模拟电子技术邱关源第五版第五章——放大电路的频率响应

1、上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础5 放大电路的频率响应放大电路的频率响应 5.1.1 频率响应和频率失真频率响应和频率失真 频率响应频率响应放大电路输入幅度相同的正弦波信号时，放大电路输入幅度相同的正弦波信号时， 输出信号的幅度与相位随信号频率变化输出信号的幅度与相位随信号频率变化 而变化的特性。而变化的特性。频率失真频率失真放大电路对不同频率的输入信号，不同有放大电路对不同频率的输入信号，不同有 的放大能力和相移，而使输出信号产生的放大能力和相移，而使输出信号产生 的失真。频率失真也称为线性失真。的失真。频率失真也称为线性失真。5.1 频率响应概述频率响应概述上页上页

2、下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础tououtout输出信号输出信号二次谐波二次谐波基波基波二次谐波二次谐波基波基波输入信号输入信号输出信号输出信号二次谐波二次谐波基波基波幅度失真幅度失真相位失真相位失真相位失真相位失真幅度失真幅度失真频率失真分为频率失真分为频率失真说明图频率失真说明图假定输入信号假定输入信号由基波和二次由基波和二次谐波组成谐波组成上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础5.1.2 研究的问题：研究的问题： 放大电路对信号频率的适应程度，即信号频放大电路对信号频率的适应程度，即信号频率对放大倍数的影响。率对放大倍数的影响。 由于放大电路中耦合电容

3、、旁路电容、半导由于放大电路中耦合电容、旁路电容、半导体器件极间电容的存在，使放大倍数为频率的体器件极间电容的存在，使放大倍数为频率的函数。函数。 在使用一个放大电路时应了解其信号频率的在使用一个放大电路时应了解其信号频率的适用范围，在设计放大电路时，应满足信号频适用范围，在设计放大电路时，应满足信号频率的范围要求。率的范围要求。上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础5.1.3 单时间常数单时间常数RC电路的频率响应电路的频率响应（1）高通电路）高通电路:信号频率越高，输出电压越接近输入电压。信号频率越高，输出电压越接近输入电压。超前，时；，当超前900 0 iooioUUU

4、fUURCRCRCRUUAuj1jj1io上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础（1）高通电路：频率响应）高通电路：频率响应RCRCUUAuj1jiofLffAffffARCfuuLLLLj11 j1j21或，则令)arctan(90)(1L2LLffffffAuffL时放大时放大倍数约为倍数约为1上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础（2）低通电路）低通电路: 信号频率越低，输出电压越接近输入电压。信号频率越低，输出电压越接近输入电压。Ui.Uo.I.。滞后，时；，当滞后900 iooioUUUfUURCRCCUUAuj11j1j1io上页上页下页下页返回

5、返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础（2）低通电路：频率响应）低通电路：频率响应HHj1121ffARCfu，则令fHRCUUAuj11io)arctan()(11H2HffffAuffH时放大时放大倍数约为倍数约为1上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础 rbe 发射结电阻发射结电阻re归算到基极回路的电阻归算到基极回路的电阻 Cbe 发射结电容发射结电容rbc 集电结电阻集电结电阻 Cbc 集电结电容集电结电容 rbb 基区的体电阻，基区的体电阻，b是假想的基区内的一个点是假想的基区内的一个点5. 晶体管的高频特性晶体管的高频特性5.2.1晶体管的高频模型晶体管的高频模型

6、因多子浓因多子浓度高而阻度高而阻值小值小因面积大因面积大而阻值小而阻值小rc：集电区体电阻：集电区体电阻re：发射区体电阻：发射区体电阻上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础简化模型简化模型混合混合 形高频小信号模型形高频小信号模型 cecbrr和和忽忽略略 互导互导CECEEBCEBCmVViig vv因在放大区承受反因在放大区承受反向电压而阻值大向电压而阻值大因在放大区因在放大区iC几乎仅几乎仅决定于决定于iB而阻值大而阻值大上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础混合混合模型的单向化（模型的单向化（密勒等效密勒等效）Lmebceebceeb)1 (RgU

7、UKXUKXUUICCCKXIUXCCC1eb mL(1)(1)CK Cg R C 1CKKC同理可得，等效变换后电流不变等效变换后电流不变上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础5.2.2. BJT高频小信号模型中元件参数值的获得高频小信号模型中元件参数值的获得低频时，混合低频时，混合 模型模型与与H参数参数模型等价模型等价ebbbbe rrrEQ0eb)1 ( IUrT又上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础又因为又因为ebbebrIUb0ebmIUg所以所以TUIrgEQeb0m上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础5.2.3晶体管的高

8、频特性和高频参数晶体管的高频特性和高频参数由描述晶体管特性的由描述晶体管特性的H参数方程参数方程(1) 晶体管电流放大倍数晶体管电流放大倍数 得得0bcce UII ceerbiebeHHUIU ceoebcH UII 由上式可画出求由上式可画出求 的等效电路的等效电路 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础由图可知由图可知 )(jcbebeb1ebbCCrUI )j (cbebmebc CUgUI 因因 很小很小, ,cb CmebcgUI 0bcce UII 由由画出求画出求 的的等效电路等效电路ec+_+_+ebm Ugbb reb C_eb Ueb rb cb Cbb

9、eUbIcIceU上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础)(j1cbebebebm CCrrg )(j1cbebeb0 CCr 0bcce UII )(jcbebeb1ebmebCCrUgU 由以上各式得由以上各式得上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础)(j1cbebeb0CCr 即即)(1cbebebCCr 令令)(21cbebebCCrf 或或得得 ffj10 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础 ffarctan 由由 ffj10 得得 的幅频特性的幅频特性 20)(1 ff 相频特性相频特性a. 画画 的幅频特性曲线的幅频特性曲

10、线 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础20)(1 ff 将上式表示为将上式表示为20)(1lg20lg20lg20 ff 0lg20 在在 坐标系中表示一条直线。坐标系中表示一条直线。式中式中, ,flg lg20上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础0lg20 0flg lg200lg20lg20 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础0)(1lg202 ff20)(1lg20lg20lg20 ff 对于式对于式中的中的2)(1lg20 ff ff 当当时时(a) 故式故式2)(1lg20lg20 ff 在在flg lg20表示表示

11、的一条直线。的一条直线。0lg20 坐标系中，坐标系中，上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础)lg(20)(1lg202 ffff ff 当当时时(b)故式故式)lg(20lg20 ff 表示一条斜率为表示一条斜率为- -20dB/十倍频的直线。十倍频的直线。flg lg20在在 坐标系中坐标系中上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础f2)(1lg20lg20 ff 由此可知，式由此可知，式flg0 lg20 ff ff 十倍频十倍频斜率斜率dB/20 的图形是由横轴与斜率为的图形是由横轴与斜率为20dB/ /十倍频的直线合十倍频的直线合成的曲线。成的曲线

12、。上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础的图形是由直线的图形是由直线综上所述综上所述20)(1lg20lg20lg20 ff 0lg20lg20 2)(1lg20lg20 ff 及曲线及曲线合成的。合成的。上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础0lg20 0flg lg20fflg0 lg20 ff ff 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础flg0 lg20 ff ff 十倍频十倍频斜率斜率dB/20 f0lg20 这种图形称为波特图这种图形称为波特图上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础当当 ff 时时即实际值比即实

13、际值比 小小3dB0lg20 2lg20lg200 3lg200 20)(1lg20lg20lg20 ff 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础fflg十倍频十倍频dB/20 0lg20 0dB3 lg20实际的幅频曲线实际的幅频曲线上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础f称为晶体管的共射极截止频率称为晶体管的共射极截止频率由由可知可知20)(1 ff 当当f=f时时20 b. 画画相频特性曲线相频特性曲线上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础 ffarctan 由相频特性由相频特性知知当当 ff (实际只要实际只要ff (实际只要实际只

14、要f10f )时时2 当当 f=f 时时4 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础画出画出 的相频特性的相频特性 f 90 45 f/45 f1 . 0 f10十倍频十倍频实际上当实际上当f=0.1f 或或f=10 f 时时 7 . 5 7 . 590 或或上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础(2) 晶体管晶体管特征频率特征频率fT当当f=fT时时，1 ff T由于由于定义定义 ff0T 故故 2T011 ff 即即上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础fT是衡量晶体管高频特性的最常用指标是衡量晶体管高频特性的最常用指标)(21cbebe

15、b CCrf 由由ebcbeb00T)(2 rCCff 得得)(2cbebm CCg上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础(3) * 晶体管电流放大倍数晶体管电流放大倍数 = = ( f )可以证明可以证明式中式中 0 0晶体管晶体管共基极低频电流放大系数共基极低频电流放大系数f 晶体管共基极截止频率晶体管共基极截止频率 ffj10 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础晶体管共基极截止频率晶体管共基极截止频率 ff)1(0 1由由 与与 的关系的关系 通常将通常将 的晶体管称为高频管的晶体管称为高频管MHz3 f将将 的晶体管称为低频管的晶体管称为低频管M

16、Hz3 f将将代入上式，得代入上式，得 ffj10 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础晶体管共基极截止频率晶体管共基极截止频率 ff)1(0 特征频率特征频率 ff0T f、fT和和f 之间的关系为之间的关系为 fff T(4) f、fT和和f 的关系的关系上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础5.2.4 场效应管的高频等效电路可与晶体管高频等效电流类比，简化、单向化变换。可与晶体管高频等效电流类比，简化、单向化变换。很大，可忽略其电流很大，可忽略其电流单向化变换单向化变换极间电容极间电容CgsCgdCds数值数值/pF1101100.11dgLmgsg

17、s)1 (CRgCC忽略忽略d-s间等效电容间等效电容上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础放大电路频率响应的分析方法放大电路频率响应的分析方法a. 将放大电路分为中频、低频和高频三个工作区域。将放大电路分为中频、低频和高频三个工作区域。b. 分别画出三个区域的微变等效电路。分别画出三个区域的微变等效电路。c. 分别写出电路在三个区域频率响应的表达式。分别写出电路在三个区域频率响应的表达式。d. 求出相应的参数求出相应的参数Aum、fH和和fL。e. 画出幅频和相频特性曲线画出幅频和相频特性曲线。5.3 单管共射极放大电路的频率响应单管共射极放大电路的频率响应 上页上页下页下

18、页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础单管共射极放大电路单管共射极放大电路电路中存在的电容电路中存在的电容a. 耦合电容、旁路电容。耦合电容、旁路电容。b. 结电容、极间电容、分布电容及负载电容等。结电容、极间电容、分布电容及负载电容等。+_T+_+B1RB2R1CsUCR2CECERLRoUCCV SRiU+_上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础不同电容对电路性能的影响不同电容对电路性能的影响a. 耦合电容、旁路电容较耦合电容、旁路电容较大，主要影响电路的低频大，主要影响电路的低频性能。性能。b. 结电容、极间电容等很结电容、极间电容等很小，主要影响电路的高频小，主要

19、影响电路的高频性能。性能。+_T+_+B1RB2R1CsUCR2CECERLRoUCCV SRiU+_上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础画各个区域等效电路的原则画各个区域等效电路的原则a. 低频区低频区考虑耦合电容、旁路电容考虑耦合电容、旁路电容的作用。的作用。结电容、极间电容视为开结电容、极间电容视为开路。路。b. 中频区中频区耦合电容、旁路电容视为短路。耦合电容、旁路电容视为短路。结电容、极间电容视为开路。结电容、极间电容视为开路。+_T+_+B1RB2R1CsUCR2CECERLRoUCCV SRiU+_上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础c.

20、高频区高频区耦合电容、旁路电容视耦合电容、旁路电容视为短路。为短路。考虑结电容、极间电容的考虑结电容、极间电容的作用。作用。+_T+_+B1RB2R1CsUCR2CECERLRoUCCV SRiU+_上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础5.3.1中频区的频率响应中频区的频率响应中频区微变等效电路中频区微变等效电路sUoUCR LRbIberb0I cISRiUBR+_T+_+B1RB2R1CsUCR2CECERLRoUCCV SRiU+_上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础忽略忽略RBsUoUCR LRbIberb0I cISRiUBRsUoUCR LR

21、bIberb0I cISRiU对电路进行简化对电路进行简化上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础beSL0rRR电压放大倍数电压放大倍数iomUUAu beL0rR beL0beSberRrRrsomsUUAu iosiUUUU 180beSL0msrRRAusUoUCR LRbIberb0I cISRiU可见可见,|,|Aums|及及 均与频均与频率率f 无关。无关。上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础5.3.2低频区的频率响应和下限截止频率低频区的频率响应和下限截止频率 低频区等效电路低频区等效电路+_T+_+B1RB2R1CsUCR2CECERLRo

22、UCCV SRiU+_sUoUCR LRberb0I SRiU EREC1C2CbecbIcIBR上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础忽略忽略RBsUoUCR LRberb0I SRiU EREC1C2CbecbIcIBRsUCR LRberb0I SRiU EREC1C2CbecbIcIoU对电路进行简化与等效对电路进行简化与等效上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础忽略忽略RE(因因RE1/ LCE)sUCR LRberb0I SRiU EREC1C2CbecbIcIoUsUCR LRberb0I SRiU EC1C2CbecbIcIoU上页上页下页下

23、页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础将将CE等效到输入回路等效到输入回路sUCR LRberb0I SRiU 0E1 C1C2CbecbIcIoUsUCR LRberb0I SRiU EC1C2CbecbIcIoU上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础将电流源转换为电压源将电流源转换为电压源sUCR LRberb0I SRiU 0E1 C1C2CbecbIcIoUCRsUCR LRberb0I SRiU 0E1 C1C2CbecbIcIoU上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础将输入回路电容合并将输入回路电容合并10E10E111CCCCC 图中图中s

24、UCR LRberb0I SRiU 1C 2CbecbIcIoUCR sUCR LRberb0I SRiU 0E1 C1C2CbecbIcIoUCR上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础在输出回路在输出回路LcoRIU 2CLCb0cj1CRRRII 故故2CLLCb0oj1CRRRRIU 2CLCLLCb0)(j111CRRRRRRI sUCR LRberb0I SRiU 1C 2CbecbIcIoUCR 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础在输入回路在输入回路1beSsbj1CrRUI 1beSsbeS)(j111CrRUrR sUCR LRberb0

25、I SRiU 1C 2CbecbIcIoUCR 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础得低频区放大电路电压放大倍数得低频区放大电路电压放大倍数由由2CLCLLCb0o)(j111CRRRRRRIU 1beSsbeSb)(111CrRjUrRI 2LC1beSbeSL0soLs)(1j11)(1j11CRRCrRrRRUUAu 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础上式中，令上式中，令1beSL1)(CrR 2LC2L)(CRR 1L 、 分别为输入、输出回路的时间常数。分别为输入、输出回路的时间常数。2L sUCR LRberb0I SRiU 1C 2Cbe

26、cbIcIoUCR 2LC1beSbeSL0soLs)(1j11)(1j11CRRCrRrRRUUAu 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础令令L1L11 2LL21 2L1LbeSL0soLs1j111j11 rRRUUAu 2L1LbeSL0Lsj11j11 rRRAuffffAu2LL1msj11j11 中频电压中频电压放大倍数放大倍数上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础1L1LL1212 f1beS)(21CrR 式式中中ffffAAuu2LL1msLsj11j11 2LC)(21CRR L2L2L2212 f上页上页下页下页返回返回模拟电子技术

27、基础模拟电子技术基础ffAAuuL1msLsj1 18012L1msffAu即即C2的影响可以忽略时的影响可以忽略时 sUCR LRberb0I SRiU 1C 2CbecbIcIoUCR 式中式中 ffL1arctan 为由为由 引起的附加相移引起的附加相移1C 通常通常12CC 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础ffL1arctan 45 知当知当 时时 L1ff 由由2L1msLs1 ffAAuu2msLsuuAA 故故L1f为仅考虑为仅考虑 时放大电路的下限截止频率时放大电路的下限截止频率1C 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础0E10E10

28、E1111 CCCCCC故故 在一般情况下，对整个电路下限截止频率起决定在一般情况下，对整个电路下限截止频率起决定作用的是旁路电容的容量。作用的是旁路电容的容量。由于旁路电容由于旁路电容CE折算到基极回路的等效电容为折算到基极回路的等效电容为0EE1 CC10E1CC 又由于又由于上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础5.3.3高频区的频率响应和上限截止频率高频区的频率响应和上限截止频率 +_T+_+B1RB2R1CsUCR2CECERLRoUCCV SRiU+_上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础高频区等效电路高频区等效电路对对 密勒等效密勒等效C.+e

29、+_.ebm Ugbb rC_eb Ueb rb CsUbIcIoUBR+_SRcCRLR_iUb.sU+_T+_+B1RB2R1CCR2CECERLRoUCCV SRiU+_上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础对输入回路简化、等效对输入回路简化、等效Ci=C+C.+e+_ebm Ugbb r_eb Ueb rb sUbIcIoU+_SRcCRLR_iUiCC .+_.ebm Ugbb rC_eb Ueb rb C sUbIcIoUBR+_SRcCRLR_iUbeC.上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础进行戴维宁等效进行戴维宁等效sebbbSebsUrr

30、RrU .e+_ebm Ug_eb Ub C sU oU+_SR cCRLRiC.ebbbSS/)( rrRR图中图中等效电路等效电路.+e+_ebm Ugbb r_eb Ueb rb sUbIcIoU+_SRcCRLR_iUiCC .上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础对输出回路简化、等效对输出回路简化、等效oCC e+_ebm Ug_eb Ub sU oU+_SR cLR iCoC.CLL/ RRR 图中图中e+_ebm Ug_eb Ub C sU oU+_SR cCRLRiC.上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础将电流源转将电流源转换为电压源换为电

31、压源e+_ebm Ug_eb Ub sU oU+_SR cLR iCoC.e+_LebmRUg _eb Ub sU oU+_SR cLR iCoC+_.上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础由图可知由图可知Sisj1RCU )(j1j1LbemoLooRUgCRCU LoLbemj1RCRUg siSiebj1j1UCRCU e+_LebmRUg _eb Ub sU oU+_SR cLR iCoC+_.上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础高频区电压放大倍数高频区电压放大倍数 soHsUUAu sssebeboUUUUUU Sisebj1RCUU LoLbe

32、moj1RCRUgU 由于由于sebbbSebsUrrRrU e+_LebmRUg _eb Ub sU oU+_SR cLR iCoC+_.上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础LoSiebbbSLebmj11j11)(RCRCrrRRrg LoSiebbbSL0j11j11RCRCrrRR LoSibeSL0j11j11RCRCrRR LoLmSiebbbSebHsj1j11RCRgRCrrRrAu .msuA上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础令令iSH1CR H2LoR C1H H2 、 分别为输入、输出回路的时间常数分别为输入、输出回路的时间常数L

33、oSimsHsj11j11RCRCAAuu e+_LebmRUg _eb Ub sU oU+_SR cLR iCoC+_.上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础oLH2H2212CRf iSH1H1212CRf 或或oLH2H211CR iSH1H111CR 那么那么LoSimsHsj11j11RCRCAAuu 故故)j1)(j1(H2H1ms uA)j1)(j1(H2H1msffffAu 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础通常通常CiCo即即Co的影响可以忽略时的影响可以忽略时H1msHsj1ffAAuu 18012H1msffAuH1arctanff

34、 其中其中为由为由Ci引起的附加相移引起的附加相移e+_LebmRUg _eb Ub sU oU+_SR cLR iCoC+_.上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础 45 知知 当当 时时 H1ff 即即 fH1为仅考虑为仅考虑Ci时放大电路的上限截止频率时放大电路的上限截止频率H1arctanff 2H1msHs1 ffAAuu由由2msHsuuAA 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础放大电路的电压放大倍数可表示为放大电路的电压放大倍数可表示为当低、高频区的等效电路都只含一个惯性环节时当低、高频区的等效电路都只含一个惯性环节时)j1)(j1(HLms

35、sffffAAuu 名词解释名词解释惯性环节惯性环节 含惯性元件的回路含惯性元件的回路 惯性元件惯性元件 指其上能量不能突变的元件指其上能量不能突变的元件( (如电容）如电容） 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础幅频特性幅频特性相频特性相频特性上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础几个结论几个结论LLj1jffff 电路低频段的放大倍数需乘因子电路低频段的放大倍数需乘因子 当当 f=fL时放大倍数幅值约降到时放大倍数幅值约降到0.707倍倍，相角，相角超前超前45； 当当 f=fH时放大倍数幅值也约降到时放大倍数幅值也约降到0.707倍，相角倍，相角滞后

36、滞后45。 截止频率决定于电容所在回路的时间常数截止频率决定于电容所在回路的时间常数21L(H)f电路高频段的放大倍数需乘因子电路高频段的放大倍数需乘因子Hj11ff 频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。)j1)(j1 (HLmssffffAAuu 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础讨论：时间常数分析讨论：时间常数分析所确定的截止频率。、分别考虑e21CCCC1beb2b1s1)(CrRRR2Lc2)(CRR eb2b1sbeee)1(CRRRrRCC)RRRr(rb2b1sbbebC2、Ce短路，短路， 开路，求出开路，求出CC1

37、、Ce短路，短路， 开路，求出开路，求出CC1、C2短路，短路， 开路，求出开路，求出CC1、 C2、 Ce短路，求出短路，求出上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础1beb2b1s1)(CrRRR2Lc2)(CRR eb2b1sbeee)1(CRRRrRCC)RRRr(rb2b1sbbeb)j(1)j(1jHL3L3mffffffAAuu)2(1)2(1)2(1)2(1HeL32L21L1Cffff很小！很小！上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础5.3.4 放大电路的增益带宽积放大电路的增益带宽积 放大电路的带宽放大电路的带宽可见，扩展放大电路带宽的关键就在于提高可见，扩展放大电路带宽的关键就在于提高fH。由于由于 fHfLLHbwfff 故故Hbwff 上页上页下页下页返回