图设计中的设计规则PPT学习教案

1、会计学1图设计中的设计规则图设计中的设计规则2第1页/共54页3第2页/共54页4第3页/共54页5第4页/共54页6第5页/共54页7第6页/共54页8第7页/共54页9 设计规则或规整格式设计规则设计规则或规整格式设计规则 70年代末，Meed和Conway倡导以无量纲的“”为单位表示所有的几何尺寸限制，把大多数尺寸（覆盖，出头等等）约定为的倍数。通常 取栅长度取栅长度L的的一半一半，又称等比例设计规则等比例设计规则。由于其规则简单，主要适合于芯片设计新手使用，或不要求芯片面积最小，电路特性最佳的应用场合。在这类规则中，把绝大多数尺寸规定为某一特征尺寸“”的某个倍数。与工艺线所具有的工艺分

2、辨率有关，线宽偏离理想特征尺寸的上限以及掩膜版之间的最大套准偏差。 优点：版图设计独立于工艺和实际尺寸。第8页/共54页10第9页/共54页11 1. 设计规则或规整格式设计规设计规则或规整格式设计规则则 70年代末，Meed和Conway倡导以无量纲的“”为单位表示所有的几何尺寸限制，把大多数尺寸（覆盖，出头等等）约定为的倍数。通常 取栅长度取栅长度L的的一半一半，又称等比例设计规则等比例设计规则。由于其规则简单，主要适合于芯片设计新手使用，或不要求芯片面积最小，电路特性最佳的应用场合。在这类规则中，把绝大多数尺寸规定为某一特征尺寸“”的某个倍数。与工艺线所具有的工艺分辨率有关，线宽偏离理想

3、特征尺寸的上限以及掩膜版之间的最大套准偏差。 优点：版图设计独立于工艺和实际尺寸。第10页/共54页12第11页/共54页13层次表示 含义 标示图 NWELL N阱层 Locos N+或P+有源区层 Poly 多晶硅层 Contact 接触孔层 Metal 金属层 Pad 焊盘钝化层 NWELL硅栅的层次标示 第12页/共54页14编 号描 述尺 寸目的与作用1.1N阱最小宽度10.0保证光刻精度和器件尺寸1.2N阱最小间距10.0防止不同电位阱间干扰1.3N阱内N阱覆盖P+2.0保证N阱四周的场注N区环的尺寸1.4N阱外N阱到N+距离8.0减少闩锁效应第13页/共54页15第14页/共54

4、页16编 号描 述尺 寸目的与作用2.1P+、N+有源区宽度3.5保证器件尺寸，减少窄沟道效应2.2P+、N+有源区间距3.5减少寄生效应第15页/共54页17第16页/共54页18编 号描 述尺 寸目的与作用3.1多晶硅最小宽度3.0保证多晶硅线的必要电导3.2多晶硅间距2.0防止多晶硅联条3.3与有源区最小外间距1.0保证沟道区尺寸3.4多晶硅伸出有源区1.5保证栅长及源、漏区的截断3.5与有源区最小内间距3.0保证电流在整个栅宽范围内均匀流动第17页/共54页19第18页/共54页20编 号描 述尺 寸目的与作用4.1接触孔大小2.0 x2.0保证与铝布线的良好接触4.2接触孔间距2.0

5、保证良好接触4.3多晶硅覆盖孔1.0防止漏电和短路4.4有源区覆盖孔1.5防止PN结漏电和短路4.5有源区孔到栅距离1.5防止源、漏区与栅短路4.6多晶硅孔到有源区距离1.5防止源、漏区与栅短路4.7金属覆盖孔1.0保证接触，防止断条第19页/共54页21第20页/共54页22编 号描 述尺 寸目的与作用5.1金属宽度2.5保证铝线的良好电导5.2金属间距2.0防止铝条联条第21页/共54页23第22页/共54页24编 号描 述尺 寸目的与作用6.1最小焊盘大小90封装、邦定需要6.2最小焊盘边间距80防止信号之间串绕6.3最小金属覆盖焊盘6.0保证良好接触6.4焊盘外到有源区最小距离25.0提高可靠性需要第23页/共54页25第24页/共54页26第25页/共54页27第26页/共54页28第27页/共54页29第28页/共54页30第29页/共54页31第30页/共54页32第31页/共54页33第32页/共54页34第33页/共54页35下平行走过另一条用多晶硅或扩散区走线的长信号线。第34页/共54页36第35页/共54页37第36页/共54页38第37页/共54页39第38页/共54页40第39页/共54页41第40页/共54页42第41页/共54页43第42页/共54页44第43页/共54页45第44页/共54页46第45页