第3章集成电路中的无源元件

1、12022-6-26第三章第三章 集成电路中的无源元件集成电路中的无源元件 3.1 集成电阻器集成电阻器3.2 集成电容器集成电容器3.3 互连（内连线）互连（内连线）22022-6-263.1 集成电阻器集成电阻器 电阻是基本的元件，在集成工艺技术中有多种设计电阻是基本的元件，在集成工艺技术中有多种设计与制造电阻的方法，根据阻值和精度的要求可以选择与制造电阻的方法，根据阻值和精度的要求可以选择不同的电阻结构和形状。不同的电阻结构和形状。 集成电路中的电阻分为集成电路中的电阻分为无源电阻和有源电阻无源电阻和有源电阻。无源。无源电阻通常是采用掺杂半导体或合金材料制作的电阻，电阻通常是采用掺杂半导

2、体或合金材料制作的电阻，而有源电阻则是将晶体管进行适当的连接和偏置，利而有源电阻则是将晶体管进行适当的连接和偏置，利用晶体管在不同的工作区所表现出来的不同的电阻特用晶体管在不同的工作区所表现出来的不同的电阻特性来做电阻。性来做电阻。32022-6-26 众所周知，掺杂半导体具有电阻特性，不同的掺杂浓度具众所周知，掺杂半导体具有电阻特性，不同的掺杂浓度具有不同的电阻率，正是利用掺杂半导体所具有的电阻特性，有不同的电阻率，正是利用掺杂半导体所具有的电阻特性，可以制造电路所需的电阻器。可以制造电路所需的电阻器。 所谓扩散电阻是指采用热扩散掺杂的方式构造而成的电阻。所谓扩散电阻是指采用热扩散掺杂的方式

3、构造而成的电阻。这是最常用的电阻之一，工艺简单且兼容性好，缺点是精度这是最常用的电阻之一，工艺简单且兼容性好，缺点是精度稍差。稍差。 制造扩散电阻的掺杂可以是工艺中的任何热扩散掺杂过程，制造扩散电阻的掺杂可以是工艺中的任何热扩散掺杂过程，可以掺可以掺N型或型或P型杂质，还可以是结构性的扩散电阻，例如型杂质，还可以是结构性的扩散电阻，例如在两层掺杂区之间的中间掺杂层，典型的结构是在两层掺杂区之间的中间掺杂层，典型的结构是N-P-N结构结构中的中的P型区，这种电阻又称为沟道电阻。当然，应该选择易型区，这种电阻又称为沟道电阻。当然，应该选择易于控制浓度误差的杂质层做电阻，保证扩散电阻的精度。于控制浓

4、度误差的杂质层做电阻，保证扩散电阻的精度。一、基区扩散电阻一、基区扩散电阻42022-6-26氧化膜氧化膜pnnP型扩散层型扩散层（电阻）（电阻）VCCLw N型外延层接电路的最高型外延层接电路的最高电位，或接至电阻器两端中电位，或接至电阻器两端中电位较高的一端。电位较高的一端。 在电阻的制作过程中，由在电阻的制作过程中，由于加工所引起的误差，如扩于加工所引起的误差，如扩散过程中的横向扩散、制版散过程中的横向扩散、制版和光刻过程中的图形宽度误和光刻过程中的图形宽度误差等，都会使电阻的实际尺差等，都会使电阻的实际尺寸偏离设计尺寸，导致电阻寸偏离设计尺寸，导致电阻值的误差。电阻条图形的宽值的误差。

5、电阻条图形的宽度度W越宽，相对误差越宽，相对误差W/W就越小，反之则越大。与宽度相比，长度的相对误差就越小，反之则越大。与宽度相比，长度的相对误差L/L则可忽略。因此，对于有精度要求的电阻，要选择合适的则可忽略。因此，对于有精度要求的电阻，要选择合适的宽度，如大于宽度，如大于20m，以减小电阻条图形误差引起的失配。，以减小电阻条图形误差引起的失配。52022-6-26氧化膜氧化膜pnnP型扩散层型扩散层（电阻）（电阻）VCCLw基区扩散电阻基区扩散电阻（Rs=100-200 / ) 电阻图形尺寸的计算电阻图形尺寸的计算 根据具体电路中对电阻根据具体电路中对电阻大小的要求，可以非常方大小的要求，

6、可以非常方便地进行电阻图形设计。便地进行电阻图形设计。设计的依据是工艺提供的设计的依据是工艺提供的掺杂区的方块电阻值和所掺杂区的方块电阻值和所需制作的电阻的阻值。一需制作的电阻的阻值。一旦选中了掺杂区的类型，旦选中了掺杂区的类型，可以依据下式计算。可以依据下式计算。WLRRs 62022-6-26 其中，其中， Rs（或（或R）是掺杂半导体薄层的薄层电阻，又）是掺杂半导体薄层的薄层电阻，又称方块电阻，称方块电阻，L是电阻条的长度，是电阻条的长度，W是电阻条的宽度，是电阻条的宽度，L/ /W是电阻所对应的图形的方块数。因此，只要知道掺杂是电阻所对应的图形的方块数。因此，只要知道掺杂区的方块电阻，

7、然后根据所需电阻的大小计算出需要多少区的方块电阻，然后根据所需电阻的大小计算出需要多少方块，再根据精度要求确定电阻条的宽度，就能够得到电方块，再根据精度要求确定电阻条的宽度，就能够得到电阻条的长度。阻条的长度。 当然，这样的计算是很粗糙的，因为在计算中并没有考当然，这样的计算是很粗糙的，因为在计算中并没有考虑电阻的折弯形状和端头形状对实际电阻值的影响，在实虑电阻的折弯形状和端头形状对实际电阻值的影响，在实际的设计中需根据具体的图形形状对计算加以修正，通常际的设计中需根据具体的图形形状对计算加以修正，通常的修正包括端头修正和拐角修正。的修正包括端头修正和拐角修正。WLRRs 72022-6-26

8、)255. 0(RsR21nkkxWLjc p端头修正端头修正p拐角修正因子拐角修正因子p横向扩散修正因子横向扩散修正因子p薄层电阻值薄层电阻值Rs的修正的修正82022-6-26端头修正端头修正 因为电子总是从电阻最小的地方流动，因此，从引线因为电子总是从电阻最小的地方流动，因此，从引线孔流入的电流，绝大部分是从引线孔正对着电阻条的一孔流入的电流，绝大部分是从引线孔正对着电阻条的一边流入的，从引线孔侧面和背面流入的电流极少，因此，边流入的，从引线孔侧面和背面流入的电流极少，因此，在计算端头处的电阻值时需要引入一些修正，称之为端在计算端头处的电阻值时需要引入一些修正，称之为端头修正。头修正。

9、端头修正常采用经验数据，以端头修正因子端头修正常采用经验数据，以端头修正因子k1表示整个表示整个端头对总电阻方块数的贡献。例如端头对总电阻方块数的贡献。例如k1=0.5，表示整个端头，表示整个端头对总电阻的贡献相当于对总电阻的贡献相当于0.5个方块数。个方块数。92022-6-26 图图3.2 给出了不同给出了不同电阻条宽和端头形状电阻条宽和端头形状的修正因子的经验数的修正因子的经验数据，图中的虚线是端据，图中的虚线是端头的内边界，它的尺头的内边界，它的尺寸通常为几何设计规寸通常为几何设计规则中扩散区对孔的覆则中扩散区对孔的覆盖数值。对于大电阻盖数值。对于大电阻LW情况，情况， 端头对端头对电

10、阻的贡献可以忽略电阻的贡献可以忽略不计。不计。102022-6-26 对于折弯形状的电阻，通常每对于折弯形状的电阻，通常每一直条的宽度都是相同的，在拐一直条的宽度都是相同的，在拐角处是一个正方形，但这个正方角处是一个正方形，但这个正方形不能作为一个电阻方来计算，形不能作为一个电阻方来计算，这是因为在拐角处的电流密度是这是因为在拐角处的电流密度是不均匀的，靠近内角处的电流密不均匀的，靠近内角处的电流密度大，靠近外角处的电流密度小。度大，靠近外角处的电流密度小。经验数据表明，拐角对电阻的贡经验数据表明，拐角对电阻的贡献只有献只有0.5个方块数，即拐角修正个方块数，即拐角修正因子因子k2=0.5。拐

11、角修正拐角修正112022-6-26横向扩散修正因子横向扩散修正因子横向扩散修正因子横向扩散修正因子m主要考虑以下两个方面：主要考虑以下两个方面： 由于存在横向扩散，所以基区扩散电阻的实际横截面如由于存在横向扩散，所以基区扩散电阻的实际横截面如图所示，在表面处最宽，即图所示，在表面处最宽，即 。 jcSxWW8 . 02 122022-6-26 杂质浓度在横向扩散器表面与扩散口正下方的表面区域杂质浓度在横向扩散器表面与扩散口正下方的表面区域不同，其浓度由扩散窗口处不同，其浓度由扩散窗口处Ns（6x1018cm-3）逐步降低到）逐步降低到外延层处的外延层处的Nepi（10151016cm-3）.

12、如果假设横向扩散区如果假设横向扩散区的纵向杂质分布与扩散窗口下相同，则对于基区扩散电阻，的纵向杂质分布与扩散窗口下相同，则对于基区扩散电阻，其有效宽度为其有效宽度为 。jceffxWW55.0 132022-6-26薄层电阻值薄层电阻值Rs的修正的修正 一般情况下，基区薄层电阻值一般情况下，基区薄层电阻值Rs是在硼再分布以后测量是在硼再分布以后测量的，以检测扩散的质量。但是，基区扩散后还有多道高温的，以检测扩散的质量。但是，基区扩散后还有多道高温出来工序，所以杂质会进一步往里推进，同时表面的硅也出来工序，所以杂质会进一步往里推进，同时表面的硅也会进一步氧化，所以做成管子后，实际的基区电阻值会进

13、一步氧化，所以做成管子后，实际的基区电阻值Rsa比比原来测量的原来测量的Rs高，经验公式为高，经验公式为RsaKaRs 其中，其中，Ka为常数，可由实验来确定，一般在为常数，可由实验来确定，一般在1.061.25之间。之间。142022-6-26小阻值电阻可采用胖短图形：小阻值电阻可采用胖短图形：一般阻值电阻可采用瘦长图形一般阻值电阻可采用瘦长图形对大阻值电阻可采用折叠图形：对大阻值电阻可采用折叠图形：)255. 0(RsR21nkkxWLjc WLRRs 当当LW时，可不考虑时，可不考虑k1; 当当Wxjc时，可不考虑横向修正时，可不考虑横向修正m。)5 . 0(RsRnWL 152022-

14、6-26衬底电位与分布电容衬底电位与分布电容 制作电阻的衬底与电阻材料掺杂类型相反，即如果电制作电阻的衬底与电阻材料掺杂类型相反，即如果电阻是阻是P型半导体，衬底就是型半导体，衬底就是N型半导体，反之亦然。这样，型半导体，反之亦然。这样，电阻区和衬底就构成了一个电阻区和衬底就构成了一个pn结，为防止结，为防止pn结导通，衬结导通，衬底必须接一定的电位。要求不论电阻的哪个端头在任何底必须接一定的电位。要求不论电阻的哪个端头在任何的工作条件下，都保证的工作条件下，都保证pn结不处于正偏状态。结不处于正偏状态。 通常将通常将P型衬底接电路中最低电位，型衬底接电路中最低电位，N型衬底（外延层）型衬底（

15、外延层）接最高电位，这样，最坏工作情况是电阻只有一端处于接最高电位，这样，最坏工作情况是电阻只有一端处于零偏置，其余点都处于反偏置。例如，上端头接正电源零偏置，其余点都处于反偏置。例如，上端头接正电源的的P型掺杂电阻，衬底（外延层）的型掺杂电阻，衬底（外延层）的N型半导体电接正电型半导体电接正电源，这样在接正电源处，源，这样在接正电源处，pn结是零偏置，越接近电阻的结是零偏置，越接近电阻的下端头，下端头，P型半导体的电位越低，型半导体的电位越低，pn结反偏电压越大。结反偏电压越大。162022-6-26 也正是因为这个也正是因为这个pn结的存在，又导致了掺杂半导体电结的存在，又导致了掺杂半导体

16、电阻的另一个寄生效应：寄生电容。任何的阻的另一个寄生效应：寄生电容。任何的pn结都存在结结都存在结电容，电阻的衬底又通常都是处于交流零电位电容，电阻的衬底又通常都是处于交流零电位(直流的正、直流的正、负电源端或地端负电源端或地端)，使得电阻对交流地存在旁路电容。如，使得电阻对交流地存在旁路电容。如果电阻的一端接地，并假设寄生电容沿电阻均匀分布，果电阻的一端接地，并假设寄生电容沿电阻均匀分布，则电阻幅模的则电阻幅模的-3dB带宽近似为：带宽近似为：23131LCRRCfo口口 其中，其中，R是电阻区的掺杂层方块电阻，是电阻区的掺杂层方块电阻，C0是单位面积是单位面积电容，电容，L是电阻的长度。是

17、电阻的长度。172022-6-26二、其他常用的集成电阻器二、其他常用的集成电阻器1.发射区（磷）扩散电阻发射区（磷）扩散电阻 一种是直接在外延层一种是直接在外延层上扩散上扩散N+层来形成，需层来形成，需要单独的隔离区，由于要单独的隔离区，由于外延层的电阻率远高于外延层的电阻率远高于N+扩散层，所以外延层扩散层，所以外延层电阻对发射区扩散电阻电阻对发射区扩散电阻的旁路作用可忽略。且的旁路作用可忽略。且不存在寄生效应。不存在寄生效应。182022-6-26 另一种发射区扩散另一种发射区扩散电阻可与其他电阻坐电阻可与其他电阻坐在一个隔离区，但发在一个隔离区，但发射区电阻要做在一个射区电阻要做在一个

18、单独的单独的P型扩散区，型扩散区，并使三个并使三个PN结处于反结处于反偏，由于这种有寄生偏，由于这种有寄生PNP管效应，所以需管效应，所以需要增加隐埋层。要增加隐埋层。192022-6-26 发射区扩散电发射区扩散电阻主要用来作小阻主要用来作小阻值的电阻和在阻值的电阻和在连线交叉时作连线交叉时作“磷桥磷桥”，其电，其电阻值的计算方法阻值的计算方法和基区扩散电阻和基区扩散电阻类似。类似。202022-6-262.隐埋层电阻隐埋层电阻 其方块电阻值比较其方块电阻值比较小，主要做小电阻，小，主要做小电阻，图中图中R2就是隐埋层电就是隐埋层电阻。又由于影响隐埋阻。又由于影响隐埋层电阻的工艺因素太层电阻

19、的工艺因素太多，且不易控制，所多，且不易控制，所以隐埋层电阻的精度以隐埋层电阻的精度较差。较差。212022-6-263.基区沟道电阻基区沟道电阻特点特点:薄层电阻薄层电阻Rs大，用小大，用小面积制作大阻值电阻。面积制作大阻值电阻。基区沟道电阻的薄层电基区沟道电阻的薄层电阻阻Rs为为NPN晶体管的有晶体管的有效基区的薄层电阻效基区的薄层电阻RBS1。基区沟道电阻只能用基区沟道电阻只能用于小电流、小电压情况，于小电流、小电压情况，多用于基区偏置电阻或多用于基区偏置电阻或泄放电阻。当电阻两端泄放电阻。当电阻两端电压很小时，阻值近似电压很小时，阻值近似为常数。为常数。222022-6-26基区沟道电

20、阻精度低，因为基区沟道电阻精度低，因为没有独立的控制因素，完全没有独立的控制因素，完全由由NPN管的基区宽度管的基区宽度WB决定。决定。由于有大面积的由于有大面积的N+P结，寄结，寄生电容大。生电容大。薄层电阻薄层电阻RBS1较大，所以基较大，所以基区沟道电阻的温度系数较大。区沟道电阻的温度系数较大。N+区扩散层覆盖外的区扩散层覆盖外的P区薄区薄层电阻很小，比基区沟道电层电阻很小，比基区沟道电阻小阻小12个数量级，可以忽个数量级，可以忽略不计。略不计。232022-6-264.外延层电阻（体电外延层电阻（体电阻阻）特点）特点又称为又称为“体电阻体电阻”，不存在寄生不存在寄生PNP效应，效应，不

21、需要隐埋层。不需要隐埋层。外延层的薄层电阻较外延层的薄层电阻较大，可以做高值电阻。大，可以做高值电阻。可承受较高电压，其可承受较高电压，其击穿电压为隔离结击击穿电压为隔离结击穿电压。穿电压。242022-6-26在阻值设计时，要注意横向在阻值设计时，要注意横向修正，即电阻宽度修正，即电阻宽度W应扣除隔应扣除隔离结横向扩散后电阻区的实际离结横向扩散后电阻区的实际宽度。宽度。电阻的相对误差大。这是因电阻的相对误差大。这是因为电阻值的控制主要是通过外为电阻值的控制主要是通过外延层工艺和隔离扩散工艺来进延层工艺和隔离扩散工艺来进行的，这两道工艺本身就较难行的，这两道工艺本身就较难控制，况且后续工艺对外

22、延层控制，况且后续工艺对外延层电阻值的影响也较大。电阻值的影响也较大。电阻的温度系数较大。电阻的温度系数较大。252022-6-26在外延层上在外延层上覆盖一层覆盖一层P型型扩散层，就可扩散层，就可做成更高阻值做成更高阻值的电阻，即的电阻，即外外延层沟道电阻延层沟道电阻，其结构与基区其结构与基区沟道电阻类似。沟道电阻类似。262022-6-265.离子注入电阻离子注入电阻同为掺杂工艺，由于离子同为掺杂工艺，由于离子注入工艺可以精确地控制注入工艺可以精确地控制掺杂浓度和注入的深度，掺杂浓度和注入的深度，且横向扩散小。其阻值容且横向扩散小。其阻值容易控制，精度较高。易控制，精度较高。该电阻由两部分

23、组成，离该电阻由两部分组成，离子注入区电阻和子注入区电阻和p+区端头区端头电阻，因为电阻，因为p+区端头的掺区端头的掺杂浓度较高，阻值很小，杂浓度较高，阻值很小，实际的电阻值主要由离子实际的电阻值主要由离子注入区电阻决定，与热扩注入区电阻决定，与热扩散掺杂电阻相比，减小了散掺杂电阻相比，减小了误差，进一步提高了精度。误差，进一步提高了精度。272022-6-262. 用用MOS晶体管形成电阻晶体管形成电阻 用用MOS晶体管形成电阻又叫晶体管形成电阻又叫有源电阻有源电阻是指采用晶体管是指采用晶体管进行适当的连接并使其工作在一定的状态，利用它的直进行适当的连接并使其工作在一定的状态，利用它的直流导

24、通电阻和交流电阻作为电路中的电阻元件使用。双流导通电阻和交流电阻作为电路中的电阻元件使用。双极型晶体管和极型晶体管和MOS晶体管均可担当有源电阻，在这里将晶体管均可担当有源电阻，在这里将只讨论以只讨论以MOS器件作为有源电阻的情况，双极型器件作器件作为有源电阻的情况，双极型器件作为有源电阻的原理类似。为有源电阻的原理类似。 以以NMOS为例，其电流方程：为例，其电流方程： 2)(221DSDSTHGSoxnDVVVVLWCI 282022-6-26三、三、MOS集成电路中常用的电阻集成电路中常用的电阻1. 多晶硅电阻多晶硅电阻SiSiO2LeffLWpoly-SiSiO2SDLD为源漏扩散时横

25、向扩散量。为源漏扩散时横向扩散量。阻值高，用扩散掺杂工艺制作阻值高，用扩散掺杂工艺制作精度低，主要用来做存储器存精度低，主要用来做存储器存储单元的负载电阻。若用离子储单元的负载电阻。若用离子注入掺杂工艺，精度可以提高。注入掺杂工艺，精度可以提高。WLLRWLRRDSipolySeffSipolyS)2(, 292022-6-26当当VDS很小时：很小时： DSTHGSDSTHGSoxnDVVVkVVVLWCI)(2)(221 LWCkoxn 21 其中：其中： THGSTHGSoxnCVVkVVLWCR 211 302022-6-263.2 集成电容器集成电容器 在集成电路中，电容也是一个重要

26、的元件。在集成电路中，电容也是一个重要的元件。IC中应中应尽量避免使用电容器，因电容器占面积大。在双极型尽量避免使用电容器，因电容器占面积大。在双极型模拟集成电路中，集成电容器用作频率补偿以改善电模拟集成电路中，集成电容器用作频率补偿以改善电路的频率特性。在路的频率特性。在MOS模拟集成电路中，由于在工艺模拟集成电路中，由于在工艺上制造集成电容比较容易，并且容易与上制造集成电容比较容易，并且容易与MOS器件相匹器件相匹配，故集成电容得到较广泛的应用。普通配，故集成电容得到较广泛的应用。普通PN结电容的结电容的容量较小，有较大的温度系数和寄生效应等缺点，因容量较小，有较大的温度系数和寄生效应等缺

27、点，因此，应用不多。此，应用不多。312022-6-26 在双极型和在双极型和MOS模拟集成电路中的电容大多采用模拟集成电路中的电容大多采用MOS结构或其相似结构。由于在结构或其相似结构。由于在MOS工艺中实现的工艺中实现的MOS电容，匹配精度比电阻好，一般约为电容，匹配精度比电阻好，一般约为0.1%5%，因此在因此在D/A、A/D转换器和开关电容电路等集成电路中，转换器和开关电容电路等集成电路中，往往用电容代替电阻网络。往往用电容代替电阻网络。322022-6-26表表 列出了扩散电阻、离子注入电阻和列出了扩散电阻、离子注入电阻和MOS电容电容器的若干性能比较。器的若干性能比较。332022

28、-6-26一、双极一、双极IC中常用的集成电容器中常用的集成电容器1.反偏反偏PN结电容器结电容器：在双极集成电路中，常使用的集成：在双极集成电路中，常使用的集成电容器。电容器。 PN结电容器的制作工艺完全和结电容器的制作工艺完全和NPN管工艺兼容，但其管工艺兼容，但其电容值做不大。发射结的电容值做不大。发射结的零偏单位面积电容大，但零偏单位面积电容大，但击穿电压低，约为击穿电压低，约为69V；集电结的零偏单位面积电集电结的零偏单位面积电容小，但击穿电压高，约容小，但击穿电压高，约为为20V。342022-6-262.发射区扩散层发射区扩散层-隔离扩散层隔离扩散层-隐埋层结构隐埋层结构 发射区

29、扩散层发射区扩散层隔离扩散层隔离扩散层隐埋层结构，这种电容实际上是隐埋层结构，这种电容实际上是两个电容并联，所以可以增大两个电容并联，所以可以增大PN零偏单位面积电容零偏单位面积电容CjA0。但由于。但由于存在存在PN结，击穿电压只有结，击穿电压只有45V。另外由于隔离（衬底）结面。另外由于隔离（衬底）结面积较大，所以积较大，所以CjS也较大，为减小也较大，为减小CjS影响，应降低所使用结上的反影响，应降低所使用结上的反偏电压，使结电容提高，提高衬底结的反偏电压，减小偏电压，使结电容提高，提高衬底结的反偏电压，减小CjS。 352022-6-263.MOS电容器电容器上电极：铝膜上电极：铝膜介

30、质：薄介质：薄SiO2层，厚度大于层，厚度大于1000（对工艺要求高，额外（对工艺要求高，额外工艺制作，其他工艺通同工艺制作，其他工艺通同NPN管）管）下电极：下电极：N+发射区扩散层发射区扩散层 R是下电极是下电极N+发射区扩散层电阻，为提高发射区扩散层电阻，为提高MOS电容器的电容器的Q值（品质因数，评价回路损值（品质因数，评价回路损耗的指标），必须减小耗的指标），必须减小R值，所以一般制成方值，所以一般制成方形，以减小形，以减小R的方数（的方数（L/W），使阻值下降。），使阻值下降。 等效电路等效电路362022-6-26MOS电容器特点电容器特点 单位面积电容值单位面积电容值CA较小（

31、较小（CA=3.16.210-4pF/m2），），所以占用芯片面积大；所以占用芯片面积大； 击穿电压高，击穿电压高，BV50V； 温度系数温度系数TCC小，约为小，约为2010-6/； 下电极用下电极用N+发射区扩散层时，发射区扩散层时，MOS电容值基本上与电压电容值基本上与电压大小及电压极性无关；大小及电压极性无关； 单个单个MOS电容误差电容误差C/C较大，较大，20%，电容间匹配误，电容间匹配误差可小于差可小于10%； Cjs大，可增大衬底电压来减小。大，可增大衬底电压来减小。372022-6-26图图3.20 以多晶硅作为上、以多晶硅作为上、下极板的电容器结构下极板的电容器结构图图3.19 以多晶硅作为以多晶硅作为上极板的电容器结构上极板的电容器结构栅氧化层栅氧化层多晶硅多晶硅二、二、MOS IC中常用的中常用的MOS电容器电容器382022-6-263.3 互连（内连线）互连（内连线） MOS IC尤其是尤其是Si栅栅MOS电路中，常用的布线一般电路中，常用的布线一般有金属、重掺杂多晶硅（有金属、重掺杂多晶硅（Poly-Si）、扩散层和难熔金）、扩散层和难熔金属（属（W、Ti等）硅