二极管与其基本应用

1、二极管与其基本应用第第3 3章章 半导体二极管及其基本应用半导体二极管及其基本应用3.1 3.1 半导体基础知识半导体基础知识3.2 3.2 半导体二极管半导体二极管3.3 3.3 稳压二极管稳压二极管2.1 2.1 半导体基础知识半导体基础知识一、本征半导体一、本征半导体二、杂质半导体二、杂质半导体三、三、PNPN结的形成及其单向导电性结的形成及其单向导电性四、四、PNPN结的电容效应结的电容效应一、一、本征半导体本征半导体 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。1、什么

2、是半导体？什么是本征半导体？什么是半导体？什么是本征半导体？ 导体铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电导体铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原绝缘体惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。电。 半导体硅（半导体硅（Si）、锗（）、锗（Ge），均为四价元素，它们原），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。子

3、的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。无杂质无杂质稳定的结构稳定的结构2 2、本征半导体的结构、本征半导体的结构由于热运动，具有足够能量由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子而成为自由电子自由电子的产生使共价键中自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴留有一个空位置，称为空穴 自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。共价键共价键 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与高，热运动加剧，挣脱共价

4、键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。空穴对的浓度加大。动态平衡动态平衡两种载流子两种载流子 外加电场时，带负电的自由电外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。目很少，故导电性很差。为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？3 3、本征半导体中的两种载流子、本征半导体中的两种载流子运载电荷的粒子称为载流子。运载电荷的粒子称为载流子。 温度升高，热运动加剧，载温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。流子浓度增大，导电性

5、增强。 热力学温度热力学温度0K时不导电。时不导电。二、杂质半导体二、杂质半导体 1. N型半导体型半导体5磷（磷（P） 杂质半导体主要靠多数载流杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。导电性可控。多数载流子多数载流子 空穴比未加杂质时的数目多空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？了？少了？为什么？2. 2. P型半导体型半导体3硼（硼（B）多数载流子多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电，型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，导电性越强，

6、 在杂质半导体中，温度变化时，在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？子浓度的变化相同吗？三、三、PN结的形成及其单向导电性结的形成及其单向导电性 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。体、液体、固体均有之。扩散运动扩散运动P区空穴区空穴浓度远高浓度远高于于N区。区。N区自由电区自由电子浓度远高子浓度远高于于P区。区。 扩散运动使靠近接触面扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面区的空穴浓度降低、靠近接

7、触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场。区的自由电子浓度降低，产生内电场。PN 结的形成结的形成 因电场作用所产因电场作用所产生的运动称为漂移生的运动称为漂移运动。运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了平衡，就形成了PN结。结。漂移运动漂移运动 由于扩散运动使由于扩散运动使P区与区与N区的交界面缺少多数载流子，形成区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向区向P区、自由电子从区、自由电子从P区向区向N 区运动。区运动。PN结加正向

8、电压导通：结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，成扩散电流，PN结处于导通结处于导通状态。状态。PN结加反向电压截止：结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似流。由于电流很小，故可近似认为其截止。认为其截止。PN 结的单向导电性结的单向导电性必要吗？必要吗？四、四、PN 结的电容效应结的电容效应1. 势垒电容势垒电容 PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发

9、生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容同，其等效电容称为势垒电容Cb。2. 2. 扩散电容扩散电容 PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容过程，其等效电容称为扩散电容Cd。dbjCCC结电容：结电容： 结电容不是常量！若结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！则失去单向导电性！讨论一讨论一

10、o为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？导电性能？o为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？少子是影响温度稳定性的主要因素？o为什么半导体器件有最高工作频率？为什么半导体器件有最高工作频率？3.2 3.2 半导体二极管半导体二极管一、二极管的组成一、二极管的组成二、二极管的伏安特性及电流方程二、二极管的伏安特性及电流方程三、二极管的等效电路三、二极管的等效电路四、二极管的主要参数四

11、、二极管的主要参数 一、二极管的组成一、二极管的组成将将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。结封装，引出两个电极，就构成了二极管。小功率小功率二极管二极管大功率大功率二极管二极管稳压稳压二极管二极管发光发光二极管二极管 一、二极管的组成一、二极管的组成将将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。结封装，引出两个电极，就构成了二极管。点接触型：结面积小，点接触型：结面积小，结电容小，故结允许结电容小，故结允许的电流小，最高工作的电流小，最高工作频率高。频率高。面接触型：结面积大，面接触型：结面积大，结电容大，故结允许结电容大，故结允许的电流大，最高工作的电流大，最高工作频率低。频率低。平

12、面型：结面积可小、平面型：结面积可小、可大，小的工作频率可大，小的工作频率高，大的结允许的电高，大的结允许的电流大。流大。 二、二极管的伏安特性及电流方程二、二极管的伏安特性及电流方程材料材料开启电压开启电压导通电压导通电压反向饱和电流反向饱和电流硅硅Si0.5V0.50.8V1A以下以下锗锗Ge0.1V0.10.3V几十几十A)(ufi 开启开启电压电压反向饱反向饱和电流和电流击穿击穿电压电压mV)26( ) 1e (TSTUIiUu常温下温度的温度的电压当量电压当量二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。从二极管的伏安特性可以反映出从二极管的伏安

13、特性可以反映出： 1. 单向导电性单向导电性TeSTUuIiUu，则若正向电压) 1e (TSUuIi2. 伏安特性受温度影响伏安特性受温度影响T（）在电流不变情况下管压降在电流不变情况下管压降u 反向饱和电流反向饱和电流IS，U(BR) T（）正向特性左移正向特性左移，反向特性下移，反向特性下移正向特性为正向特性为指数曲线指数曲线反向特性为横轴的平行线反向特性为横轴的平行线增大增大1倍倍/10STIiUu，则若反向电压三、二极管的等效电路三、二极管的等效电路理想理想二极管二极管近似分析近似分析中最常用中最常用理想开关理想开关导通时导通时 UD0截止时截止时IS0导通时导通时UDUon截止时截

14、止时IS0导通时导通时i与与u成线性关系成线性关系应根据不同情况选择不同的等效电路！应根据不同情况选择不同的等效电路！1. 将伏安特性折线化将伏安特性折线化？100V？5V？1V？2. 2. 微变等效电路微变等效电路DTDDdIUiur根据电流方程，Q越高，越高，rd越小。越小。 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。ui=0时直流电源作用时直流电源作用小信号作用小信号作用静态电流静态电流四、二极管的主要参数四、二极管的主要参数o

15、最大整流电流最大整流电流IF：最大平均值：最大平均值o最大反向工作电压最大反向工作电压UR：最大瞬时值：最大瞬时值o反向电流反向电流 IR：即：即ISo最高工作频率最高工作频率fM：因：因PN结有电容效应结有电容效应我国晶体管得型号命名方法我国晶体管得型号命名方法 应用举例应用举例 例题例题1：二极管的静态工作情况分析：二极管的静态工作情况分析V 0D VmA 1/DDD RVI理想模型理想模型（R=10k ）VDD=10V 时时mA 93. 0/ )(DDDD RVVI恒压模型恒压模型V 7 . 0D V（硅二极管典型值）（硅二极管典型值）折线模型折线模型V 5 . 0th V（硅二极管典型

16、值）（硅二极管典型值）mA 931. 0DthDDD rRVVI k 2 . 0Dr设设V 69. 0DDthD rIVV+ DiDVDD+ DiDVDDVD+ DiDVDDrDVth例题例题2 2 ：整流：整流ttuuOOio/V/V1010解：采用理想电路模型解：采用理想电路模型 ui和和uo的波形如图所示的波形如图所示 电路如图所示，已知电路如图所示，已知u ui i10sin10sintt(v)(v)，试画出，试画出u ui i与与u uO O的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 例题例题3：写出图示各电路的输出电压值，设二：写出图示各电路的

17、输出电压值，设二极管导通电压极管导通电压UD0.7V。例题例题 4 ：电路如图所示，已知：电路如图所示，已知ui5sint (V)，二，二极管导通电压极管导通电压UD0.7V。试画出。试画出ui与与uO的波形，的波形，并标出幅值。并标出幅值。 o例例5：图中二极管为理想器件，：图中二极管为理想器件，D1、 D2工工作在何种状态；作在何种状态；UA=？。？。 D2D13 k6 V3 V+UAo例例6：图示电路中，发光二极：图示电路中，发光二极管导通电压管导通电压UD1.5V，正向，正向电流在电流在515mA时才能正常时才能正常工作。试问：工作。试问： （1）开关）开关S在什么位置时二在什么位置时

18、二极管才能发光？极管才能发光？ （2）R的取值范围是多少？的取值范围是多少？ o例例7：图中：图中D1-D3为理想二极管，为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？灯都相同，试问哪个灯最亮？ 3.3 3.3 稳压二极管稳压二极管一、伏安特性一、伏安特性二、主要参数二、主要参数三、基本电路的组成三、基本电路的组成一、稳压二极管的伏安特性一、稳压二极管的伏安特性进入稳压区的最小电流进入稳压区的最小电流不至于损坏的最大电流不至于损坏的最大电流 由一个由一个PN结组结组成，反向击穿后成，反向击穿后在一定的电流范在一定的电流范围内端电压基本围内端电压基本不变，为稳定电不变，为稳定电压。压。二、二

19、、 主要参数主要参数稳定电压稳定电压UZ最大功耗最大功耗PZM IZM UZ动态电阻动态电阻rzUZ /IZ稳定电流稳定电流IZ三、基本电路的组成三、基本电路的组成 若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！流的限流电阻！限流电阻必不可少！限流电阻必不可少！o例题例题4：已知稳压管的稳压值：已知稳压管的稳压值UZ6V，稳定，稳定电流的最小值电流的最小值Izmin5mA。求图所示电路。求图所示电路中中Uo1和和Uo2各为多少伏。各为多少伏。例题例题5: 已知图所示电路中稳压管的稳定电压已知图所示电路中稳压管的稳定电压Uz6V，最小稳定电流最小稳定电流 Izmin5mA，最大稳定电流，最大稳定电流Izmax25mA。 （1）分别计算）分别计算Ui为为10V、15V、35V三种情况下三种情况下输出电压输出电压 UO的值；