晶体驱动电路及设计ppt课件

1、功率元件驱动设计SCR BJT MOS IGBT驱动设计朱国荣2019-11-11电力半导体器件o厂内常用功率半导体1.2功率二极管 1.3 晶闸管SCR1.4 功率晶体管BJT1.6 功率场效应管MOSFET1.7 IGBT功率元件简介BJT构造,参数及驱动设计MOS构造,参数及驱动设计SCR构造,参数及驱动设计IGBT构造,参数及驱动设计SCR简介BJT构造参数及驱动设计oBJT简介o双极结型晶体管Bipolar Junction TransistorBJTo 分类o根据功率，可分为小功率晶体管和电力晶体管o 运用o20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT

2、和电力MOSFET取代o 运用o20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代 BJT共发射极电路的输出特性 图1-10 BJT共发射极电路的输出特性该图表示集电极电流IC 与集射极电压UCE的关系，其参变量为IB，特性上的四个区域反映了BJT的四种任务形状。在晶体管关断形状时，基极电流IB0，集电极发射极间电压即使很高，但发射结与集电结均处于反向偏置，即UBE0，UBC0，UBCIC /时，晶体管就充分饱和了。这时发射结和集电结都是正向偏置，即UBE0，UBC0，电流增益和导通压降UCE均到达最小值，BJT进入饱和区IV区。BJT任务在饱和区

3、，相当于处于导通形状的开关。 BJT的开关特性图1-11 BJT的开关特性 当基极回路输入一幅值为UPUPUBB的正脉冲信号时，基极电流立刻上升到 ，在IB的作用下，发射结逐渐由反偏变为正偏，BJT由截止形状变为导通形状 ，集电极电流IC上升到负载电阻压降 。集电极电流IC上升到负载电阻压降 ，集电结变为零偏甚至正偏，集电极与发射极之间的压降UCE0，BJT任务在饱和形状，BJT相当于闭合的开关。当基极输入脉冲为负或零时，BJT的发时结和集电结都处于反向偏置，集电极电流逐渐下降到ICICEO0，因此负载电阻RL上的压降可以忽略不计，集电极与发射极之间的压降UCEUCC，即BJT任务在截止形状，

4、BJT相当于一断开的开关1.3.5 达林顿BJT与BJT模块T1T2CBT1T2ECBR1R2图1-17 达林顿BJT的等效电路T1T2ECBR1R2D1DF达林顿BJT有以下特点：1 共射极电流增益值大 )1 () 1(122221BBEIRU图1-18 BJT模块的等效电路 BJT模块除了有上述达林顿BJT的特点外，还有如下优点： 1 它是能量高度集中的组合器件，大大减少了变换器的体积； 2 有电绝缘且传热好的固定底座，安装运用很方便； 3 内含续流二极管减少了线路电感，降低了器件关断时电流变化率呵斥的过电压。2 饱和压降UCEsa较高 3 关断速度减慢 ts = ts1 + ts21.4

5、 功率场效应管 1.4.1 概述功率场效应管，即功率MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 是一种单极型的电压控制器件，有驱动功率小、任务速度高、无二次击穿、平安任务区宽等显著优点。在中小功率的高性能开关电源、斩波器、逆变器中，功率场效应管成为双极型晶体管的竞争对手，并得到了越来越广泛的运用。 图1-19 功率场效应管构造图a“TMOSFET； b“VMOSFET1.4.2 MOSFET的根本特性 1；转移特性图1-20N沟道型MOSFET的转移特性 只需UGS大于门槛电压UGSth才有漏极电流ID流过，在ID较大时

6、，ID和UGS近似为线性关系，亦即跨导gFS为常数：GSDFSdUdIg/ U GS10V之后，MOSFET的ID由外电路限制了。因此任务在开关形状的MOSFET正向驱动电压Ug10V。 二输出特性 输出特性可以分为三个区输出特性可以分为三个区域域 : :可调电阻区可调电阻区I I，饱和区，饱和区IIII和雪崩区和雪崩区III III 图1-21功率MOSFET输出特性1.4.2 MOSFET的根本特性 三MOSFET的电容 图1-22 MOSFET各端点之间的电容 MOSFET各极之间的结电容由其物理构造所决议，金属氧化膜的栅极构造决议了栅漏之间的结电容Cgd和栅源之间的结电容Cgs，MOS

7、FET的PN结构成了漏源间的结电容Cds。 图1-22表示了MOSFET的输入电容Ciss、输出电容Coss和反向传输电容Crss与结电容之间的关系。 四开关特性 90%UDSUGStrtd(on)td(off)tf10%图1-23 开关特性测试电路与波形td(on)：开通延迟时间tr：上升时间 td(off) ：关断延迟时间，tf ：下降时间 rondonttt)(foffdoffttt)(1.4.3 MOSFET平安任务区图1-24 MTM 4N 50的平安任务区a最大额定开关平安任务区； b最大额定正偏平安任务区 由于电流具有随温度上升而下降的负反响效应，因此MOSFET中不存在电流集中

8、和二次击穿的限制问题，它有较好的平安任务区SOA 图1-24是型号为MTM 4N 50(500V, 4A)的MOSFET的平安任务区，它分最大额定开关平安任务区和最大额定正向偏置平安任务区两种。 最大额定开关平安任务区是负载线可跨越而不会招致MOSFET损坏的界限，根本的限制是峰值电流IDM和击穿电压U(BR)DSS ，这个平安任务区只适用于器件开关时间小于1s的开通和关断过程 在其他任务条件下，运用正向偏置平安任务区。正向偏置平安任务区受功率损耗的限制，而结温是随功率损耗的变化而变化，图1-29 b表示的是温度为25时的正向偏置平安任务区。 在任一温度下，某一任务电压的允许电流可经过以下等式

9、算出：CjcDCCACDATcDRPTII25125()(144 MOSFET的根本参数 一漏极额定电流ID和峰值电流IDM 二通态电阻rDS(ON 三阀值电压UGS(th) 四漏源击穿电压U(BR)DSS 五最大结温TJM 六最大耗散功率PD 七热阻 jcRjcRTC +PD TJM1.5 绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT )1.5.1 IGBT的构造与任务原理 图1-25 IGBT的构造剖面图 图1-26 IGBT简化等效电路及信号绝缘栅极双极型晶体管简称IGBT,它将功率MOSFET与BJT的优点集于一身，既具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、驱动电路简单等优点，又具有通态压降低、耐压高

10、和接受电流大等优点 由构造图可以看出，IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区BJT，其简化等效电路如图1-26所示，图中电阻Rdr是厚基区BJT基区内的扩展电阻。 IGBT是以BJT为主导元件，MOSFET为驱动元件的达林顿构造器件，图示器件是N沟道IGBT，MOSFET为N沟道型，BJT为PNP型。 1.5.2 IGBT的根本特性 伏安特性转移特性 IGBT的伏安特性是指以栅极电压UGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压UCE之间的关系曲线 IGBT的伏安特性与BJT的输出特性类似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分 IGBT作为开关器件稳态时主要任务在饱和导通区 I

11、GBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。 它与MOSFET的转移特性一样，当栅极电压UGE小于开启电压UGE(th)时，IGBT处于关断形状。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与UGE呈线性关系。 1.5.2 IGBT的根本特性 ET2CT1RLUCCICUCE+UGE-UGE(a)0.9IC0.9ICtftd(off)td(on)ton0.9VCC0.9VCCtt0.1UGE+UGE0.9UGE0UGEICIC=VCC/RL0.1IC-UGEt00trtoff0.1ICUCE0.1VCC0.1VCC(b) IGBT的开关特性的测试电路 IGBT的开关特性的

12、开关特性曲线 IGBT的开关特性如图1-35所示。由图可知IGBT的开关特性与功率MOSFET根本一样。 td(on)+ tr= ton叫开通时间，td(off)+ tf= toff叫关断时间 11010010001101001000集电极电流 IC(A)极射极电压 UCE（V）极射极电压 UCE（V）200400600800100001101001000集电极电流 IC(A)DC1ms100us15usIGBT的正偏平安任务区和反偏平安任务区 IGBT开通时的正向偏置平安任务区FBSOA是由最大集电极电流ICM、最大集射极电压UCEM、最大功耗三条边境极限曲线包围而成的， IGBT的反向偏置

13、平安任务区RBSOA如图1-29 b)所示。它根本上是一矩形：2倍的额定集电极电流2IC和额定集射级电压UCE所围成的矩形。 3.3 3.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管3.3.1 3.3.1 概述概述3.3.2 3.3.2 电力电力MOSFETMOSFET的构造和任务原理的构造和任务原理3.3.3 3.3.3 电力电力MOSFETMOSFET的根本特性的根本特性3.3.4 3.3.4 电力电力MOSFETMOSFET的主要参数的主要参数3.3.1 3.3.1 概述概述也分为结型和绝缘栅型类似小功率Field Effect TransistorFET但通常主要指绝缘栅型中的MOS型Meta

14、l Oxide Semiconductor FET简称 电力MOSFETPower MOSFET结型电力场效应晶体管普通称作静电感应晶体管Static Induction TransistorSIT3.3.1 3.3.1 概述概述 特点用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单，需求的驱动功率小开关速度快，任务频率高热稳定性优于GTR电流容量小，耐压低，普通只适用于功率不超越10kW的电力电子安装 3.3.2 3.3.2 电力电力MOSFETMOSFET的构造和任务原理的构造和任务原理电力电力MOSFET的种类的种类按导电沟道可分为按导电沟道可分为P沟道沟道和和N沟道沟道耗尽型耗尽型当栅极电压为零时

15、漏源极当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道之间就存在导电沟道加强型加强型对于对于NP沟道器件，栅沟道器件，栅极电压大于小于零时才存在导电极电压大于小于零时才存在导电沟道沟道电力电力MOSFET主要是主要是N沟道加强型沟道加强型3.3.2 3.3.2 电力电力MOSFETMOSFET的构造和任务原理的构造和任务原理电力电力MOSFET的构造的构造图图1-19电力电力MOSFET的构造和电气图形符号的构造和电气图形符号N+GSDP沟道b)N+N-SGDPPN+N+N+沟道a)GSDN沟道图1-193.3.2 3.3.2 电力电力MOSFETMOSFET的构造和任务原理的构造和任务原理导通时只需

16、一种极性的载流子多子参与导电，是单极型晶体管导电机理与小功率MOS管一样，但构造上有较大区别电力MOSFET的多元集成构造国际整流器公司International Rectifier的HEXFET采用了六边形单元西门子公司Siemens的SIPMOSFET采用了正方形单元摩托罗拉公司Motorola的TMOS采用了矩形单元按“品字形陈列 3.3.2 3.3.2 电力电力MOSFETMOSFET的构造和任务原理的构造和任务原理小功率MOS管是横导游电器件 电 力 M O S F E T 大 都 采 用 垂 直 导 电 构 造 ， 又 称 为 VMOSFETVertical MOSFET大大提高了

17、 MOSFET器件的耐压和耐电流才干 按垂直导电构造的差别，又分为利用V型槽实现垂 直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双分散构造的VDMOSFETVertical Double-diffused MOSFET 这里主要以VDMOS器件为例进展讨论3.3.2 3.3.2 电力电力MOSFETMOSFET的构造和任务原理的构造和任务原理电力电力MOSFET的任务原理的任务原理截止：漏源极间加正电源，栅源极间电截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零压为零P基区与基区与N漂移区之间构成的漂移区之间构成的PN结结J1反反偏，漏源极之间无电流流过偏，漏源极之间无电流流过3.3.2 3.3.2 电力电

18、力MOSFETMOSFET的构造和任务原理的构造和任务原理电力电力MOSFET的任务原理的任务原理导电：在栅源极间加正电压导电：在栅源极间加正电压UGS栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而区中的空穴推开，而将将P区中的少子区中的少子电子吸引到栅极下面的电子吸引到栅极下面的P区区外表外表当当UGS大于大于UT开启电压或阈值电压时，开启电压或阈值电压时，栅极下栅极下P区外表的电子浓度将超越空穴浓度，使区外表的电子浓度将超越空穴浓度，使P型半导体反型成型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层型

19、而成为反型层，该反型层构成构成N沟道而使沟道而使PN结结J1消逝，漏极和源极导电消逝，漏极和源极导电3.3.3 3.3.3 电力电力MOSFETMOSFET的根本特性的根本特性1)静态特性静态特性图图1-20电力电力MOSFET的转移特性和输出特性的转移特性和输出特性a)转移特性转移特性b)输出特性输出特性01020305040图1-202468a)10203050400b)1020305040饱和区非饱和区截止区ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT=3VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/A3.3.3 3.3.3 电力电力MOSFETMOSFET的根本特

20、性的根本特性漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为 跨导Gfs3.3.3 3.3.3 电力电力MOSFETMOSFET的根本特性的根本特性MOSFET的漏极伏安特性输出特性：的漏极伏安特性输出特性：截止区对应于截止区对应于GTR的截止区的截止区饱和区对应于饱和区对应于GTR的放大区的放大区非饱和区对应于非饱和区对应于GTR的饱和区的饱和区电力电力MOSFET任务在开关形状，即在截止区和非饱和任务在开关形状，即在截止区和非饱和区之间来回转换区之间来回转换电力电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加漏源极之间

21、有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通反向电压时器件导通电力电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利联时的均流有利3.3.3 3.3.3 电力电力MOSFETMOSFET的根本特性的根本特性 2) 动态特性 图1-21 电力MOSFET的开关过程 a) 测试电路 b) 开关过程波形 up脉冲信号源，Rs信号源内阻，RG栅极电阻，RL负载电阻，RF检测漏极电流a）b)图1-21RsRGRFRLiDuGSupiD信号+UEiDOOOuptttuGSuGSPuTtd(on)trtd(off)tf3.3.3 3.3.3 电力电力MOSFET

22、MOSFET的根本特性的根本特性开经过程开关过程图开经过程开关过程图开通延迟时间开通延迟时间td(on)up前沿时辰到前沿时辰到uGS=UT并开并开场出现场出现iD的时辰间的时间段的时辰间的时间段上升时间上升时间truGS从从uT上升到上升到MOSFET进入非饱和区进入非饱和区的栅压的栅压UGSP的时间段的时间段iD稳态值由漏极电源电压稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决议和漏极负载电阻决议UGSP的大小和的大小和iD的稳态值有关的稳态值有关UGS到达到达UGSP后，在后，在up作用下继续升高直至到达稳态，作用下继续升高直至到达稳态，但但iD已不变已不变开通时间开通时间ton开通延迟时间与

23、上升时间之和开通延迟时间与上升时间之和3.3.3 3.3.3 电力电力MOSFETMOSFET的根本特性的根本特性关断过程开关过程图关断过程开关过程图关断延迟时间关断延迟时间td(off)up下降到零起，下降到零起，Cin经过经过Rs和和RG放电，放电，uGS按指数曲线下降到按指数曲线下降到UGSP时，时，iD开场减小止的时间段开场减小止的时间段下降时间下降时间tfuGS从从UGSP继续下降起，继续下降起，iD减小，减小，到到uGS20V将导致绝缘层将导致绝缘层击穿击穿 4)极间电容极间电容极间电容极间电容CGS、CGD和和CDS 3.3.4 3.3.4 电力电力MOSFETMOSFET的主要

24、参数的主要参数厂家提供：漏源极短路时的输入电容Ciss、共源极输出电容Coss和反向转移电容Crss Ciss= CGS+ CGD 1-14 Crss= CGD 1-15 Coss= CDS+ CGD 1-16输入电容可近似用Ciss替代这些电容都是非线性的3.3.4 3.3.4 电力电力MOSFETMOSFET的主要参数的主要参数 漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决议了电力MOSFET的平安任务区 MOSFET正向偏置平安任务区(图中的时间表示脉冲宽度 普通来说，电力MOSFET不存在二次击穿问题，这是它的一大优点 实践运用中仍应留意留适当的裕量 10m s 1m s D C 1

25、0us ID 0 VD S 3.4 3.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管3.4.1 3.4.1 概述概述3.4.2 IGBT3.4.2 IGBT的构造和任务原理的构造和任务原理3.4.3 IGBT3.4.3 IGBT的根本特性的根本特性3.4.4 IGBT3.4.4 IGBT的主要参数的主要参数3.4.5 IGBT3.4.5 IGBT的擎住效应和平安任务区的擎住效应和平安任务区3.4.1 3.4.1 概述概述GTR和和GTO的特点的特点双极型，电流驱动，有电导双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流才干很强，开关速度较低，所需驱调制效应，通流才干很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复

26、杂动功率大，驱动电路复杂MOSFET的优点的优点单极型，电压驱动，开关速度单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单驱动电路简单两类器件取长补短结合而成的复合器件两类器件取长补短结合而成的复合器件Bi-MOS器件器件3.4.1 3.4.1 概述概述绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管Insulated-gateBipolarTransistorIGBT或或IGTGTR和和MOSFET复合，结合二者的优点，复合，结合二者的优点，具有好的特性具有好的特性1986年投入市场后，取代了年投入市场后，取代了GTR和一部分

27、和一部分MOSFET的市场的市场,中小功率电力电子设备的主中小功率电力电子设备的主导器件导器件继续提高电压和电流容量，以期再取代继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的位置的位置3.4.2 IGBT3.4.2 IGBT的构造和任务原理的构造和任务原理nIGBT是三端器件：栅极G、集电极C和发射极En图1-22 IGBT的构造、简化等效电路和电气图形符号na) 内部构造断面表示图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号EGCN+N-a)PN+N+PN+N+P+发射极 栅极集电极注入区缓冲区漂移区J3J2J1GEC+-+-+-IDRNICVJ1IDRonb)GCc)3.4.2 IGBT3.4.2

28、 IGBT的构造和任务原理的构造和任务原理IGBT的构造显示图的构造显示图图图1-22aN沟道沟道VDMOSFET与与GTR组合组合N沟沟道道IGBTN-IGBTIGBT比比VDMOSFET多一层多一层P+注入区，构成了一注入区，构成了一个大面积的个大面积的P+N结结J1使使IGBT导通时由导通时由P+注入区向注入区向N基区发射少子，基区发射少子，从而对漂移区电导率进展调制，使得从而对漂移区电导率进展调制，使得IGBT具有很强的具有很强的通流才干通流才干简化等效电路阐明，简化等效电路阐明，IGBT是是GTR与与MOSFET组成的组成的达林顿构造，一个由达林顿构造，一个由MOSFET驱动的厚基区

29、驱动的厚基区PNP晶体晶体管管RN为晶体管基区内的调制电阻为晶体管基区内的调制电阻3.4.2 IGBT3.4.2 IGBT的构造和任务原理的构造和任务原理IGBT的原理的原理驱动原理与电力驱动原理与电力MOSFET根本一样，场控器件，根本一样，场控器件，通断由栅射极电压通断由栅射极电压uGE决议决议导通：导通：uGE大于开启电压大于开启电压UGE(th)时，时，MOSFET内内构成沟道，为晶体管提供基极电流，构成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通导通导通压降：电导调制效应使电阻导通压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压减小，使通态压降小降小关断：栅射极间施加反压或不加信号时，关断：栅

30、射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内内的沟道消逝，晶体管的基极电流被切断，的沟道消逝，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断关断3.4.3 IGBT3.4.3 IGBT的根本特性的根本特性1)IGBT的静态特性的静态特性图图1-23IGBT的转移特性和输出特性的转移特性和输出特性a)转移特性转移特性b)输出特性输出特性O有源区正向阻断区饱和区反向阻断区a)b)ICUGE(th)UGEOICURMUFMUCEUGE(th)UGE增加3.4.3 IGBT3.4.3 IGBT的根本特性的根本特性转移特性转移特性IC与与UGE间的关系，与间的关系，与MOSFET转移特转移特性类似性类似开启电压开启

31、电压UGE(th)IGBT能实现电导调制而导通的能实现电导调制而导通的最低栅射电压最低栅射电压UGE(th)随温度升高而略有下降，在随温度升高而略有下降，在+25C时，时，UGE(th)的值普通为的值普通为26V输出特性伏安特性输出特性伏安特性以以UGE为参考变量时，为参考变量时，IC与与UCE间的关系间的关系分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。分别与分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。分别与GTR的截止区、放大区和饱和区相对应的截止区、放大区和饱和区相对应uCE0时，时，IGBT为反向阻断任务形状为反向阻断任务形状3.4.3 IGBT3.4.3 IGBT的根本特性的根本特性 2)

32、IGBT的动态特性的动态特性 图图1-24IGBT的开关过程的开关过程ttt10%90%10%90%UCEIC0O0UGEUGEMICMUCEMtfv1tfv2tofftontfi1tfi2td(off)tftd(on)trUCE(on)UGEMUGEMICMICM3.4.3 IGBT3.4.3 IGBT的根本特性的根本特性IGBT的开经过程的开经过程开关过程图开关过程图与与MOSFET的类似，的类似，由于开经过程中由于开经过程中IGBT在大部分时间作为在大部分时间作为MOSFET运转运转开通延迟时间开通延迟时间td(on)从从uGE上升至其幅值上升至其幅值10%的的时辰，到时辰，到iC上升至

33、上升至10%ICM电流上升时间电流上升时间triC从从10%ICM上升至上升至90%ICM所所需时间需时间开通时间开通时间ton开通延迟时间与电流上升时间之和开通延迟时间与电流上升时间之和uCE的下降过程分为的下降过程分为tfv1和和tfv2两段。两段。tfv1IGBT中中MOSFET单独任务的电压下降过程；单独任务的电压下降过程；tfv2MOSFET和和PNP晶体管同时任务的电压下降过程晶体管同时任务的电压下降过程3.4.3 IGBT3.4.3 IGBT的根本特性的根本特性IGBT的关断过程开关过程图的关断过程开关过程图关断延迟时间关断延迟时间td(off)从从uGE后沿下降到其幅值后沿下降

34、到其幅值90%的时辰起，到的时辰起，到iC下降至下降至90%ICM电流下降时间电流下降时间tfiC从从90%ICM下降至下降至10%ICM关断时间关断时间toff关断延迟时间与电流下降之和关断延迟时间与电流下降之和电流下降时间又可分为电流下降时间又可分为tfi1和和tfi2两段。两段。tfi1IGBT内部的内部的MOSFET的关断过程，的关断过程，iC下降较下降较快；快；tfi2IGBT内部的内部的PNP晶体管的关断过程，晶体管的关断过程，iC下下降较慢降较慢3.4.3 IGBT3.4.3 IGBT的根本特性的根本特性IGBT中双极型PNP晶体管的存在，虽然带来了电导调制效应的益处，但也引入了少子储存景象，因此IGBT的开关速度低于电力MOSFETIGBT的击穿电压、通态压降和关断时间也是需求折衷的参数3.4.4 IGBT3.4.4 IGBT的主要参数的主要参数 1)最大集射极间电压最大集射极间电压UCES由内部由内部PNP晶体管的击穿电压确定晶体管的击穿电压确定 2)最大集电极电流最大集电极电流包括额定直流电流包括额定直流电流IC和和1ms脉宽最大电流脉宽最大电流ICP 3)最大集电极功耗最大集电极功耗PCM正常任务温度下正常任务温度下允许的最大功耗允许的最大功耗3.4.4 IGBT3.4.4 I