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文档简介

1、CVD（Chemical Vapor Deposition） （a）台阶覆盖太差）台阶覆盖太差 （b）台阶覆盖好）台阶覆盖好硅槽沉积硅槽沉积SiO2的的SEM照片照片 高深宽比的典型值高深宽比的典型值3：1、溅射、溅射 （Chemical Vapor Deposition）nCVD生长过程生长过程nCVD生长过程生长过程 1. 气体传输至沉积区域：反应气体从反应腔入口区气体传输至沉积区域：反应气体从反应腔入口区 域到硅片表面的沉积区域域到硅片表面的沉积区域 2. 膜先驱物的形成：气相反应导致膜先驱物（组成膜先驱物的形成：气相反应导致膜先驱物（组成 膜最初的原子和分子）和副产物的形成膜最初的原子

2、和分子）和副产物的形成 3. 膜先驱物附着在硅片表面：大量的膜先驱物输运膜先驱物附着在硅片表面：大量的膜先驱物输运 到硅片表面到硅片表面 4. 膜先驱物吸附：膜先驱物粘附在硅片表面膜先驱物吸附：膜先驱物粘附在硅片表面 成核成核 5. 膜先驱物扩散：膜先驱物向膜生长区域的表面膜先驱物扩散：膜先驱物向膜生长区域的表面 扩散扩散 6. 表面反应、连续成膜：表面化学反应导致膜沉表面反应、连续成膜：表面化学反应导致膜沉 积和副产物的生成积和副产物的生成 7. 副产物从表面移除：移除表面反应的副产物副产物从表面移除：移除表面反应的副产物 8. 副产物从反应腔移除：反应的副产物从沉积区副产物从反应腔移除：反

3、应的副产物从沉积区 域随气流流动到反应腔出口并排出域随气流流动到反应腔出口并排出岛生长岛生长成膜成膜 1. 质量传输限制（常压质量传输限制（常压CVD-APCVD） 2. 表面反应限制（低压表面反应限制（低压CVD-LPCVD） 3. CVD气流动力学气流动力学 4. CVD反应中的压力反应中的压力 1. 生长生长PSG）（做（做ILD1） SiH4 PH3O2 SiO2 PH2 P2O5含量控制含量控制4 2. 生长硼生长硼BPSG）（做（做ILD1） SiH4 PH3B2H6O2 SiO2 PBH2 P2O5和和B2O3的含量分别控制的含量分别控制4 、26 BPSG的优点：具备的优点：具备PSG的优点，弥补的优点，弥补PSG的缺点的缺点 （a）回流前）回流前 （b）回流后）回流后 3. 生长氟生长氟SG）（做（做ILD2及以上）及以上） FSG的优点：做低的优点：做低K介质，降低氧化硅的介电常数介质，降低氧化硅的介电常数 氧化硅氧化硅SiO2 （SG）的介电常数：）的介电常数：3.9 氟化硅（氟化硅（FSG）的介电常数：）的介电常数：3.5 （用途：掺杂的多晶硅做（用途：掺杂的多晶硅做MOS晶体管的栅电极）晶

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