太阳能电池制备工艺流程-

1、2.1.3光电池的制备工艺过程:光电池的制备工艺流程简单表示如下:ITO玻璃的光刻刻蚀一划片一洗片一氧气Plasma-PEDOT的旋涂-蒸发PEDOT中的溶剂-有机活性层的旋涂-镀金属电极-包封2.1.3.1ITO玻璃的光刻刻蚀：基片的处理:低浓度（1%micro级洗涕剂超声清洗;然后，氧Plasma处理15分钟。匀胶:转速为4000，转/分钟时，光刻胶厚度为1.7微米。前烘:在对流烘箱中恒温90'C,烘15-20分钟。曝光:紫外灯距ITO片30厘米，曝光时间3.5分钟。中烘:在对流烘箱中恒温90'C,烘15-20分钟。显影:专用显影剂以1:1.5的比例稀释，很温22C左右，显

2、影时间为2.5分钟。后烘:在对流烘箱中恒温120*C，烘20-30分钟。刻蚀:36%的盐酸50毫升，65%的硝酸10毫升，去离子水50毫升，温度保持在50-55C,刷洗时间2-3分钟。去胶:专用正胶去膜剂中泡2分钟，然后用去离子水冲洗，再用丙酮超声洗净，用氮气吹干。2.1.3.2划片用玻璃刀将克蚀后的大ITO玻璃划成1厘米xl厘米宽的片，用数字万用表确定ITO面,并将片编号。2.1.3.3 洗片划好并编号后的片,需按照以下程序进行表面清洗。丙酮清洗:用丙酮超声清洗10分钟。清洗剂清洗:低浓度1%micro级洗涤剂超声清洗5-10分钟。去离子水清洗:用超纯去离子水超声清洗2次,每次5-10分钟。

3、异丙醇清洗:用异丙醇超声清洗5-10分钟。后用氮气吹干,并放入真空烘箱内保存。2.1.3.4 氧气Plasma制片前,ITO片需氧Plasma10-15分钟。Plasma真空条件为2-3mPa，氧气流量4-5ml/s。2.1.3.5 PEDOT的旋涂用匀胶机旋涂PEDOT，匀胶前用表面轮廓仪测定厚度并观察表面,以确定按照需要厚度所需的匀胶速度。2.1.3.6蒸发PEDOT中的溶剂在真空烘箱中以80-85C的温度恒温烘2-3小时,以蒸发其中的溶剂。2.1.3.7有机活性层的旋涂在半导体试验手套箱内旋涂,半导体试验手套箱内为高纯氮气以获得低氧低湿度状态，手套箱内氧含量少于5ppm,相对湿度低于1p

4、pm.旋涂前先用表面轮廓仪测厚,以确定所需厚度的旋转速度。2.1.3.8镀金属电极金属电极是在真空镀膜机内高温蒸镀,真空镀膜机安装在半导体试验手套箱内。蒸镀过程中用微型测厚仪测厚。镀膜工艺过程:装片:检查分子泵进出口开关是否关紧,往微型镀膜机内通一定量的氮气使镀膜机内气压与手套箱内气压一致,打开镀膜机钟罩检查金属网内是否有所需镀膜的金属,将片装上装片模板,将模板置于架上并放进镀膜机内,然后关上钟罩;用机械泵抽真空微型镀膜机与分子泵:开启机械泵,打开微型镀膜机与机械泵之间的阀门,抽真空5分钟后关上此阀门,打开机械泵与分子泵之间的阀门,约5分钟后进行下一步;分子泵抽真空微型镀膜机:向分子泵内通冷却

5、水,打开分子泵与微型镀膜机之间的阀门,开启分子泵,5分钟左右分子泵显示运行正常，开启真空计并观察读数是否低于1.0X10-3PA，抽真空致真空低于2.0X10-5PA后开始镀膜。常用AL电极的真空镀膜条件：金属参数:BulkDensity2.73Gm/cm3阻抗因子（Z-Factorl.080镀前:温度43C;真空2.0X10-4Pa厚度少于50nm时:电压2.8V;电流41A;速度低于1nm/s厚度大于50nm时:电压8.9V;电流60A;速度高于10nm/s镀后:温度54C;真空1.0X10-3Pa常用Ba的真空镀膜条件：金属参数:BulkDensity3.5Gm/cm3阻抗因子（Z-Factor2.100镀前:温度43C;真空2.0X10-4Pa电压1.34