掺杂浓度，这项技术也 带来了许多光器件和量子器件的发明。 具有里程碑意义的技术（续） 2022-4-367具有里程碑意义的技术（续） 1971年霍夫(Hoff)等人制造出来第一个微处理器(microprocessor)，将一个简单电脑的中央处理单元(CPU)放在一个芯片上，这就是如图的 四位微处理器(Intel 4004)，其芯片大小是3mm4mm，并且包含了 2300个M

32、OSFET.它是由p型沟道多晶硅栅极工艺做成，设计规范是 8um。这是半导体工业上一个重大的突破。 2022-4-368 1958年肖克莱(Shockley)提出了离子注入(ion implantation)技术来掺杂半导体，这种技术可以精确地控制掺杂原子的数目。从此扩散和离子注入两种技术可以相辅相成，用来掺杂。 1959年科比(Kilby)提出集成电路的雏型。它包含了一个BJT、三个电阻和一个电容，所有的器件都由锗做成，而且由接线相连成一个混合的电路。 1959年诺依斯(Noyce)提出一个在单一半导体衬底上做成的集成电路。 1960年由荷尼(Hoerni)提出平面(planar)工艺，整个

33、半导体表面先生成一层氧化层，再用图形曝光刻浊工艺；将部分的氧化层移除，并留下一个窗口 (window)，然后将杂质透过窗口掺杂到半导体表面后形成p-n结。 1963年由万雷斯(Wanlass)和萨支唐(Sah)提出CMOS的观念，CMOS优点是只有在逻辑状态转换时(如从0到1)才会产生大电流，而在稳定状态时只有极小的电流流过，所以功率耗损可以大幅度减少，对先进集成电路而言，CMOS 技术是最主要的技术。 具有里程碑意义的技术（续）2022-4-369 器件尺寸等比例缩小后，要求开发新的技术，工业界认为三个关键的技术是：沟槽式隔离（trench isolation）、化学机械抛光(chemica

34、l-mechanical polishing，CMP)、铜布线 1982年由朗(Rung)等人提出沟槽式绝缘技术，用以隔绝CMOS器件。 目前这种方法几乎已取代了所有其他的绝缘技术。 1989年达阀利(Davari)等人提出了化学机械抛光方法（CMP），以得 到各层介电层的全面平坦化(global planarization)，这是多层金属布线 的关键技术。 1993年帕拉查克（Paraszczak）等人提出在尺寸长度小到100nm时， 以铜导线取代铝导线的想法。在亚微米器件中，电致迁移 (electromigration)即当强电流通过导线时，使导线的金属离子迁移的 情形。铜的抗电致迁移高且

35、电阻率比铝低。 2022-4-370一些关键的半导体技术列表 2022-4-371半导体芯片的制造框图 2022-4-372典型的半导体芯片的制造流程 2022-4-373半导体芯片制造的关键步骤 2022-4-374半导体制造企业可划分为2类： 设计设计/制造企业：制造企业： 许多企业都集合了芯片设计和芯片制造，从芯片的前端设计到后端加工都在企业 内部完成。Intel、IBM、Motorola、Samsung、Hynix、Infineon、Philips 、 ST microelectronics等。 代工企业：代工企业： 在芯片制造业中，有一类特殊的企业，专门为其他芯片设计企业制造芯片，这

36、类 企业称为晶圆代工厂（foundry）。代工的出现是由于现代技术的飞速发展，越来 越多的技术需要更加细致的分工，这样可以部分降低企业的成本或风险。 比如显卡和主板，它的核心是图形处理器和芯片组，是由象nVIDIA、ATI， INTEL、AMD、 VIA、SIS、ALI等一些顶级的芯片研发公司设计出来，然后委托给某些工 厂加工成芯片和芯片组。 半导体制造企业2022-4-375台积电（TSMC）：如ATI和nVIDIA公司设计的图形处理芯片， 或者VIA，SIS，ALI设计的主板南北桥芯片组基本都是由TSMC 和UMC这两家公司负责生产。TSMC是由台湾半导体教父 张忠谋先生创建。 著名代工企

37、业 2022-4-376台联电（UMC）：1980年，岛内第一家集成电路公司。在曹兴诚的带领下，如今联电已成为仅次于台积电的台湾第二大半导体企业，同时也是世界上第二大专业芯片代工厂。 2022-4-377中芯国际（SMIC）：中芯国际成立于2000年，公司总部位于中国上海，拥有三座芯片代工厂，包括一座后段铜制程代工厂。技术能力包括逻辑电路、混合信号/射频电路、高压电路、系统级芯片、嵌入式及其他存储器, 硅基液晶和影像感测器等。 2022-4-378上海宏力(GSMC)：宏力于2000年11月18日奠基，一期项目总投资为16.3亿美元，目前已建成两座12吋规格的厂房，其中一厂A线(8吋线)已投入

38、生产，预计2004年下半年月生产能力可达27,000片八吋硅片，技术水平将达0.13微米。 2022-4-379和舰科技（HJTC）: 和舰于2001年11月斥资15亿美元建立，坐落于风景优美、驰名中外的人间天堂-苏州工业园区，占地1.3平方公里，是一家具有雄厚外资，制造尖端集成电路的一流晶圆专工企业。 2022-4-380测试 测试不同于设计过程中的验证；测试指工艺过程中或封装 后进行的电学参数测量。 硅片测试是为了检验规格的一致性而在硅片级集成电路上 进行的电学参数测量。 硅片测试的目的是检验可接受的电学性能。 2022-4-381装配和封装过程是取出性能良好的器件，将他们放入管壳，用引线

39、将器件上的压点与管壳上的电极互相连接起来。封装为 芯片提供一种保护并将它粘贴到更高级装配板上的措施。 装配和封装2022-4-382封装形式 2022-4-383 金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路：主要由MOS晶体管构成 NMOS PMOS CMOS(互补MOS) Complementary功耗低、集成度高，随着特征尺寸的缩小，速度也可以很高。 双极-MOS(BiMOS)集成电路：同时包括双极和MOS晶体管的集成电路为BiMOS集成电路，综合了双极和MOS器件两者的优点，但制作工艺复杂。 集成电路的分类按器件结构类型分类 NPN型双极集成电路 PNP型双极集成电路 双极集成电路：主要由双极晶体管构成优点是速度高、驱动能力强，缺点是功耗较大、集成度较低。2022-4-384按集成电路规模分类 集成度：每块集成电路芯片中包含的元器件数目。 小规模集成电路(S