线性电子电路试题

1、浙江省2003年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每空1分，共20分)1.利用晶体二极管的_和_特性，可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。2.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成_电流，由外加电场引起载流子运动形成_电流。3.已知某晶体三极管的VBE=0.7V,VCE=1.0V,则该管工作在区，由_材料制造。4.晶体管工作在放大状态时，其发射结的结电容主要是_电容，集电结的结电容主要是_电容。5.通常将反型层称为增强型MOS管的源区和漏区之间的_沟道，其中由_形成的沟道称为N沟道。6.场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈_关系，故又称该区

2、为_。7.在晶体管放大器中，即能放大电压也能放大电流的是_组态放大电路；可以放大电压但不能放大电流的是_组态放大电路。8.放大电路的失真分为_和_两大类。9.放大电路中，引入直流负反馈的作用是_，引入交流负反馈的目的是改善放大器的_。10.深度负反馈条件是_，此时反馈放大器的增益近似等于_。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.当PN结外加正向电压时，扩散电流(      )漂移电流。A.大于      

3、; B.小于       C.等于       D.近似等于2.当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域?(      )A.阻挡层       B.耗尽层       C.空间电荷区     &#

4、160; D.突变层3.有四个晶体三极管：已知它们的电流放大系数及穿透电流ICEO的值，使用时选用哪个更合适?(      )A.=200,ICEO=10A      B.=10,ICEO=0.1AC.=50,ICEO=0.1A      D.=100,ICEO=10A4.常温下，某晶体三极管在ICQ=1mA处，rbe=1.6K，=50,则 等于(      )。A.200  

5、     B.300       C.400       D.5005.某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是(      )。A.P沟道结型管       B.耗尽型PMOS管C.耗尽型NMOS管       D.增强型PMOS管6.

6、场效应管工作在放大状态时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的(      )。A.非饱和区       B.饱和区       C.截止区       D.击穿区7.具有相同参数的相同放大电路的两级放大器，在组成它的各个单级放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降(      )。A.3dB  &#

7、160;    B.6dB       C.20dB       D.9dB8.集成运算放大器实质上是一种(      )。A.交流放大器      B.高电压增益的交流放大器C.高电压增益的直接耦合放大器      D.高增益的高频放大器9.多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是( 

8、     )。A.各级电路的参数很分散      B.回路增益| |大C.闭环增益大      D.放大器的级数少10.负反馈可以改善放大器的性能，下述哪种说法不准确?(      )A.减少放大器增益       B.改变输入电阻       C.改变输出电阻  &#

9、160;    D.改善噪声系数三、简答题(每小题5分，共15分)1.       设二极管为理想，试判断图三(1)电路中，各二极管是否导通，并求VAO的值。2.       设图三(2)所示电路中三极管为硅管，=50，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区?3.       在图三(3)所示电路中，已知MOS管的,VGs(th)=1.0V,试求IDQ,VGSQ,VDSQ的值。四、分析计

10、算题(每小题9分，共45分)1.放大器电路如图四(1)所示，已知场效应管的gm=2ms,rds忽略不计，所有电容对交流呈短路。求：(1)电压放大倍数Av；(2)输入电阻Ri和输出电阻Ro；(3)只考虑CD的影响，求低端转折频率fL的值。2.差动放大电路如图四(2)所示，已知IEE=1mA，所有管子特性相同，=100,=0,|VA|=100V，求：(1)差模输入电阻Rid和差模输出电阻Rod；(2)差模电压放大倍数Ad=o/(i1-i2)；(3)由T3管构成的恒流源的等效内阻ro3.3.电路如图四(3)所示。(1)采用01输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路?(2)采用02输出时，该电

11、路属于何种类型与极性的反馈放大电路?(3)假设为深度负反馈，试求第2种情况下的电压增益Af=o2/i.4.运放电路如图四(4)所示，各运放均为理想，试求(1)03和o(t)及02和03的关系；(2)写出o(t)和s(t)之间的关系式。5  电路如图四(5)所示，所有运放均为理想且最大输出电压为±12V，设i1=i2=0V时，o=+12V(1)当i1=-10V，i2=0V时，经过多少时间，o由+12V跳变为-12V?(2)o变成-12V后，i2由0V变为+15V，求再经过多少时间，o由-12V跳变为+12V?(3)说明A1、A2各为什么单元电路。 浙江省2003年7

12、月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每小题2分，共20分)1.杂质半导体中的多数载流子是由_产生的，少数载流子是由_产生的。2.一般而言，击穿电压在6V以下的属于_击穿，6V以上的主要是_击穿。3.三极管工作在放大区时，各电极之间的电流关系是IC=_IB，IE=_IC.4.根据外加电压的不同，晶体三极管的输出特性曲线族可划分为放大区、区、饱和区和_区。5.已知场效应管VGS(th)=4V，当VGS=6V时，ID=1mA，试写出饱和区转移特性的表达式ID=_，当VGS=3V时，ID=_。6.在JFET中，沟道的导电能力受VGS和VDS的控制与MOS管类似，不同的是这

13、种控制是通过改变PN结_中的_来实现的。7.放大器中的线性失真可分为_失真和_失真两类。8.直接耦合放大电路中因温度变化引起的漂移称为_。采用电容耦合方式是否存在这种现象?_。9.若希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可采用_负反馈；若希望负载变化时输出电压稳定，则应引入_负反馈。10.若引入反馈减弱了输入信号的作用，使放大倍数_，这样的反馈称为_。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.当PN结反向工作时，其结电容主要是(     )。  A.势垒电容

14、0;      B.扩散电容  C.平板电容       D.势垒和扩散电容并存2.温度升高时，晶体二极管的VD(on)将(     )。  A.增大         B.减小  C.不变         D.近似不变3.晶体管的混合型等效电路模型在下列哪种情

15、况下才能应用?(     )  A.小信号，管子处在饱和区     B.大信号，管子处在放大区  C.小信号，管子处在放大区     D.大信号，管子处在饱和区4.某晶体三极管的iB从20A变化到40A时，对应的iC从2mA变化到5mA，则该管的等于(     )。  A.100         B.150  C.20

16、0          D.3005.P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是(     )。  A.VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)     B.VGS>V GS(th),VDS<VGS-VGS(th)   C.VGS<VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)     D.VGS<VGS(th),V

17、DS<VGS-VGS(th) 6.当场效应管工作在(     )区且限制VDS为小值时，可作为阻值受VGS控制的线性电阻器。  A.饱和       B.截止  C.非饱和       D.击穿7.在差动放大电路中，共模输入信号等于两个输入信号的(     )。  A.和值        B.

18、差值  C.迭加        D.平均值8.多级放大电路放大倍数的波特图是(     )。  A.各级波特图的叠加      B.各级波特图的乘积  C.各级波特图中通频带最窄者    D.各级波特图中通频带最宽者三、简答题(每小题5分，共15分)1.如图三(1)所示电路中的二极管为理想，试画出电路的传输特性曲线(v0vi的关系曲线)，并写出分析过程。2.设图三(2)所示电路

19、中的三极管为硅管，=50，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区?3.图三(3)所示电路中，设两管特性相同，T1管的(W/L)是T2管的5倍，=1000cm2/V·S，Cox=3×10-8F/cm2，(W/L)1=10,VGS(th)=2V，求ID2的值。四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.放大电路如图四(1)所示，已知晶体管的=50,bb=0，电容对交流短路，be=5.2k，ce忽略不计。试求：(1)放大电路的输入电阻Ri和输出电阻R0；(2)电压增益Av和源电压增益Avs.2.图四(2)是高输入阻抗型场效应管差分放大电路，用作高阻型集成运放的输入级。已知gm=2m

20、s，RL=10k，求：(1)差模电压增益Avd；(2)共模电压增益Avc，共模抑制比KCMR.3.反馈放大电路的交流通路如图四(3)所示，试：(1)判别级间反馈的类型；(2)设满足深度负反馈条件，计算源电压增益Avfs=v0/vs.4.理想运放电路如图四(4)所示，求v01、v02、v03的值。5.迟滞电压比较器电路如图四(5)所示，已知稳压管的VZ=6.3V，VD(on)=0.7V，运放的最大输出电压为±10V，VREF=3V，试：通过分析，画出比较特性(v0vi)曲线。浙江省2004年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每小题2分，共20分)1.半

21、导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成_电流，由外电场引起载流子运动，形成_电流。2.PN结具有电容特性，正偏时以_电容为主，反偏时以_电容为主。3.晶体三极管的ICBO是指_极开路的情况下，_的电流。4.已知某三极管VBE=0.7V，VCE=0.3V，则该管工作在_区，是由_材料制造的。5.MOS管作为开关应用时，其工作状态应在_和_之间转换。6.就VGS而言，增强型MOS管是_极性的，而耗尽型MOS管是_极性的。7.多级直接耦合放大电路的两个主要问题是_和_。8.放大器输入信号为单一频率正弦波，输出为非正弦波，这种失真称为_失真，这时输出信号中将产生_频率成份。9.反馈量来自放大电路的

22、输出电压，而又以电流信号的形式迭加到放大电路的输入端，称此种类型的负反馈是_。这种反馈可以使放大电路的输入电阻_。10.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入_负反馈，若要稳定输出电流应引入_负反馈。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.当半导体二极管的反向击穿电压小于6V，主要发生何种击穿现象?(     )A.雪崩击穿      B.齐纳击穿C.热击穿    

23、   D.碰撞击穿2.一个硅二极管在正向电压VD=0.6V时，正向电流ID为10mA，若VD增大到0.66V(即增加10%)，则电流ID(     )。A.约为11mA(也增加10%)B.约为20mA(增大1倍)C.约为100mA(增大到原先的10倍)D.仍为10mA(基本不变)3.如果将放大电路中的晶体三极管的基极和发射极短路，则(     )。A.管子深饱和      B.发射结反偏C.管子截止  &#

24、160;   D.集电结烧坏4.测得某放大电路中的三极管三个管脚对地电位分别是2V、2.3V、5V，则可判断该管的材料和类型是(     )。A.硅、NPN      B.硅、PNPC.锗、NPN      D.锗、PNP5.场效应管是一种(     )。A.电压控制器件      B.电流控制器件C.双极型

25、器件       D.少子工作的器件6.若场效应管的偏置电压VGSQ=1V，则该管不可能是一个(     )。A.P沟道结型管      B.N沟道结型管C.P沟道耗尽型MOS管    D.N沟道增强型MOS管7.需设计一只单级晶体管放大器，要求输入电阻很大，输出电阻小，请选择(     )。A.共射放大   

26、0;   B.共基放大C.共集放大       D.共源放大8.电容耦合放大电路(     )。A.只能放大直流信号B.只能放大缓变信号C.只能放大交变信号D.既能放大直流信号又能放大交流信号9.要得到一个由电流控制的电压源，应选(     )负反馈形式。A.电压串联       B.电压并联C.电流串联   

27、0;   D.电流并联10.深度负反馈电路的放大器增益取决于反馈系数，与基本放大器的放大倍数无关，但基本放大器(     )。A.可以去掉       B.不能去掉 C.不一定        D.并不重要三、简答题(每小题5分，共15分)1.已知晶体三极管的静态工作电流ICQ=1mA，VA=100V，=100，=100，试画出低频小信号混合型等效电路，并求出gm，rbe 、rc

28、e的值。2.电路如图三(2)所示，设MOS管的Cox(w/l)=40A/V2，VGS(th)=-1V，试求V0和ID的值。3.一电流源电路如图三(3)所示，设T1，T2管参数相同，=100，VBE=-0.6V。若要使IC2=1mA，VC212V，且R1=R2，试确定电阻R1、R2的最大允许值。四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.放大电路如图四(1)所示，已知三极管的=80,rbe=2.2k，求(1)放大器的输入电阻Ri；(2)从射极输出时的Au2和R02；(3)从集电极输出时的Au1和R01。2.放大电路如图四(2)所示，设各管的=100，VBE=0.7V，=200。试(1)求T2管的静

29、态工作点(ICQ2、VCQ2)；(2)估算放大器的电压增益Av；(3)求放大器输出电阻R0。3.放大电路如图四(3)所示，所有电容对交流视作短路，(1)判断级间反馈的类型和极性。(2)计算在深负反馈条件下，源电压增益Avfs=v0/vS的表达式。(3)若要求电路参数变化时，电压放大倍数基本不变，如何改接反馈电阻RF?并予以说明。4.理想运放组成的电路如图四(4)所示，试求输出电压v0与输入电压vi的关系式，并说明A1、A2实现的功能。5.迟滞比较器电路如图四(5)所示，二极管为理想器件，(1)画出比较特性；(2)设vi=6sint(V)，画出输出波形。(画二个周期)浙江省2004年7月高等教育

30、自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每小题1分，共10分)1.半导体是依靠_和空穴两种载流子导电的。2.PN结中的反向击穿现象按物理机制可分为_和齐纳击穿两大类。3.当晶体三极管工作在发射结加_、集电结加反偏的模式时，它呈现的主要特性是正向受控作用。4.若测得晶体管的三个电极电位分别是-5V，-4.7V，-2V，则该管类型是_。5.场效应管的饱和区又称放大区，它是沟道_后所对应的工作区。6.MOS管分为_种类型。7.三种基本组态晶体管放大电路中，共集组态具有输入电阻高、输出电阻_的特点。8.在直接耦合多级放大器中存在着需要解决的两个问题：一是级间电平的配合；二是克服_的有害

31、影响。9.放大电路中，要稳定输出电压，应引入_负反馈。10.反馈放大器是一个由基本放大器和_构成的闭合环路。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共30分)1. 杂质半导体中多数载流子浓度(      )。A. 与掺杂浓度和温度无关         B. 只与掺杂浓度有关C. 只与温度有关         &

32、#160;       D. 与掺杂浓度和温度都有关2. 半导体二极管是温度的敏感器件，当温度增加时，其参数IS和VD(on)都将发生变化，试选择正确答案。(      )。A. IS上升，VD(on)下降              B. IS上升，VD(on)上升C. IS下降，VD(on)下降     &

33、#160;        D. IS下降，VD(on)上升3. 随着温度的升高，晶体三极管的(      )将变小。A.               B. VBE(on)            C. ICBO  

34、0;         D. ICEO4. 晶体管的输出特性曲线分为四个区，请选择哪个区具有基区宽度调制效应?(      )A. 饱和区              B. 放大区              C.

35、截止区              D. 击穿区5. N沟道耗尽型MOS管工作在非饱和区的条件是(      )。A. VGS>VGS(th), VDS>VGS-VGS(th)B. VGS>VGS(th), VDS<VGS-VGS(th)C. VGS<VGS(th), VDS>VGS-VGS(th)D. VGS<VGS(th), VDS<VGS-VGS(th)6. 以下场

36、效应管中哪个的衬底必须接在电路中的最高电位上?(      )A. P沟道JFET管                B. N沟道DMOS管              C. N沟道EMOS管       

37、;         D. P沟道EMOS管7. 设计一只单级放大器，要求输入阻抗小，输出阻抗大，请选择(      )。A. 共射放大              B. 共基放大              C.共

38、集放大               D. 共源放大8. 差分放大器中，用恒流源替代射极电阻Re是为了(      )。A. 提高Avd            B. 提高Avc         C. 提高KCMR 

39、;             D. 提高Rod9. 交流负反馈是指(      )。A. 只存在于电容耦合电路中的负反馈              B. 交流通路中的负反馈           

40、;   C. 放大正弦波信号时才有的负反馈D. 变压器耦合电路中的负反馈 10. 负反馈放大电路中，若满足深度负反馈条件，则反馈信号和输入信号之间应满足(      )。A.  f> i             B.  f i            C.  f&l

41、t; i            D.  f=1/ i11. 纯净半导体中加入+3价元素后，将形成(      )。A. 电子型半导体              B. 空穴型半导体          &

42、#160;   C. 杂质半导体                D. 本征半导体12. PNP型晶体三极管工作在截止区的条件是(      )。A. VBE>0,VCB>0      B. VBE>0,VCB<0C. VBE<0,VCB>0   

43、0;  D. VBE<0,VCB<013. 若已知MOS场效应晶体管的IDSS=10mA,VGS(th)=-4V，VGSQ=-2V。则IDQ为(      )。A. 1.5mA              B. 2.0mA              C. 2.

44、5mA              D. 3.0mA14. 理想差分放大器由单端输出改为双端输出时，其共模抑制比应为(      )。A. 无穷大                  B. 为单端输出时的一半C. 为单端输出的2倍  

45、       D. 零 15. 对于电压并联负反馈而言，下列哪个回答是正确的?(      )。A. 输入电阻变大，输出电阻变大B. 输入电阻变大，输出电阻变小C. 输入电阻变小，输出电阻变大D. 输入电阻变小，输出电阻变小三、简答题(每小题5分，共15分)1判断图三(1)电路中各二极管是否导通，并求VAO的值。设二极管正向导通压降为0.7V。 2.图三(2)所示为两级放大电路，若忽略管子的基极电流，>>1,|VBE(on)|=0.7V,求Ic1,Vc1和Ic2的

46、值。3.图三(3)所示为某场效应管的转移特性，请说明其属于何沟道、何种类型?并指出它的VGS(th)或VGS(off)等于何值?(图中iD的假定正向为流进漏极)四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.放大电路如图四(1)所示，已知ICQ=1mA,=100,rbb=0,|VA|=，电容对交流短路，试求：(1)输入电阻Ri和输出电阻Ro；(2)电压增益Av和源电压增益Avs。2.差分放大电路如图四(2)所示，已知T1,T2参数对称，=100,rbb=0，I=2mA求：(1)T1的静态工作点(ICQ1、VCQ1)； (2)差模电压增益Avd的值；(3)共模抑制比KCMR的值。 3.反馈放

47、大电路的交流通路如图四(3)所示，试：(1)判别级间反馈的类型；(2)设电路满足深度负反馈条件，计算电压增益Avf=vo/vi 4.电路如图四(4)所示，运放A是理想的，已知R2=5k，R3=1k，C1=47F，R1=0.83k(1)若输入为中频正弦交流信号，求中频增益Avi=vo/vi的值；(2)电路的下限截止频率fL=? 5.电路如图四(5)所示，图中二极管和运放均为理想，试通过分析，绘出vovi的关系曲线，要求写出分析过程。 浙江省2005年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每小题2分，共20分)1.P型半导体中多数载流子为

48、_，少数载流子为_。2.PN结的反向击穿有_和_两种击穿。3.三极管工作在饱和状态时，其发射结_，集电结_。4.当某三极管VBE=0.7V，VCE=0.3V，则该管工作在_区，集电极电流和基极电流关系是_。5.场效应管的导电过程仅仅取决于_载流子的运动；因而它又称做_器件。6.在场效应管放大电路中，就VGS而言，_型MOS管是单极性的，而_型MOS管可以是双极性的。7.放大器的失真分为_失真和_失真两大类。8.在相同条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移_，而直接耦合放大电路的零点漂移_。9.共发射极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是_，共基极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关

49、系是_。10.设计一个负反馈放大电路，要使输入电阻增大应引入_型负反馈，若要稳定输出电压应引入_型负反馈。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.杂质半导体中少数载流子浓度(      )。A.只与温度有关                      B.取决

50、于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关                        D.与掺杂浓度和温度都无关2.判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量(      )。A.IB           

51、                     B.VCEC.VBE                            &

52、#160;  D.IC4.场效应管是(      )器件。A.电流控制电流                      B.电流控制电压C.电压控制电流               

53、       D.电压控制电压5.在差动式放大电路中，共模输入信号等于两个输入端信号的(      )。A.和值                              B.差值C.平均值 

54、;                           D.乘积值6.由PNP管组成的共射放大电路，若测得VCEQ=-VCC,-VCC为电源电压，则可判断该三极管处于(      )。A.放大状态        

55、;                  B.饱和状态C.截止状态                          D.击穿状态7.希望放大器具有大的输入电阻和稳定的输出电流，应引入

56、(      )负反馈。A.电压串联                          B.电压并联C.电流串联               

57、0;          D.电流并联8.共集电极电路信号从(      )。A.基极输入，集电极输出              B.发射极输入，集电极输出C.基极输入，发射极输出            

58、0; D.发射极输入，基极输出9.集成运算放大电路的输入级通常采用(      )电路。A.共集电极放大                      B.共发射极放大C.差动放大             

59、0;            D.共基极放大三、简答题(每小题5分，共15分)1.试分析图三(1)所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 2.电路如图三(2)所示，已知MOS管的nCox()=250A/V2,VGs(th)=2.0V,试求ID,VGS,VDS的值。 3.图三(3)所示为某场效应管的转移特性，请说明其属于何沟道、何种类型?并指出它的VGS(th)或VGS(off)等于何值?(图中iD的假定正向为流进漏极) 四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.电路如图四(1)所示，晶体管的80，rbe=1k。（1）求出Q点；（2）分别求出RL和RL3k时电路的和Ri；（3）求出Ro。 2.放大电路如图四(2)所示，T1管和T2管的均为40，rbe均为3k。试问：若输入直流信号uI1=20mv，uI2=10mv，则电路的共模输入