漂移室性能模拟研究Indico中国科学院高能物理研究所PPT学习教案

1、会计学1漂移漂移(pio y)室性能模拟研究室性能模拟研究Indico中国中国科学院高能物理研究所科学院高能物理研究所第一页，共21页。第1页/共21页第二页，共21页。总体设计指标：总体设计指标：打靶质子束流功率打靶质子束流功率(gngl)(gngl)：200 kW200 kW脉冲重复频率：脉冲重复频率：25 Hz25 Hz每脉冲质子数：每脉冲质子数：1.561.5610131013质子束动能：质子束动能：1.6 GeV1.6 GeV最高中子通量：最高中子通量：5 510-3 n10-3 n* *p-1p-1* *Sr-1Sr-12020条中子束线条中子束线高通量粉末衍射仪、小角散射仪和多功

2、能反高通量粉末衍射仪、小角散射仪和多功能反射仪射仪第2页/共21页第三页，共21页。200mm 200mm中子(zhngz)探测器技术参数技术参数指标指标有效面积有效面积20cm20cm探测效率探测效率50% 2位置分辨位置分辨(FWHM)2mm*2mm阳极丝距阳极丝距2mm气体比分气体比分(6atm)3He(2.5atm)C3H8读出通道读出通道101 路（路（X：50，Y：50，Anode：1）多功能反射(fnsh)谱仪第3页/共21页第四页，共21页。 n + 3He p + 3H + 764 keV 25,000-30,000 electron-ion pairs Operation

3、gas: 6atm.33H8Position resolution: 80% of proton range第4页/共21页第五页，共21页。第5页/共21页第六页，共21页。221.1eionxxxmm exionx原型机X射线位置(wi zhi)分辨质子在气体中的射程第6页/共21页第七页，共21页。电子学读出系统基于6U-VME64x规范设计。主要组件包括(boku)：电荷灵敏前置放大器电荷测量插件扇出插件VME机箱及控制器LabVIEW数据获取软件连接电缆等。电子学结构(jigu)框图第7页/共21页第八页，共21页。电荷(dinh)灵敏度积分(jfn)非线性电荷分辨基线平均值分布测试

4、指标测试指标测试结果测试结果增益4.332 0.2142 LSB/fC 积分非线性0.204%0.045% 电荷分辨0.814 fC 0.046 fC基线31.45.6 (LSB) 第8页/共21页第九页，共21页。n源库中的中子源较多，同时中子与金属碰产生很多次级的射线；n镉上中子的影响；n高能中子反冲质子的影响200mm 200mm 中子中子(zhngz)探测器探测器第9页/共21页第十页，共21页。镉YX200mm 200mm 中子中子(zhngz)探测器探测器第10页/共21页第十一页，共21页。200mm 200mm 中子中子(zhngz)探测器探测器第11页/共21页第十二页，共2

5、1页。1n束斑尺寸实际值：5 mm 40 mm中子(zhngz)束斑成像测试装置示意图测试现场照片第12页/共21页第十三页，共21页。准直(zhn zh)狭缝狭缝(xi fn)成像第13页/共21页第十四页，共21页。垂直于阳极(yngj)丝方向平行于阳极丝方向第14页/共21页第十五页，共21页。 20()2012xgfxe 1ufxba exp001gubxaxfxfxfxFFba第15页/共21页第十六页，共21页。狭缝编号狭缝宽度原始分布FWHM高斯分布0探测器位置分辨FWHM10.8mm1.35 mm0.5240.01mm1.230.02 mm21.0mm1.43 mm0.500.01mm1.180.02 mm32.0mm1.81 mm0.520.01mm1.220.02 mm第16页/共21页第十七页，共21页。小孔阵列(zhn li)小孔成像第17页/共21页第十八页，共21页。 = 0.7 mm = 1.0 mmd = 1.5 mmNo/d = 2.0 mmYesHalfd = 3.0mmYesYesd = 4.0mmYesYes小孔成像在Y方向(fn