电子科技大学-数字电路

1、UDID死区电压：死区电压：硅管硅管 0.5V0.5V锗管锗管 0 0.2V.2V。反向击穿电压反向击穿电压V V(BR)(BR)导通压降导通压降: : 硅管硅管0.60.60.7V,0.7V,锗管锗管0.20.20.3V0.3V。反向饱和电流反向饱和电流（很小，（很小， A A级）级）U Ui iU Uo ot tt tR RL LU UiU UO O) 1(TDVUSDeII BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极基区：较薄，基区：较薄，掺杂浓度低掺杂浓度低集电区：集电区：面积较大面积较大发射区：掺发射区：掺杂浓度较高杂浓度较高发射结发射结集电结集电结B BE EC CN NN NP

2、 P发射极发射极集电极集电极+ + + + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + + + + 基极基极电流放大原理电流放大原理B BE EC CN NN NP PE EB BR RB BE Ec c发射结正发射结正偏，发射偏，发射区电子不区电子不断向基区断向基区扩散，形扩散，形成发射极成发射极电流电流I IE E。I IE E进入进入P P区的电子少区的电子少部分与基区的空部分与基区的空穴复合，形成电穴复合，形成电流流I IB B ，多数扩多数扩散到

3、集电结。散到集电结。I IB BB BE EC CN NN NP PE EB BR RB BEcI IE E从基区扩散来的从基区扩散来的电子漂移进入集电子漂移进入集电结而被收集，电结而被收集，形成形成I IC C。I IC CI IC CI IB B要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。集电结反偏。ICmAmA A AV VV VU UCECEU UBEBER RB BI IB BU USCSCU USBSB 实验线路实验线路( (共发射极接法共发射极接法) )C CB BE ER RC C I IB B 与与U UBEBE的关系曲线（同二

4、极管）的关系曲线（同二极管）输入特性输入特性I IB B( ( A)A)U UBEBE(V)(V)20204040606080800.40.40.80.8U UCECE 1V1V 死区电压，死区电压，硅管硅管0.5V0.5V工作压降：工作压降： 硅硅管管U UBE BE 0.7V 0.7V输出特性输出特性(I(IC C与与U UCECE的关系曲线的关系曲线) )I IC C( (m mA A ) )U UCECE(V)(V)3 36060 A A =I=IC C/I/IB B=3=3mAmA/60/60 A=50A=502 2 =I=IC C/I/IB B=2=2mAmA/40/40 A=50

5、A=504040 A A4 48080 A ACDABFFF21iHCBOLnImIVVR8 . 25maxminmaxLOLCCiLOLRVVnIILiLOLInIIiLOLOLCCLnIIVVRmaxmin“1”ABF 场效应管与晶体管不同，它是多子导电，输场效应管与晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。入阻抗高，温度稳定性好。结型场效应管结型场效应管JFETJFET绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管MOSMOS场效应管有两种场效应管有两种: :N N沟道沟道P P沟道沟道耗尽型耗尽型增强型增强型耗尽型耗尽型增强型增强型 MOSMOS绝缘栅场效应管（绝缘栅场效应管（N N沟道）沟道）（1 1） 结构结构P PGSDP P型基底型基底两个两个N N区区SiOSiO2 2绝缘层绝缘层金属铝金属铝N N导电沟道导电沟道未预留未预留 N N沟道增强型沟道增强型预留预留 N