晶体结构与性质

1、高三化学一轮复习2010年考点直击年考点直击 了解晶体的涵义，晶体与非晶体的区别 了解构成四大晶体微粒，以及微粒之间作用力的区别 了解四大晶体中常见的NaCl 、CsCl 、干冰、金刚石、 晶体硅、 SiO2晶体结构特征，以及结构与性质的关系 知道金属晶体的基本堆积方式，及常见金属的晶胞结构晶体的特点：晶体的特点： （1）有固定的几何外形的固体（自范性）；）有固定的几何外形的固体（自范性）；（2）有固定的熔点；）有固定的熔点；一一 了解晶体的涵义，晶体与非晶体的区别了解晶体的涵义，晶体与非晶体的区别问题问题1 1：下列属于晶体的是：下列属于晶体的是铜块铜块 CuSOCuSO4 4 CO CO2

2、 2 NaCO NaCO3 3 .10H .10H2 2O O 干冰干冰 水水 常温下的常温下的Hg IHg I2 2蒸气蒸气问题问题2 2：以上不属于晶体的物质通过什么途径可以形成晶：以上不属于晶体的物质通过什么途径可以形成晶体体晶体形成的途径：晶体形成的途径： （1）熔融态物质凝固；（2）气态物质冷却不经 液态直接凝固（凝华）；（3）溶质从溶液中析出。晶体的基本类型晶体的基本类型分类依据：分类依据：构成晶体的构成晶体的粒子种类粒子种类及粒子间的及粒子间的相互作用相互作用。离子晶体离子晶体分子晶体分子晶体原子晶体原子晶体金属晶体金属晶体混合型晶体混合型晶体二二 了解构成四大晶体微粒，以及微粒

3、之间作用力的区别了解构成四大晶体微粒，以及微粒之间作用力的区别二二 了解构成四大晶体微粒，以及微粒之间作用力的区别了解构成四大晶体微粒，以及微粒之间作用力的区别三三 了解四大晶体中常见的了解四大晶体中常见的NaClNaCl 、CsClCsCl 、干冰干冰、金刚石、金刚石、 晶体硅、晶体硅、 SiO2SiO2晶体结构特征，以及结构与性质的关系晶体结构特征，以及结构与性质的关系配为数 晶胞中实际粒子数12410928 返回共价键三三 了解四大晶体中常见的了解四大晶体中常见的NaClNaCl 、CsClCsCl 、干冰、干冰、金刚石金刚石、 晶体硅晶体硅、 SiO2SiO2晶体结构特征，以及结构与性

4、质的关系晶体结构特征，以及结构与性质的关系配为数 晶胞中实际粒子数48三三 了解四大晶体中常见的了解四大晶体中常见的NaClNaCl 、CsClCsCl 、干冰、金刚石、干冰、金刚石、 晶体硅、晶体硅、 SiO2SiO2晶体晶体结构特征，以及结构与性质的关系结构特征，以及结构与性质的关系配为数 O Si 晶胞中实际粒子数O Si24816了解四大晶体中常见的了解四大晶体中常见的NaClNaCl 、CsClCsCl 、干冰、金刚石、干冰、金刚石、 晶体硅、晶体硅、 SiO2SiO2晶体结构特征，以及结构与性质的关系晶体结构特征，以及结构与性质的关系配为数 晶胞中实际粒子数Na+ 4 Cl- 46

5、三三 了解四大晶体中常见的了解四大晶体中常见的NaClNaCl 、CsClCsCl 、干冰、金刚石、干冰、金刚石、 晶体硅、晶体硅、 SiO2SiO2晶体结构特征，以及结构与性质的关系晶体结构特征，以及结构与性质的关系配为数 晶胞中实际粒子数8Cs+ 1 Cl- 1三三 常见金属的晶胞常见金属的晶胞K Na Cr Mo WpoAl Cu Ag Au配为数配为数 6 6 晶胞中实际粒子晶胞中实际粒子数数 1 1配为数配为数 8 8 晶胞中实际粒子晶胞中实际粒子数数 2 2配为数配为数 12 12 晶胞中实际粒子晶胞中实际粒子数数 4 4123456 第二层第二层 对第一层来讲最紧密的堆积方式是将

6、球对准对第一层来讲最紧密的堆积方式是将球对准 1，3，5 位。位。 ( 或对准或对准 2，4，6 位，其情形是一样的位，其情形是一样的 )123456AB， 关键是第三层，对第一、二层来说，第三层可以有两种最紧关键是第三层，对第一、二层来说，第三层可以有两种最紧密的堆积方式。密的堆积方式。 下图是此种六方下图是此种六方紧密堆积的前视图紧密堆积的前视图ABABA 第一种是将球对准第一层的球。第一种是将球对准第一层的球。123456 于是每两层形成一个周期，于是每两层形成一个周期，即即 AB AB 堆积方式，形成六堆积方式，形成六方紧密堆积方紧密堆积。 配位数配位数 12 。 ( 同层同层 6，上

7、下层各，上下层各 3 ) 第三层的第三层的另一种另一种排列排列方式，方式，是将球对准第一层是将球对准第一层的的 2，4，6 位，不同于位，不同于 AB 两层的位置，这是两层的位置，这是 C 层。层。123456123456123456123456此种立方紧密堆积的前视图此种立方紧密堆积的前视图ABCAABC 第四层再排第四层再排 A，于是形，于是形成成 ABC ABC 三层一个周三层一个周期。期。 得到面心立方堆积得到面心立方堆积。 配位数配位数 12 。( 同层同层 6， 上下层各上下层各 3 ) 形成性检测形成性检测形成性检测形成性检测形成性检测形成性检测 某离子晶体结构如图所示，某离子晶

8、体结构如图所示，X X（表示）（表示）位于立方体的顶点，位于立方体的顶点，Y Y（表示）位于立方体表示）位于立方体的中心。该晶体的化学式应为的中心。该晶体的化学式应为A AXYXY2 2B BX X2 2Y YC CX X4 4Y YD DXYXY3 3答案：答案：A A形成性检测形成性检测四四 晶体熔沸点、硬度比较晶体熔沸点、硬度比较（若存在氢键优先考虑）（若存在氢键优先考虑） 练习：描述下列各组物质的熔、沸点变练习：描述下列各组物质的熔、沸点变化规律，并说明其原因。化规律，并说明其原因。 ACH3CH2CH3、CH3CH2CH2CH3、 CH3CH2CH2CH2CH3升高，分子量增大，分子间作用力增大。升高，分子量增大，分子间作用力增大。 BH2O H2Se H2S、 降低降低 ，水中的氢键使得分子间作用力增强。，水中的氢键使得分子间作用力增强。 CHCl、HBr、HI升高，分子量增大，分子间作用力增大。升高，分子量增大，分子间作用力增大。形成性检测形成性检测 DNaF、MgF2、MgO升高，半径越小、电荷越大离子间作用力增强。升高，半径越小、电荷越大离子间作用力增强