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文档简介
1、148真空与低温Vacuum&Cryogenics第6卷第3期2000年9月HL-1M装置注入和加热实验的流速与电场测量j洪文玉.李强,王恩耀(核工业西南物理研究院,四川成都610041)MEASUREMENTSOFTHEEDGEFLOWVELOCITYANDTHEELECTRICALFIELDININJECTIONANDHEATINGONHLIMTOKAMAKHONGWen-)u,LIQiang,WANGEn>yao(SouthwesternInstituteofPhysics,Chengdu610041,China)Abstract:Experimentalmeasureme
2、ntsoftheedgeplasmarotationandelcctncfieldhavebeencarriedoutonbothSOLandlheboundaryoflheHL-IMplasmasforOhmic.NeutralBeamInjection(NBI).IonCyclotronResonanceHcaling(ICRH).LowHybridWavc(LHW)InjectionandElectricCyclotronResonanceHeating(ECRH)withaMach/mgmuirprobearray.Theradialprofilesofthepoloidalflowr
3、otation匹Q-velocityV,lheradialeleclricfieldE,andthepoloidalelectricfieldE*aremeasuredduringexperimentsof*'NBI,ICRH.LHWandECRH,respectively.InexperimentsofHL-IMlukamak.NBI,ICRH.LHW,andECRHwereusedtostudytheconfinementiiuprovenwnl,lheedgefluctuationsandtheradialtransport.Keywords:jxjloicLalHowveluc
4、ily;radialelectricfield;pvluidaleleclricfield摘要:利用马琳-郎壤不探针组研究了HL-1M装世刮离层和边缘等离子体流在欧姆放电,中性束注入、低杂波注入、离子回旋加热和电子回旋加热等情况下的极向流速.径向电场和极向电场的变化与分布.研究并讨论了它们对降低边缘粒子径向传输和改善等离子体约束性能的影响。1006-70862000)0T-?>148-04关键词:极向流速:径向电场;极向电场中图分类号:TL6P2.1文献标识码:A驾入,场由“奴,汤&幼e1引言在聚变装置中,等离子体边界条件对整个等离子体约束性能的影响是非常敏感的cL-H模转换机制
5、与边界径向电场E,、E,的梯度及极向旋转速度等密切相关j”,同时,边缘等离子体的径向输运与边缘极向电场&的变化有关。在HL-1M装置中,利用中性束注入(NBI).低杂波(LHW)注入、离子回旋加热(ICRH)和电子回旋加热(ECRH)等实验;观测边缘等离子体流速和电场的径向分布与变化来研究改善约束性能与E3,、dE,/dr及边界涨落的关系,收稿日期:2000-01-15作者简介:洪文玉(1941男,福建省晋江市人.西南的理研充院研究员级高级工程帅,从事柱聚变装置划空测靖和等离子体诊断的研究,洪文玉等:HL-2一装置先进的加料系统1492 实验在进行NBI、LHW、ICRH和ECRH实验
6、时,HL-1M装置的工作参数为/?=2.02.6T:等离子体电流7P=12O-2OOkA;等离子体线平均密度队(0)=0.83.0xl0"m-3;电子温度T.(0)=0.5-1.0keV;离子温度£(0)=0.30.8keV.径向任意调节和极向可旋转360。的马赫-朗缪尔探针纽用于洌量HL-1M装置边缘等离了体环向流、极向流、径向电场和极向电场的径向分布。一组探针是由5根探针元件组成,以测最边缘等离子体的电位、边缘区的环向流和极向旋转速度;另外一蛆探针由6根探针元件组成,可同时测景径向电场和极向电场。3 实验结果3.1中牲束注入和离子回族:加热在ASDEX装置实验中,中性束
7、注人第一次观测到H模产生,这就说明了中性束注入降低了边缘扰动、径向传输,壁和孔拦的粒子再循环以及增长能量的约束时间。在HL-1M装置的中性束注入实验中,中性束是以0.15-0.20MW的功率注入;高子回旋加热实验,注入功率接近100kW。实验中均观测到边缘等离子体极向旋转速度在电子反磁方向上增加,径向电场Er和极向电场旦反向增加,如图1所示。图1欧姆放电.NBI和ICRH期间.A、和的径向分布边缘等离子体极向旋转速度与径向电场&和离子压力梯度dp,/dr之间的关系如下心&=!业-+也土k(1)(1)BeZjifldrB式中务或为环向磁场的极向分量;气为等离了体的环向流速;p,=
8、nT,;r,为离子温度。从图1可以看出在NBI期间产生的最大径向电场虬=-7.0kVm(B=2.0T),最大极向旋转速度-5.0km-s'*;在ICRH期间产生的最大径向电场Er=-7.5kVm-l(B=2.2T),最大极向旋转速度-5.4kms-*c由此说明,在HL-1M装置的NRI和ICRH实验中,产生等离子体极向旋转的主要原因是由ExB漂移和离子压力梯度dp/dr引起的,从而减小了径向传输和改善等离子体的约束性能:边缘粒了传输的减小可通过瞬时粒子通量来描述131r(t)=nt(t>£U)BB2式中He(t)为等离子体密度;£7Q为电场矢量;8为磁场矢量。
9、这个通量在径向方向上的分量150taEr(t)=nAt)云(3)式中&为磁场的环向分量,因此&=田。式(3)可近似写成()-空”(4)B式中田是已知的,旦("和宅J)可以通过测量获得。由图1可以给出,在NBI期间产生的最大极向电场E、=-12.0kV-m7;在ICRH期间产生的最大极向电场氏=-35.0kVm。等离子体密度叫(£)约为0.9x10”m-3(NBI)和0.6x10"m-3(ICRH)o根据式(4),可粗略得出径向传输通量的最大值近似为-5.0x102。m2s-l(NBI)和-9.5xIO20m"s"(ICRH),这
10、说明在NBI和ICRH实验中,边缘粒孑径向传输通量可分别降低5.Ox1020nr,M和9.5x1020m2,s'o3.2LHW注入和电子回旋加热在HL-IM装置欧姆放电期间,加入LHW后.刮离层和边缘的等离子体流速及扰动特性有显著变化,*值下降,极向速度,在离子反磁方向上增加i气当纵场8方向反向改变时,边缘等离子体极向流的方向也改变,即在电子反磁方向上增加,边缘径向电场E和极向电场公也有较大的反向变化,如图2所示。在电子回旋加热期间,平行流马赫数Ma增加,并观测到边缘等离子极向旋转速度黄网在离子反磁方向上增加,径向电场E和极向电场&也有较大增加。OhmicOLHW<aEC
11、RMr/cm图2欧姆放电LHW和ECRH期间,匕和£,的径向分布从图2可以看出,在LHW实验期间产生的最大径向电场E,=-9.6kVm-*(B=2.6T),最大极向旋转速度-4.3kmsY在ECRH实验期间所产生的最大径向电场E,=-8.2kVml(B=2.6T),最大极向旋转速度=4.0kms】。由此说明,在HL-1M装胜的LHW和ECRH实验中,产生等离子体极向旋转的主要原因也是ExB漂移引起的,从而减小了粒了的径向输运和改善等离子体约束性能。从图2也可以看出,在LHW实验期间产生的最大极向电场El-8.0kV-nr'而等离了体密度海(时约为2.0x10=根据式(4),可
12、粗略得出径向传输通信最大值近似为-6x10"m"s-因此在LHW实验中,边缘粒子径向传输通量可降低6x10-°m-Js在ECRH实验期间产生的最大极向电场&=-5.5kV它也明显降低了边缘粒子的径向传输及改善等离子体的约束性能。洪文玉等:HL-2A装置先进的加料系统1514结论HL-1M装置在不同运行状态F进行了刮离层和边缘等离子体极向流速、径向电场和极向电场径向分布的实验测量,实验指出,中性束注入、离子回旋加热、低杂波注人和电子回旋加热实验改善了边缘等高子体的扰动特性和约束性能。菱考文献:(1DONGJQ.HORTONW.Mocnenlum-energv
13、transportfromturbulencedrivenbyparallelflow$hcar(Jl.PhysPlasmas,1994,1(10):3250.(2 XIAOC.JAINKK,ZHANGW,wal.MeaiwirementofplasmarotalionvelocityswithelectrodebiasingintheSTOR-MtokamakJ.PhysPlasmas,1994,1(7):2291.(3JWANGEY,WANGXIN,DIEBOLDDA,aal.BiasedHmodeexperimentsinPHAEDRUS-TJ1,NuclearFusion,1995,3
14、5(4):467.14洪文玉.王恩耀,潘宇东,等.弹丸和超声束注入对HLIM装置边缘电场和等离子体旋转的影响J.真空与低温,1998,4(3);136139.5HONGWV,WANGEY,RANLB、elal.The/lucrualionHandflowvelociiieameasuredwithaMachprobearrayontheHL«IMiokamakJ.JNucMater,1997.241-243:1234.16洪文玉,王恩堰,潘宇东,等.HUM装置边缘扰动和流速的实验研究J.真空科学与技术,1998,18(3) :176-186.(上接第137页)HOLLANDL.Vac
15、uumdepositionofihtnfilmsM】.ChapmanandHallLtd.,London,1966.3 GRUBBAD.TheLX)Fsemi-continuousthermalevaporationpkntlC.ThompsonPubJicalione,1969.6:42-46.4 CHAPINJS.SpuUeringsourceandapparatusP.USPatent:4166018,1979.5 YOUNGP,BERNARDIR.AulosolarpaperC.SAETechnicalPaperSeries,1988:880050.6 MCKELVEYHE.Magnetroncathodesputteringapparaiu$P.USPatent:43560731982,44229161983.8】李明顺.玻璃幕墙技术规范(MJ.北京:中国建材工业出版社,1988:3-5.19邓雅颖.中空玻璃的发展前景J】.玻璃,1999(1):9.10TIMOTHYEJOHNSON.lx>w-eghiungdesignguide!M.BulterworlhArchitect
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