数字电路第7章半导体存储器

1、1 12 2！单元数庞大！输入/输出引脚数目有限3 3EPROMROMROM可擦除的可编程可编程掩模RAMRAM动态静态4 45 5105v3v四个二极管与门构成地址译码器存储矩阵是四个二极管或门组成编码器四个三态门构成输出缓冲器6 6A0An-1W0W(2n-1)D0Dm7 7字线位线图7.2.3 CMOS管构成存储矩阵二极管构成存储矩阵8 8图7.2.2二极管ROM电路图图7.2.3 CMOS管构成存储矩阵9 9写是一次性编程，不能改编程时将不用的熔断有熔丝出厂时，每个结点上都熔丝由易熔合金制成1010一次性编程：16X8位的PROM，编程时：输入地址代码，找出需要写入0的单元地址。然后使

2、Vcc和字线加上编程电压约21V，在位线上加编程脉冲。脉冲电流流过熔丝将其熔断为0.11111212管叠栅注入MOSMOSInjuctiongateStackedSIMOS)(浮置栅控制栅:fcGG通处正常逻辑高电平下导上未充负电荷，则若导通处正常逻辑高电平下不上充以负电荷，则若管。沟道增强型是工作原理：cfcfGGGGSIMOSMOSN1313年）光灯下分钟（阳光下一周，荧紫外线照射空穴对，提供泄放通道生电子“擦除”：通过照射产形成注入电荷到达吸引高速电子穿过宽的正脉冲，上加同时在发生雪崩击穿）间加高压（“写入”：雪崩注入33020502525202,fcGSiOmsVGVSD1414)(管

3、浮栅隧道氧化层采用慢，操作不便的缺点为克服（紫外线）擦除MOSFLOTOX“隧道效应”电子会穿越隧道）当场强达到一定大小（厚度之间有小的隧道区，与,/cmVmSiODGf782101021515导通）下，电压（未充电荷时，正常读出截止）下，电压（充电荷后，正常读出工作原理：TVGTVGGCCf33fjCiGBmsVGW电子隧道区接的正脉冲，加充电：01020,上电荷经隧道区放电加正脉冲，接放电：fjiCGBWG,01616（隧道区）区有极小的重叠区与）更薄（与衬底间SGnmOSGfif15102的正脉冲，加接），加正压（，充电利用雪崩注入方式向工作原理：usVGVVSDGcssf101206*

4、上电荷经隧道区放电的正脉冲加放电，利用隧道效应fsscfGnsVVGG100120,171718181919中存入位代码记忆单元触发器，作存储为基本Q,1,41SRTT相通、与、导通，行中被选中，时，能在jjiBBQQTTX6511,单元与缓冲器相连列第行第导通，这时时，所在列被选中，jiTTYj871,，读操作截止，与导通，则若时，当OIQAAAWRSC32110,，写操作导通，与截止，则若QOIAAAWR3210,六管N沟道增强型MOS管202021212222SCWRAAOIOI片选信号：写信号：读地址线：数据线：/70701024 x 8RAM70OIOI.9870AAAA,.WRWRAAAAOIOI写信号：读地址线：数据线：/987070,2323):(110025625670A个地址个字，需要每一片提供SCYYAAAA分别接四片的译成即将两位代码区分四片用,3089891023768767