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第一节第一节 磁敏传感器磁敏传感器 磁敏传感器是基于磁电转换的传感器，主要原理有霍尔效应和磁阻效应。一、霍尔式传感器一、霍尔式传感器 （一）霍尔效应将一载流导体置于磁场中，磁场方向与电流方向正交，则在与两者垂直的方向上产生横向电势霍尔电势，这一现象称为霍尔效应。 对于N型半导体材料，载流子为电子。在如图的磁场下，受到洛仑兹力作用（方向如图），有：同时，电场作用于电子的电场力为：当二力平衡时，达到动态平衡，有又因为， ；所以， 其中，n为单位体积中的载流子数。 LfevBHEHUfeEebHUvBbInevbd /HUIB ned （二）霍尔系数与灵敏度霍尔系数：再由 可得： 由于电子的迁移率大于空穴，所以，霍尔元件多采用N型半导体材料。 2. 灵敏度：金属不宜做霍尔元件；电子密度高， 和 小。材料电阻率 高、迁移率 大，则霍尔效应强。1. 减小，灵敏度高；但不能过小，否则使元件输出电阻增加。1HRne/HHKRd HHUKIB1neHRHKHRd（三）材料及测量电路 常用测量有：N型的锗（Ge）、锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）。 符号及测量电路：

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