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1、)中研号注比在中国静脉曲张袜行业前景趋势及发展方向研究报告2018-2023年(目录)完成时间:2018年|中研7幽H光及本报告的著作权归中研智业研究院所有。 本报告是中研智业研究院的研究与 统计成果,其性质是供客户内部参考的商业数据。本报告为有偿提供给购买本报告的客户使用, 并仅限于该客户内部使用。未 获得中研智业研究院书面授权,任何人不得以任何方式在任何媒体上(包括互联网)公开发布、复制,且不得以任何方式将本报告的内容提供给其它单位或个人 使用。如引用、刊发,需注明出处为“中研智业研究院”,且不得对本报告进行 有悖原意的删节与修改。否则引起的一切法律后果由该客户自行承担, 同时中研 智业研

2、究院亦认为其行为侵犯了中研智业研究院著作权,中研智业研究院有权依法追究其法律责任。本报告是基于中研智业研究院及其研究员认为可信的公开资料, 但中研智业 研究院及其研究员均不保证所使用的公开数据的准确性和完整性, 也不承担任何 投资者因使用本报告而产生的任何责任。行业研究报告是中研智业研究院服务体系下决策咨询报告系统的重要组成 部分。如对有关信息或问题有深入需求的客户, 欢迎使用中研智业研究院之专项 研究咨询服务。报告编号(No):255808【出版机构】:中研智业研究院【报告名称】:中国静脉曲张袜行业前景趋势及发展方向研究报告2018-2023年【关 键 字】:静脉曲张袜行业报告【出版日期】:

3、2018年9月【交付方式】:EMIL电子版或特快专递报告正文 http:/|中研7处H光沈【报告目录】第.一章 静脉曲张袜产业概述1.1 静脉曲张袜定义及产品技术参数1.2 静脉曲张袜分类1.3 静脉曲张袜应用领域1.4 静脉曲张袜产业链结构1.5 静脉曲张袜产业概述1.6 静脉曲张袜产业政策1.7 静脉曲张袜产业动态第二章静脉曲张袜生产成本分析2.1 静脉曲张袜物料清单(BOM2.2 静脉曲张袜物料清单价格分析2.3 静脉曲张袜生产劳动力成本分析2.4 静脉曲张袜设备折旧成本分析2.5 静脉曲张袜生产成本结构分析2.6 静脉曲张袜制造工艺分析2.7 中国2011-2017年静脉曲张袜价格、成

4、本及毛利第三章中国静脉曲张袜技术数据和生产基地分析3.1 中国2017年静脉曲张袜各企业产能及投产时间3.2 中国2017年静脉曲张袜主要企业生产基地及产能分布3.3 中国2017年主要静脉曲张袜企业研发状态及技术来源3.4 中国2017年主要静脉曲张袜企业原料来源分布(原料供应商及比重)第四章中国2011-2017年静脉曲张袜不同地区、不同规格及不同应用的产量分析4.1 中国2011-2017年不同地区(主要省份)静脉曲张袜产量分布4.2 2011-2017年中国不同规格静脉曲张袜产量分布4.3 中国2011-2017年不同应用静脉曲张袜销量分布4.4 中国2017年静脉曲张袜主要企业价格分

5、析4.5 中国2011-2017年静脉曲张袜产能、产量(中国生产量)进口量、 出口量、 销量(中国国内销量)、价格、 成本、销售收入及毛利率分析5.1 中国主要地区2011-2017年静脉曲张袜消费量分析5.2 中国2011-2017年静脉曲张袜消费额的地区分析5.3 中国2011-2017年静脉曲张袜消费价格的地区分析第六章中国2011-2017年静脉曲张袜产供销需市场调研6.1中国2011-2017年静脉曲张袜产能、产量、销量和产值6.2中国2014-2017年静脉曲张袜产量和销量的市场份额6.3中国2011-2017年静脉曲张袜需求量综述6.4中国2011-2017年静脉曲张袜供应、消费

6、及短缺6.5 中国2011-2017年静脉曲张袜进口、出口和消费6.6 中国2011-2017年静脉曲张袜成本、价格、产值及毛利率第七章静脉曲张袜主要企业分析7.1 丝维亚(上海)贸易有限公司7.1.1 公司简介7.1.2 静脉曲张袜产品图片及技术参数7.1.3 静脉曲张袜产能、产量、价格、成本、利润、收入7.1.4 丝维亚(上海)贸易有限公司 SWO价析7.2 维娜珊(大连)医疗袜业有限公司7.2.1 公司简介7.2.2 静脉曲张袜产品图片及技术参数7.2.3 静脉曲张袜产能、产量、价格、成本、利润、收入7.2.4 维娜珊(大连)医疗袜业有限公司SWO你析7.3 浙江迈兹袜业科技有限公司7.

7、3.1 公司简介7.3.2 静脉曲张袜产品图片及技术参数7.3.3 静脉曲张袜产能、产量、价格、成本、利润、收入7.3.4 浙江迈兹袜业科技有限公司SWO价析7.4 北京世博达科技发展有限公司7.4.1 公司简介7.4.2 静脉曲张袜产品图片及技术参数7.4.3 静脉曲张袜产能、产量、价格、成本、利润、收入7.4.4 北京世博达科技发展有限公司SWO份析7.5 意大利奇特医药公司|中研7处H光沈7.5.1 公司简介7.5.2 静脉曲张袜产品图片及技术参数7.5.3 静脉曲张袜产能、产量、价格、成本、利润、收入7.5.4 意大利奇特医药公司SWO价析7.6 浙江莎美实业股份有限公司7.6.1 公

8、司简介7.6.2 静脉曲张袜产品图片及技术参数7.6.3 静脉曲张袜产能、产量、价格、成本、利润、收入7.6.4 浙江莎美实业股份有限公司SWO价析7.7 绍兴好士德医用品有限公司7.7.1 公司简介7.7.2 静脉曲张袜产品图片及技术参数7.7.3 静脉曲张袜产能、产量、价格、成本、利润、收入7.7.4 绍兴好士德医用品有限公司SWO价析7.8 义乌市莎维亚袜业有限公司7.8.1 公司简介7.8.2 静脉曲张袜产品图片及技术参数7.8.3 静脉曲张袜产能、产量、价格、成本、利润、收入7.8.4 义乌市莎维亚袜业有限公司SWO价析7.9 广州市照豪纺织品科技有限公司7.9.1 公司简介7.9.

9、2 静脉曲张袜产品图片及技术参数7.9.3 静脉曲张袜产能、产量、价格、成本、利润、收入7.9.4 广州市照豪纺织品科技有限公司SWO你析第八章价格和利润率分析8.1 价格分析8.2 利润率分析8.3 不同地区价格对比8.4 静脉曲张袜不同产品价格分析8.5 静脉曲张袜不同价格水平的市场份额8.6 静脉曲张袜不同应用的利润率分析第九章静脉曲张袜销售渠道分析|中研7处H光沈9.1 静脉曲张袜销售渠道现状分析9.2 中国静脉曲张袜经销商及联系方式9.3 中国静脉曲张袜出厂价、渠道价及终端价分析9.4 中国静脉曲张袜进口、出口及贸易情况分析第十章中国2018-2023年静脉曲张袜发展趋势10.1 中

10、国2018-2023年静脉曲张袜产能产量预测分析10.2 中国2018-2023年不同规格静脉曲张袜产量分布10.3 中国2018-2023年静脉曲张袜销量及销售收入10.4 中国2018-2023年静脉曲张袜不同应用销量分布10.5 中国2018-2023年静脉曲张袜进口、出口及消费10.6 中国2018-2023年静脉曲张袜成本、价格、产值及利润率第十一章静脉曲张袜产业链供应商及联系方式11.1 静脉曲张袜主要原料供应商及联系方式11.2 静脉曲张袜主要设备供应商及联系方式11.3 静脉曲张袜主要供应商及联系方式11.4 静脉曲张袜主要买家及联系方式11.5 静脉曲张袜供应链关系分析第十二

11、章静脉曲张袜新项目可行性分析12.1 静脉曲张袜新项目SWO你析12.2 静脉曲张袜新项目可行性分析图表目录:图静脉曲张袜产品图片表 静脉曲张袜产品技术参数表静脉曲张袜产品分类图 中国2017年不同种类静脉曲张袜销量市场份额表静脉曲张袜应用领域图 中国2017年不同应用静脉曲张袜销量市场份额图 静脉曲张袜产业链结构图表 中国静脉曲张袜产业概述表 中国静脉曲张袜产业政策表 中国静脉曲张袜产业动态表静脉曲张袜生产物料清单表中国静脉曲张袜物料清单价格分析表 中国静脉曲张袜劳动力成本分析表 中国静脉曲张袜设备折旧成本分析表 静脉曲张袜2017年生产成本结构图中国静脉曲张袜生产工艺流程图表中国2011-

12、2017年静脉曲张袜价格(元 /双)表中国2011-2017年静脉曲张袜成本(元 /双)表中国2011-2017年静脉曲张袜毛利表 中国2017年主要企业静脉曲张袜产能(双)及投产时间表 中国2017年静脉曲张袜主要企业生产基地及产能分布表 中国2017年主要静脉曲张袜企业研发状态及技术来源表 中国2017年静脉曲张袜主要企业原料来源分布(原料供应商及比重)表中国2011-2017年不同地区静脉曲张袜产量(双)表中国2011-2017年不同地区静脉曲张袜销量市场份额图 中国2017年不同地区静脉曲张袜销量市场份额图 中国2017年不同地区静脉曲张袜销量市场份额表2011-2017年中国不同规格

13、静脉曲张袜产量(双)表2011-2017年中国不同规格静脉曲张袜产量市场份额图2017年中国不同规格静脉曲张袜产量市场份额图2017年中国不同规格静脉曲张袜产量市场份额表中国2011-2017年不同应用静脉曲张袜销量(双)表中国2011-2017年不同应用静脉曲张袜销量市场份额图 中国2017年不同应用静脉曲张袜销量市场份额图 中国2017年不同应用静脉曲张袜销量市场份额表 中国2017年静脉曲张袜主要企业价格分析(元 /双)表中国2011-2017年静脉曲张袜产能(双)、产量(双)、进口(双)、出口(双)、销量(双)内容参考第1章:发展综述篇1.1 中国半导体硅片、外延片行业发展概述1.1.

14、1半导体硅片、外延片行业概述(1)半导体硅片、外延片定义及分类在半导体制造业中广泛使用各种不同尺寸与规格的硅片,目前12英寸硅片的出货量占比超过60%,是目前主流的硅片尺寸。18英寸晶园世代的技术和机台设备有不少方针已开始确立,但依目前半导体业的态势观察,现在还很难取得实质性的进展。硅片是生产集成电路的主要原材料。硅片尺寸越大则每片硅片上可以制造的芯片数 量就越多,从而制造成本就越低。硅片尺寸的扩大和芯片线宽的减小是集成电路行业技术进 步的两条主线。目前 12英寸硅片的出货量占比超过 60%,是目前主流的硅片尺寸。半导体硅片通常由高纯度的多晶硅锭采用查克洛斯法(CZ Method )为主拉成不

15、同电阻率的硅单晶锭,然而经过晶体定向一外园滚磨一加工主、副参考面一切片一倒角一热处理一研磨一化学腐蚀一抛光一清洗一检测一包装等工序。根据硅纯度的不同要求, 可分为太阳能等级 6个“9”纯度,以及半导体等级11个“9” 纯度。(2)半导体硅片、外延片市场结构分析1)行业产品结构分析在半导体制造业中广泛使用各种不同尺寸与规格的硅片,通常包括4英寸、5英寸、6英寸、8英寸及12英寸,它们的基本规格如下表所示。中研,也比在图表1半体硅片分类情况(单位:毫米,微米,平方厘米,克,英寸)晶园尺寸(毫米)厚度(微米)面积(平方厘米)重量(克)55 8(2英寸)27920. 26L3276. 2(3英寸)38

16、145. 614. 05100 (4英寸)52578, 659.67125(5英寸)625112.7217.87150(6英寸)675176. 7227.82200(8英寸)725314. 1652.98300(12英寸)775706.21127.62图表来源:本研究中心整理由于缺乏统一定义,硅片尺寸的过渡时间无法达成共识,其中有一种观点认为累积硅 片的出货量超过100万片时,表示该硅片尺寸应进入下一阶段。实际上如英特尔等总是领先其他业者,率先采用更大尺寸的硅片。现将SEMI于2006年的说法,全球硅片尺寸的过渡时间表列于如下:4英寸硅片于1986年;6英寸于1992年;8英寸于1997年及1

17、2英寸于2005年。而如果依英特尔的芯片生产 线建设(见intel s all fab list ),它的3英寸生产线建于 1972年FAB2 ; 4英寸生产线建于 1973年FAB4 ; 6英寸生产线建于 1978年FAB5 ; 8英寸生产线建于 1992年FAB15 ;第一 条12英寸生产线建于 2002年FAB12 in Hillsboro ,与 旧M 同步。业界较为公认的说法是,1980年代是4英寸硅片占主流,1990年代是6英寸占主流, 2000年代是8英寸占主流,到 2002年时英特尔与 旧M率先建12英寸生产线,到 2005年 12英寸硅片已占总硅片的20%,到2008年占30%

18、,而那时8英寸硅片占比已下降至54%,6英寸硅片下降为11%。多晶硅的原材料即高纯度的石英,目前已知的全世界储量中中国最多,品质最好,但 是我国之前却是将石英矿沙在高温下还原成金属硅后低价外销,再高价进口多晶硅, 并且石英还原成金属硅的阶段是高度污染的。好在近些年光伏产业带动了国内多晶硅产业的发展, 目前太阳能等级的多晶硅,我国的产量已居全球第一。2)行业区域结构分析从区域结构来看,2017年,拥有大规模晶圆代工和封装基地的台湾地区贡献了全球 21.9%的市场份额,稳居全球半导体材料市场第一;紧随台湾地区之后,中国大陆位居全球 半导体材料市场第二;除中国大陆之外,全球其它主要半导体材料市场均实

19、现了一定幅度的 增长。韩国、日本、北美、欧洲I,分别贡献了全球 16.0%、15.0%、11.3%、7.2%的市场份额。从成长性来看,台湾、中国大陆、欧洲和韩国的半导体材料市场销售额成长最为强劲, 而北美,世界其他地区和日本的半导体材料市场经历了温和的个位数成长。www.zyzyyjy.conn图表2 2017年全球半导体材料市场区域结构情况图表2 : 2017年全球半导体材料市场区域结构情况(单位: )7.2%台湾中国犀日本其它北美四16.0%图表来源:本研究中心整理自2010年以来,台湾地区连续 8年稳居全球半导体材料市场第一。2011-2017年,台湾地区半导体材料市场销售额呈现波动增长

20、的态势;2017年,台湾地区买家依旧开启买买买模式,以超过100亿美元的规模再度居冠,年成长率达12%。图表3台湾地区半导体材料市场销售额统计1201008060402002011201220132014201520162017图表来源:本研究中心整理第3章:外延片行业篇3.1外延片行业发展综述3.1.1 LED产业链结构及价值环节(1) LED产业链结构简介LED元件按照其制作过程分为上游单晶片与磊晶片制作,中游晶粒制作(将单晶片 经过光刻、腐蚀等程序切割出LED晶粒),下游则通过封装制成 LED成品,详见下图:图表4 LED产业链上游晶网:中晶体GaAs,GaPi -中晶片一结构设iE慈晶

21、片成品.单&片1蕊晶片中游制程:盍履蒸镀一光刻一电极制作一切割 成品1M粒封装工固品一打线一注塑J5E一剪脚与版 成品,LED图表来源:本研究中心整理(2) LED产业链价值环节且西方对中位于产业链中、上游的芯片制作及晶圆材料的制作由于技术难度较高,国的技术封锁,该领域的为美国、欧洲(主要是德国)及日本的企业所垄断,有少数台湾企LED方面,几乎业具备这个领域的核心技术,有竞争力的本土企业较少,特别是在大功率 没有本土企业。我国LED封装企业总体上以民营企业为主,从业人员年轻化,文化程度参差不齐,企业增长较快,对外来产品、技术的模仿能力极强。企业注重短期效益,忽视品牌建设,缺中研包头叫光及www

22、.zyzyyjy.conn乏长期的战略规划。位于下游的LED封装企业,60%分布在中国大陆地区,且臣不断上市的趋势,所 以,中国大陆地区是名符其实的世界LED封装基地。(3) LED产业链投资情况LED行业具有比较长的产业链(包括上游、中游、下游及应用产品),每一领域的技术特征和资本特征差异很大,从上游到中游再到下游,行业进入门槛逐步降低。上游外延片具 有典型的“双高”(高技术、高资本)特点,中游芯片技术含量高、资本相对密集,下游封 装在技术含量和资本投入上要低一些,而应用产品的技术含量和资本投入最低。仅从投资规模看,LED产业链各环节的情况大致如下: 图表5 LED产业链各环节投资规模产业此

23、节点产晶类别投资规模备注上游(外延LU中游(芯片)GaN及外延片1亿元氏h注:按中小投资规模估厂.四元外延片 蓝绿芯片6Q00 _万元以5000万元以红黄芯片3000万几以口F游(封装)LED N 装2000万元&应用产品,如手儿卜万或个(4) LED产业链竞争格局从我国国内来看,上游和中游的外延 /芯片领域受到资本实力强大的企业的关注,这些 企业有上市公司(如江西联创、 长电科技等),也有资本雄厚的民营企业 (如深圳世纪晶源、 厦门三安、大连路美等),目的是通过上游和中游高端切入,力争在LED领域占据主导地位;但该领域投资额度大,专业技术人才比较匮乏,投资风险比较大,已投资企业的回报率还不下

24、游封装领域近期也受到投资者的高度关注,相对于外延芯片“双高”的特点,投 资封装领域不但可以降低技术风险,且投资规模适中,更加接近于应用市场而降低市场风险, 故受到投资者的青睐,尤其是对功率型封装更加充满期望。应用产品的市场准入门槛最低,是直接面对终端市场的领域,技术风险小、投资额低 而且回收快,是小额资本进入LED行业的首选,如圣诞灯、草坪灯、手电筒、指示灯、信号灯等产品,这类企业在深圳、广州、厦门、宁波等地已经形成了产业集聚;但因该领域进 入门槛低,市场竞争日益激烈, 定单对企业的生存与发展致关重要,多数厂商采取低价竞争策略,产品品质缺乏基本保证。中研7送光及3.1.2 LED外延发光材料的

25、选择(1) LED发光技术的基础1)半导体自发发射跃迁在光电子学中,一切与光有关的现象都可以认为是量子现象,或者说是物质中有关量 子相互作用和能量相互转化的结果,其表观结果通常显示为量子跃迁。在半导体中,与光有关的量子(电子或空穴)跃迁绝大部分是发生在导带和价带之间,根据其跃迁性质可以分为三类:A.受激吸收:当适当能量的光子与半导体相互作用,将能量传递给价带中的电子使 之跃迁到导带,从而在半导体中出现电子-空穴对,这就是受激吸收。光电导、光探测器、光伏电池都是基于这个原理。B.自发发射:在一定外部环境下(例如一定的外加电压) ,如果导带中的电子和价带 中的空穴以一定的几率复合,并以光子的形式放

26、出复合的能量, 则称这一过程为自发发射跃 迁。这就是 LED的工作原理。C.如果上述导带电子和价带空穴复合过程不是自发的,而是在适当能量的光激励下 进行的,那么复合产生的光子就与激发该过程的光子具有完全相同的特性。这种跃迁过程成为受激发射。这就是半导体激光器(LD)的工作原理。图表6在半导体中与跃迁有关的三种光效应光的吸收T光接收元件,光探测外)光的自飨发射T发光二极管lLEb光的受激发射r激光器一(LD)奇抖走源: 半导体充电子学华宝证第就究所2)半导体自发发射跃迁特点正是由于半导体中的量子跃迁不是发生在分立、有限的电子态(气体发光器)卜研处尸I光及生在非局部能级的导带与价带之间,因此半导体

27、在自发发射 (发光)工作状态中具有一些重要特点:A .能带中电子态密度高,因而具有很高的量子跃迁效率。B .半导体中同一能带内处在不同激励状态的电子态之间存在强烈的相互作用,这种 相互作用过程的时间常数与辐射过程的时间常数比是很短的,因此每个带内激励态之间的准平衡始终得以维持。这就为半导体发光器带来很高的量子效率和很好的高频响应特性。C .半导体中的电子可以通过扩散或者传导在材料中传播,可以将载流子直接注入 LED的有源区,因而能量转换效率高。目前红光LED量子内效率已接近 100%,蓝绿光LED量子内效率也达到了 50%(2)半导体能带特征和外延材料选择1)可见光波长与外延半导体禁带宽度的关

28、系从波矢空间中观察,半导体的能带通常不是平直的,而是连续弯曲的,因此导带中存在一个能级最低、最靠近价带的点,称为导带底,而价带中也存在一个能级最高、最靠近导带的点,称为价带顶。所谓禁带宽度,指的就是导带底和禁带顶之间的距离。因此,从导带 底与价带顶之间电子-空穴复合所放出的光子,其能量(波长)基本上对应于该半导体禁带 宽度。显然,禁带宽度和半导体释放的光子能量(波长,色彩)存在对应关系。理论计算表 明,在直接跃迁中,半导体对光子的吸收系数对光子能量与禁带宽度之差呈现平方根关系,事即图表7不同外延半导体的禁带宽度以及对应的光子波长打外可见鬻外01234 , (tV - 1ft 上二一_ H艮ll

29、_ 1 _ _刀3 2】0. $a 35的岬青科蓑源:丰学体物理学华文证格研克所从上图可以看出,GaP、CdSe、CdS、SiC等是位于禁带宽度位于可见光范围的常见半 导体。2)直接跃迁与间接跃迁如果导带底和价带顶位于同一个波矢,则我们称这是发生的跃迁为直接跃迁。反之, 如果导带底和价带顶并不总是处于同一个波矢,则称之为间接跃迁。 如果间接跃迁发生, 则www.zyzyyjy.conn自发发射跃迁的过程还需要声子的参与(即获得一定动量) 程,跃迁的概率大大缩小。图表8直接和间接跃迁,这样,跃迁就成了一个二级过百建纸ii朝间裾氏ti责科表厚:&半导体物理学华宝廷聚豺克鹤一般来说,间接跃迁白光吸收

30、系数为1103cm-1数量级,而直接跃迁的光吸收系数为104-106cm-1数量级,二者相差三个数量级。所以,发生直接跃迁的半导体,其光发射系数 和转化效率都要远远高于发生间接跃迁的半导体。导带底和价带顶位于同一波矢,一开始便发生直接跃迁的半导体称为直接带隙半导体,神化钱、磷化锢等III-V族半导体都属于这种类型,而导带底和价带顶位于不同波矢,一开始发生的是间接跃迁的半导体称为间接带隙半导体,元素半导体硅、错等都属于这一类。另外,有一部分半导体中只存在电子或者空穴一种载流子,这种半导体中出现发射跃 迁的概率比具有两种载流子的半导体要小得多。3)外延材料选择结合禁带宽度、跃迁类型和载流子类型,可

31、以发现唯有 III-V族化合物半导体和部分 具有双载流子的II-VI族化合物半导体具有LED应用的潜质。中研处纱尢院www.zyzyyjy.conn图表9半导体材料特性比较元点半导棒辆分子武Ge展 l:-M 1口油,呼能球船悻站内 金硼而意度IgAE” S3 2修点(U )937.2鼻电类量5P科SiJ-ll,间接箜华!-耨“打2J31414n.PM5eL77.间接碑六角4 28217P*1TeLS2,间接蹿零、曲6.24449.5p族化合防裂导体2Vl族化台翔隼导体AlP2.4S.间接续值闪笆丁2772000nrP解他包AlAs工班间接坤网郭丁1.791600时p择与档AKJb】.2.间接M

32、wwr4.151050崎化尊GaP工地同值憧阴闪肝丁4.1414的3神化包GiAs142- Ft接旋用国坤了S.4123BMP睇优瘴Gaiba w. 酷中囚碎甲$.6&112ftrP悻化作麓化伴InPinAsL西口接续算 d装直接餐用因肝丁*rwr4u745.684.11070943lainnp M ftrPft锌 修化锌ZnSeZnTe2.S7. n接吃零2K-卤接帷里*rffrS-265.711(X3?1295rf P峰化刷251S-675,B278史M二迸,nn嫄阳HCuB却匕Xj_Mi njj憧仪% 6P情化毓Cu2T#ij. rut施理六前P青修会处:半导阵的理咛T证4*Mt崎由于可

33、以在GaAS衬底上容易的实施外延工艺,AlGalnP四元系化合物半导体在90年代之前一直是 LED商业化生产的不二选择。该四元化合物由 AlP、GaP、InP三种III-V族化合物组成,由In在III族元素的比例决定晶格常数,而由Al与Ga的比例决定禁带宽度。但由于 AlP与GaP本身的禁带宽度上限限制,这种四元化合物只能发出红黄光。90年代后蓝宝石衬底上 GaN结构的横空出世,使 LED商业化生产突破了蓝绿光的 局限,并使得 LED彩色显示屏及 LED交通灯等应用得以问世。 GaN目前已是制造高亮 度蓝绿光元件最成功的外延基础材料。GaN外延材料依赖于在发光层中掺入适量绿光。AlN具有III

34、-V族材料中最大的禁带宽度AlN以调节禁带宽度,形成不同颜色的蓝(6.2 eV)。AlN 一般掺杂量在 5%左右。|中研7处H光沈www.zyzyyjyxom3.1.3 LED芯片行业发展现状分析(1)全球LED芯片行业市场分析1)全球LED芯片市场规模近年来,LED芯片市场规模、产值及企业数量都保持着增长态势。根据统计数据显示,2017年全球LED芯片市场规模将达 510亿元,同比增长13.8%。图表10全千LED芯片市场规模(亿元)全球LD芯片市场炭模 同比2)全球LED芯片竞争格局自1993年1月以来,英特尔一直是世界上最大的芯片制造商,其销售的386和486处理器有力冲击了日本芯片企业

35、,比如NEC和东芝。1993年发布的第一个代奔腾 CPU以及之后十年 Windows95和98个人计算机的蓬勃发展,将英特尔推上了业界龙头地位。目前, 英特尔的年营收率仍然在继续增长一一无论是从PC、数据中心服务器,还是物联网芯片。2016年英特尔仍是全球最大芯片供应商,全年芯片销售额达540. 9亿美元,较2015年增长4. 6%,市场份额达15. 7%;第二位是三星电子,2016年芯片收入达401亿美元, 较2015年增长5. 9%,占11. 7%市场份额;高通排名第三,芯片收入达 154亿美元,较 2015年下降4. 4%; SK海力士排名第四,销售额为 147亿美元,较2015年下降1

36、0. 2%。值得注意的是,2016年芯片销售额排名第五的博通,去年排名仅17名,一下子跃升12个名次,2016年芯片销售额达132亿美元,较2015年的45亿美元增长191. 1%。3)全球LED芯片区域分布目前,全球LED芯片市场主要分为三大阵营:以日本、欧美厂商为代表的第一阵营; 以韩国和中国台湾厂商为代表的第二阵营;以中国大陆厂商为代表的第三阵营。LED芯片产业主要以广东、福建为主。其中,广东芯片厂主要分布在深圳、东芝、广 州以及江门等四个城市。福建是中国LED芯片生产重地,主要芯片城市为厦门、泉州以及福州。日本:日亚、丰田合成、东芝、Genelite、昭合电工、大阳日酸等;欧美:Cre

37、e、惠普、欧司朗、飞利浦、Apollo (收购lumileds)、旭明、普瑞等;韩国:安萤、首尔半导体等;台湾:晶元光电、光宏、光磊、华上光电、新世纪、亿光、璨圆光电、泰谷光电等; 大陆:夏门三安光电、华灿光电、杭州士兰明芯、晶科电子、方大国科光电、夏门晶 宇光电、夏门明达光电、东莞洲磊电子、武汉迪源光电、厦门乾照光电、广东德豪润达、澳 洋顺昌、圆融光电、上海蓝光科技、湘能华磊光电、大连路美、晶能光电、聚灿光电、方大 集团、普光科技、南昌欣磊光电等。4)全球LED芯片前景分析近年来,全球LED芯片产业的新格局出现了两个明显的趋势:第一个趋势是产能向中国大陆转移的趋势。随着国内技术与国际大厂技术

38、差距越来越 小,因生产成本等方面的因素,再加之国内政策的积极推动,国外企业放慢扩产的脚步,甚至有些企业在逐步收缩产能,国内 LED芯片产能占比越来越高。第二个趋势是LED芯片制造的行业集中度越来越高。 LED行业技术、规模优势非常重 要,产品价格会不断下降,渗透率不断提升,直接材料的成本下降已经非常有限, 主要靠技术进步加规模优势带动成本下降,从而抵消产品价格下降稳定毛利率。而现阶段,能明显看到的技术重要体现就是在新应用领域,如MiniLED、MicroLED 在显示产品的应用。在乾照光电未来显示研究院执行院长柯志杰看来,MicroLED 可视为半导体产业和显示产业的结合体,对于工艺精度、工艺

39、集成度等都有不同档次的技术需求,就连MiniLED也已属于集成封装的范畴。因此,从技术层面来说,MicroLED 一定是一种产业升级;另外,显示市场具有近万亿美金规模,而且会越来越大,未来将会达到无处不显示的地步,而照明市场则只有千亿美金的级别,两者相差近1个数量级。所以从市场角度来看,MicroLED也是一种产业升级。”产业升级必然会给原有行业秩序带来变化,某种程度而言,Mini LED/Micro LED 的发展也是LED芯片行业的一次洗牌过程。在 LED照明和显示两个领域,未来是否能够 “弯道 超车”,改变现在的大者恒大格局, Micro LED将是一个重要的契机!晶元光电董事长李秉杰也

40、认为,“今年LED出现产能过剩现象,一季度市场需求不强,二季度市场需求虽然会升温,但产能过剩导致的价格压力仍在。因此,目前大家重点关注的MiniLED、MicroLED等新技术,将成为行业景气翻转的关键。”“针对芯片需求的变化,乾照光电首先会应对已经日渐明晰的MiniLED需求,目前已具备量产能力。而对于 MicroLED ,时下主要还是以研发为主,随着技术逐渐成熟,乾照光 电也会随之做出相应布局。”柯志杰告诉高工 LED。值得注意的,相比传统LED, MiniLED和MicroLED在产品应用方面将带来革新;而在设备端,MiniLED 和 MicroLED对于设备的要求也更加严苛。从设备端来

41、看,MiniLED 和MicroLED者B属于 LED范畴,其生产设备和传统LED生产设备大致相同,但技术却是一个质的跨越,对稳定性和一致性等要求都非常高。就MiniLED而言,外延芯片厂商的机台变化相对较小,主要是测试机的需求,其余部 分基本都是倒装芯片所需的设备,只需要随着市场需求增加即可。而对于MicroLED来说,挑战则相对较多,从 EPI的均匀性、机台选型,到现在还没有成熟方案的小芯片测试、巨量转移、高精度bonding等都会有很多挑战,包括激光剥离设备的需求等。值得一提的是,MicroLED很可能是TFT面板结合,或者是与CMOS基板结合。因此, 是否能有设备厂商跨界来设计整合相关

42、的设备也是一件值得期待地事情。从产品的应用角度来看,无论是清晰度、画质、厚度、反应速度等方面,MiniLED 和MicroLED都是优秀的解决方案,特别是MicroLED解决方案是其他应用方案无法比拟的,一旦规模化应用,将会成倍放大需求空间。因此,在李秉杰看来,今年 MiniLED有机会,但真正在使用量有显著贡献估计会落在 明年;至于 MicroLED 今年的可能性不高,即使有数量也不多,主要是技术待突破,预计 MicroLED的放量应该会到 2020年以后。相信大家也都注意到了,近两年来晶元光电一直在积极布局MiniLED和MicroLED ,尤其是Mini LED ,现已成为晶元光电今年较

43、为看好的产业之一。据了解,晶元光电可能会 在2018年第三季度开始生产用于智能手机背光照明的MiniLED ,并计划在2018年底前开始生产用于液晶电视和游戏显示器背光的MinLED ,同时还会生产Mini LED精细像素间距其实除了晶元光电,国内大陆LED芯片厂商三安光电、华灿光电、乾照光电等也已开始了对MicroLED和Mini LED 技术的研发布局。据业内人士透露,三星电子几乎订购了三 安光电位于厦门的全部Mini LED产能,以确保其将在 2018年第三季度推出的大尺寸高端液晶电视背光芯片供应。再看华灿光电,作为国内市场规模第二的LED芯片厂商,很早就对 MicroLED做了研究。截

44、止目前,华灿光电在背光应用的Mini蓝光芯片到显示应用的 Mini-RGB芯片上已经推出较为成熟的芯片产品,大约有几百KK的出货量。针又LED在显示方面的新应用,乾照光电也表现的较为积极踊跃。据悉,乾照光电已 新成立了 “未来显示研究院”,并与下游合作伙伴配合开发MiniLED和MicroLED新产品。据柯志杰透露,“乾照光电在 MiniLED方面,已经开始接到客户订单,未来会随着客户需求 的增加相应地增加产能,这将在营收方面成为一个重要的补充。”总体而言,通过以上几家LED芯片大厂的布局来看,随着 MiniLED、Micro LED 市场逐渐发酵,芯片端扩产将重回正常轨道,就2018年一季度

45、而言,整体供需相对平衡。那么,接下来MiniLED、Micro LED究竟能否成为下一个芯片的新乐章呢?(2)中国LED芯片行业市场分析1)中国LED芯片市场规模图表11中国LED芯片市场规模(亿元)2017年中国大陆LED芯片全球产能占比达 58%。随着LED芯片价格和毛利率的下跌, LED芯片投资回报率逐渐降低,国外LED芯片大厂扩产趋于谨慎,国外芯片供给增长有限,中国LED芯片借助地方政府的支持政策,依靠资金、规模等方面的优势积极扩产,全千LED芯片产能逐渐向中国大陆转移。LED下游应用领域主要可分为通用照明、背光应用、景观照明、显示屏、信号指示、汽车照明,其中通用照明最为主要,2016

46、年占应用市场份额达到了 47.6%。2)中国LED芯片竞争格局截至2017年底,中国LED芯片行业产能为860万片/每月,其中前四大厂商占据了超 过70%的市场份额。居前四位的分别是三安光电(产能为280万片/每月)、华灿光电(产能170万片/每月)、澳洋顺昌(产能100万片/每月)和乾照光电(产能 55万片每月),占比分 别为32.56%、19.77%、11.63%和6.4%。总体来看,我国 LED芯片行业集中度较高。,中研环义研比及www,zyzyyjy,com图表12 2017年中国LED芯片产能总量(单位:万片 /每月)企业截止2017年底产能(万片/月)一女光电280生赳在三170港

47、洋:昌100乾照光电55国内其他L商255等十S60前薄经济学人APP图表13 2017年中国LED芯片厂商产能占比(单位:万片/每月)前第经济学人APP结合目前我国主要 LED芯片制造商的规划目标,到 2018年底,国内厂商规划 LED芯 片产能进一步提高。三安光电 2018年底将达到360万片/每月,继续占据国内 LED芯片龙 头地位。图表14 2018年中国LED芯片厂商最新产能规划(单位:万片/每月)厂商2017年底2018年中2。18年底三安光电280310360华灿光电170200250澳洋顺昌100100140戟照光电555585前畸济学人APP3)中国LED芯片区域分布经过几年

48、的发展,中国 LED芯片产业初步形成了以长三角、珠三角、北方地区、福建 |中研7处H光沈江西地区和其他南方地区为主的五大产业聚集区。其中,长三角地区是中国LED芯片企业的主要集中地。4)中国LED芯片前景分析结合行业发展本身, 前瞻产业研究院对背光、照明、显示三大LED传统应用领域2018年LED芯片发展趋势预测如下:1、液晶屏背光LCD本身不发光,需要在液晶面板底层加上背光源照射才能显示出画面。最初彩色显 示屏大规模商用时背光源为CCFL (冷阴极荧光极管),随后被LED取代,用于手机等消费电子产品的LED背光源引领了高亮度 LED需求的第一波高速增长。虽然 OLED正在取代 LCD,但是大

49、尺寸TV领域将还是以LCD为主,在大尺寸、高亮度的趋势下对背光LED的需求逐渐增长。2、照明LED在照明领域的应用具体可以分为通用照明(室内照明、室外照明) 、汽车照明、景 观装饰照明等细分领域。LED光源由于灯具结构简单、使用寿命长、色彩丰富纯真、能耗低等优点,得以迅速取代传统照明手段。目前照明是LED规模最大的应用领域, 通用照明、景观照明持续渗透,汽车照明等细分领域呈高增长状态。3、显示LED显示屏具有高亮度、可实现超大尺寸等特点,因此在户外超大屏显示领域具有独 特的优势。近年来技术进步使得小间距(间距在2.5mm以下的)LED显示屏成本迅速下降,小间距LED显示屏在大屏显示、商用市场出

50、现了爆发式的增长,目前是LED的第二大细分应用领域。综合来看,LED芯片下游应用不断拓宽,使得相应的LED芯片未来的需求量保持高 速的增长。(3) LED芯片细分产品市场分析我国LED上游外延芯片产品主要分为蓝绿芯片和红黄芯片,另外还有少量的紫外等其他芯片。四元系红黄光主要应用于显示屏、消费电子、家电、信号灯、汽车及景观装饰等领域, 由于四元系产品的技术已经比较成熟,应用市场也发展的比较成熟,近两年,随着LED显示屏快速崛起以及在农业禽类养殖中的应用,红黄光市场容量处于较快增长阶段。GaN芯片则在显示及照明应用领域的优势更加明显,除通用照明外,景观照明和显示 市场对其推动明显, GaN芯片产量

51、一直保持高速增长势头,在整个芯片市场的占比也不断 提升。从芯片类型看目前我国国产芯片中GaN蓝绿芯片产量占比超过 80%,而以InGaAlP基芯片为主的四元系芯片的产量占比约为15%, GaAs等其他基材的芯片占比仅为5%左右。此外,紫外、红外等也在近两年成为关注热点。从应用结构来看,国内不少企业技术和产品性能正在快速提升。国内芯片企业的产品目前不仅大范围应用于室内中小功率照明,在室外大功率、背光、 显示、汽车照明领域都已 经开始占有一席之地,其中,三安、华灿、德豪等企业在积极向LED显示屏、汽车照明、紫外应用、农业照明等市场突破。目前LED芯片产品在手机、景观装饰、显示屏、NB背光、Moni

52、tor背光等领域的应用已经成熟,市场空间增长趋缓。TV背光的渗透率 2016年底渗透率已基本达到饱和,以后的增长空间将逐渐缩小,市场带动作用有限。未来LED芯片产业的驱动力仍然主要来自于照明应用领域,目前通用照明应用市场已全面启动,带动了整个 LED芯片产业进入下一轮的快速增长期, LED照明智能化、网络化 推动、新型显示市场的加速爆发,成为新一轮 LED行业增长的主要驱动力。3.2国内外外延片行业发展状况分析3.2.1 全球外延片行业发展现状分析(1)全球外延片行业发展概况外延片处于LED产业链中的上游环节,包括原材料、衬底材料及设备这三大领域。在LED外延片生长、芯片、芯片封装这三个环节中

53、,外延片生长投资要占到70%,外延片成本要占到封装成品的 70%。外延片生长主要依靠生长工艺和设备。制造外延片的主流方法是采用金属有机物化学 气相沉积(MOCVD ),但即使是这种“最经济”的方法,其设备制造难度也非常大。国际 上只有德国、美国、英国、日本等少数国家中数量非常有限的企业可以进行商业化生产。外延片材料主要是硅,硅外延片也是当前外延片的主体。世界多晶硅、硅单晶及硅片等外延片制造材料几乎全部为信越(本部在日本,马来西亚、美国、英国) 、MEMC (本部 在美国,意大利、日本、韩国、马来西亚、台湾) 、Wacker (本部在德国,美国、新加坡)、 三菱(本部在日本,美国、印度尼西亚)等公司所控制,这四家公司的市场占有率近70%。这些公司除了本部之外,都在其它国家和地区设厂,是

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