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文档简介
1、半导体材料吸收光谱测试分析一、实验目的1.掌握半导体材料的能带结构与特点、半导体材料禁带宽度的测量原理与方法。2.掌握紫外可见分光光度计的构造、使用方法和光吸收定律。二、实验仪器及材料紫外可见分光光度计及其消耗品如氘灯、钨灯,玻璃基ZnO薄膜。三、实验原理1.紫外可见分光光度计的构造、光吸收定律(1)仪器构造:光源、单色器、吸收池、检测器、显示记录系统。a光源:钨灯或卤钨灯可见光源,3501000nm;氢灯或氘灯紫外光源,200360nm。b单色器:包括狭缝、准直镜、色散元件色散元件:棱镜对不同波长的光折射率不同分出光波长不等距; 光栅衍射和干涉分出光波长等距。c吸收池:玻璃能吸收UV光,仅适
2、用于可见光区;石英不能吸收紫外光,适用于紫外和可见光区。 要求:匹配性(对光的吸收和反射应一致)d检测器:将光信号转变为电信号的装置。如:光电池、光电管(红敏和蓝敏)、光电倍增管、二极管阵列检测器。紫外可见分光光度计的工作流程如下:0.575光源 单色器 吸收池 检测器 显示双光束紫外可见分光光度计则为:双光束紫外可见分光光度计的光路图如下:(2)光吸收定律透射光 It 单色光垂直入射到半导体表面时,进入到半导体内的光强遵照吸收定律: (1)I0:入射光强;Ix:透过厚度x的光强;It:透过膜薄的光强;:材料吸收系数,与材料、入射光波长等因素有关。透射率T为: (2)则 即半导体薄膜对不同波长
3、i单色光的吸收系数为: (3) 2.吸收光谱、半导体材料的能带结构和半导体材料禁带宽度的测量(1) 吸收光谱以不同波长i单色光入射半导体ZnO薄膜(膜厚d为593 nm),测量透射率Ti,由式(3)计算吸收系数i;由 计算光子能量Ei,其中,是频率,c是光速(c =3.01017nm/s),i是波长(nm),h是普朗克常数= 4.1361015。然后以吸收系数对光子能量E作图,得到如下的吸收光谱图:(2) 半导体材料的能带结构满带:各个能级都被电子填满的能带;禁带:两个能带之间的区域其宽度直接决定导电性,禁带的宽度称为带隙;价带:由最外层价电子能级分裂后形成的能带 (一般被占满) ;E满带价带
4、空带导带 禁带禁带空带:所有能级都没有电子填充的能带; 导带:未被电子占满的价带。导体:(导)价带电子绝缘体:无价带电子,禁带太宽36 eV半导体:价带充满电子,禁带较窄0.12 eV0.12 eV外界能量激励满带电子激励成为导带电子(3) 半导体材料禁带宽度的测量本征吸收:半导体吸收光子的能量使价带中的电子激发到导带,在价带中留下空穴,产生等量的电子与空穴,这种吸收过程叫本征吸收。产生本征吸收的条件:入射光子的能量(h)至少要等于材料的禁带宽度Eg。即h Eg 根据半导体带间光跃迁的基本理论(见有关半导体物理书籍),在半导体本征吸收带内,吸收系数与光子能量h又有如下关系: (4)式中h为光子
5、能量;Eg为带隙宽度;A是常数。由此公式,可以用(h)2对光子能量h作图,如下:然后在吸收边处选择线性最好的几点做线形拟合,将线性区外推到横轴上的截距就是禁带宽度Eg,即纵轴(h)2为0时的横轴值h。如下图所示:四、实验步骤1.开电脑2.开机3.双击“UV Probe”4.点击下面的“连接”,待全部变绿灯(通过,约10min)后点击“确定”5.点击“编辑”,点击“方法(M)”。在弹出的“光谱方法”对话框中,波长范围输入450和350,扫描速度选“高速”,采样间隔选“0.5”6.点击该对话框中的“仪器参数”,测定方式选“透射率”,狭缝宽度选“1.0”,点击“确定”7.点击“窗口”,点击“3光谱”
6、8. 放入样品:将制备的ZnO薄膜和空白样置光路中(远端为参比池,近端为样品池)9.点击“开始”,仪器开始扫描测定10.扫描完毕,点击“文件”,“另存为”,设定数据保存位置(文件夹)和文件名。11.点击“操作”、“数据打印”,在数据打印区点击右键、“全选”、“复制” 至文本文档(TXT)。即得到一组波长和透射率T %数据12.点击“断开”,关UV Probe(点击“文件”、“退出” )。关电脑、关机。五、数据处理根据公式和 计算、h和(h)2,用(h)2对光子能量h作图(用Origin作图)。然后在吸收边处选择线性最好的几点做线形拟合,将线性区外推到横轴上的截距就是禁带宽度Eg,即纵轴Y为0时的横轴值X。附Origin作图方法示例(在Origin上的具体操作): 1 先用 data selector 键选择吸收边上的最好的几点。本次从右到左,(本例选取第10,11,12三点。)2 在Tools菜单键中选用Linear Fit 键,弹出一个选择框,在 Points 改为3,在Range 改为11,并在Span X Axis 框中打勾,在点击 Fit键,即可。如下图所示: 3 在Find Y 输入 0;点击 Find X键即可得知横轴截距Eg 。 所以 ZnO的
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