电子元器件基础知识简介-电容

1、http:/ 深圳市共进电子有限公司1电子元器件基础知识简介-电容阮晶晶2011.07.18http:/ 深圳市共进电子有限公司2目录1、电容的概念和原理2、电容的作用3、产品分类4、应用举例http:/ 深圳市共进电子有限公司3一、基本概念1.构造l 它的基本构造是由两个相互靠近的金属电极板，中间夹一层电介质构成的。l 在两个极板上加上电压，电极板上就可以储存电荷。两极板所储存的电荷数量相同，极性相反。储存的电荷还可以通过外电路向外释放，即电容器是充、放电荷的电子元件。而电容量的大小，取决于电容器的极板面积，极板间距及电介质常数：dSC=http:/ 深圳市共进电子有限公司4l 电容器储存电

2、荷量的多少，取决于电容器两端所加电压。储电量在数值上等于加在导电极板上的电压与电容的乘积。l 即：Q = CUl Q：一个极板上的电荷，单位为库仑（C）。l U：两极板间的电位差，单位为伏特（V）。l C：电容量，单位法拉（F）。l S：极板面积，单位为平方米（m2）。l d：两极板间距，单位为米（m）。l ：电介质常数，单位为法/米（F/m）。l 1F = 106 F = 109 nF=1012 pF l 由上式看出，当电容器电容量一定时，两极板所加电压越高，储存的电荷越多。http:/ 深圳市共进电子有限公司5在交流电路中，电容器的容抗为： f：交流信号频率，单位Hz。 C：电容量，单位F

3、。 Xc：容抗，单位欧姆。fC21XC =http:/ 深圳市共进电子有限公司6二. 电容器的主要作用应用于电源电路，主要实现的作用: 1.隔直流2.旁路3.去耦4.滤波 5.储能 应用于信号电路，主要完成的作用：6.耦合 7.振荡/同步 8.时间常数 http:/ 深圳市共进电子有限公司71）隔直流作用是阻止直流通过而让交流通过。 原理：dV = 1/C * di/dt http:/ 深圳市共进电子有限公司82）旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放 电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近

4、负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大 电流毛刺时的电压降。 http:/ 深圳市共进电子有限公司93）去藕去藕：是电源在供电过程中要防止负载工作的动态电流耦合到其内阻上影响其输出的稳定，因为电源有内阻，交流纹波降落上去会使输出电压波动，因此在负载电源两端用电容架一条交流通路，防止这些动态交流混入直流电源内部 这就是去藕电容。当然这个电容的确是不能乱放的，应该最简捷的接在供电线送到负载路途的两端，紧靠负载电源输入端。如果放置不当会为电源旁路不成反给负载引入其他来自外部的干扰。 http:/ 深圳市共进电子有限公司10旁路和去耦

5、电容的联系与区别将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10uF或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。 http:/ 深圳市共进电子有限公司114）滤波 从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上由于容量大，体积大，内部圈

6、层多，存在有感性成分，等效于一个电容与电感串联，高频时由于感抗的存在，会增大整个电容的阻抗，减弱了滤波的作用，所以要并上小容量的电容作补偿（小容量电容在制作时可以克服感抗特性），主要是为了滤除高频成分。所以我们设计原理图的时候会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高频阻低频。电容越大低频越容易通过，电容越小高频越容易通过。滤波就是充电，放电的过程。频率计算公式：=1/(LC)1/2 http:/ 深圳市共进电子有限公司125）储能 储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40450VD

7、C、电容值在220150 000uF之间的铝电解电容器是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。 http:/ 深圳市共进电子有限公司136）耦合在低频信号的传递与放大过程中，为防止前后两级电路的静态工作点相互影响，常采用电容藕合http:/ 深圳市共进电子有限公司147）振荡/同步包括RC、LC振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。电容C在理想状态下，它的相位延时是90，但实际不可能达到90，平时应用中都是RC一起来用。并且RC可以组成低高通滤波器。 http:/ 深圳市共进电子有限公司15

8、8）时间常数 这就是常见的 R、C 串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时，电容（C）上的电压逐渐上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻（R）、电容（C）的特性通过下面的公式描述： i = (V/R)e-(t/CR) http:/ 深圳市共进电子有限公司16三、 电容器的分类及型号1. 分类： 电容器种类繁多，有按介质分的，也有按容量是否可变分的。 （1）按介质材料分类 a. 有机介质：复合介质、纸介质、塑料介质（涤纶、聚苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚四氟乙烯）、薄膜复合。 b. 无机介质：云母电容、玻璃釉电容（圆片状、管状、矩形、片状电容、穿心电容）、陶瓷（独石）电容。

9、http:/ 深圳市共进电子有限公司17 c. 气体介质：空气电容、真空电容、充气电容。 d. 电解质：普通铝电解、钽电解、铌电解。（2）按容量是否可调分类 a. 固定电容器 b. 可变电容器（空气介质、塑膜介质） c. 微调电容器（陶瓷介质、空气介质、塑膜介质）http:/ 深圳市共进电子有限公司18贴片多层陶瓷电容的规格描述MLCC,容值,精度,额定电压,介质特性,封装,厂商型号,厂商MLCC：Multi-layer Ceramic Capacitor表示贴片多层陶瓷电容 容值：使用科学计数法表示,单位为pF,如：226 表示22uF 247 表示240uF 105 表示1uF104 表示

10、0.1uF 103 表示0.01uF 102表示1000pF101 表示100pF 100 表示10pF 1R0 表示1pF2R7 表示2.7pF 0R75 表示0.75pF精度：使用电容实际精度的代号表示,如：Z：+80%-20% M：20% K：10%J：5% G：2% F：1%D：0.5pF C：0.25pF B：0.1pFhttp:/ 深圳市共进电子有限公司19 额定工作电压电容器中的电介质能够承受的电场强度是有限的，当施加在电容器上的电压超过一定值时，电介质有可能被击穿而损坏。额定工作电压是指，在规定的工作温度范围内，电容器在电路中连续工作而不被击穿的加在电容器上的最大有效值，习惯上

11、叫电容器的耐压。 额定电压通常是指直流工作电压（专用于交直流电路的，标有交流电压），若电容器工作于脉动电压下，则交、直流分量的总和须小于额定电压。在交流分量较大的电路中，（例如，滤波电路），电容器的耐压应留有充分余量。http:/ 深圳市共进电子有限公司201.646.3101625（32）405063100（125）160250（300）400（450）5006301000160020002500300040005000630080001000015000200002500030000350004000045000500006000080000100000注：带括弧者仅为电解电容所用。注：带

12、括弧者仅为电解电容所用。一般电解电容和体积较大的电容器，都将耐压直接标在电一般电解电容和体积较大的电容器，都将耐压直接标在电容器的表体上。容器的表体上。电容额定电压系列（单位：电容额定电压系列（单位：V）http:/ 深圳市共进电子有限公司21温度类别温度范围：电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围，该范围取决于它相应类别的温度极限值，如上限类别温度、下限类别温度、额定温度(可以连续施加额定电压的最高环境温度)等。http:/ 深圳市共进电子有限公司22温度系数电容的容量会随温度的变化而变化，一般常用C表示电容器的随温度变化的特性： C = 1/ C1为t1时的电容量（室温205），C2为

13、t2时（极限温度）的电容量。C越小越好，电容越稳定，由于C很小，常用PPm/表示（百万分之一）。1/ =106 PPm/ 云母及瓷介电容稳定性好，温度系数为104/ =102 PPm /。铝电解稳定性差，其C为102/，即104 PPm/。多数电容的C为正，瓷介电容C为负。tCC1)tt (CCC12112http:/ 深圳市共进电子有限公司23绝缘电阻 直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。 电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘

14、电阻与容量的乘积。由于温升引起电子活动增加，因此温度升高将使绝缘电阻降低。 http:/ 深圳市共进电子有限公司24损耗 电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。 在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。 http:/ 深圳市共进电子有限公司25介质特性介质特性：多层陶瓷电容的介电特性,使用特定的字母数字组合表示,如:NP0,表示NP0类（COG = NP0）X7

15、R,表示X7R类X5R,表示X5R类 Y5V,表示Y5V类Z5U,表示Z5U类 http:/ 深圳市共进电子有限公司26NPO 材质系列NPO (COG):一类电介质（Class-1），超稳定级，NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。电气性能最稳定，基本上不随温度，电压与时间的改变而改变，适用于对稳定性要求高的高频电路。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。，因为其他材质电容的容值随温度变化误差较大。电容范围 1pF0.1uF (10.2V rms 1MHz)NPO 材质电容温度特性 55125

16、 |容值变化| 30PPM/C (PPM 为百万分之一)。抗电强度：2.5倍额定电压 5秒 浪涌电流：50毫安 http:/ 深圳市共进电子有限公司27X7R 与X5R材质系列X7R (2X1):二类电介质，稳定级，电气性能较稳定，在温度电压与时间改变时性能的变化并不显著，适用于隔直，偶合旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路。由于X7R 是一种强电介质，因而能造出容量比NPO 介质更大的电容。电容范围 300pF3.3uF (1.00.2V rms 1KHz)X7R 材质电容温度特性 55125 |容值变化| 15% 老化特性 10 年小于1%抗电强度：2.5倍额定电压5秒 浪涌电流：50

17、毫安X5R :和是的代码，表示不同的温度特性，温度变化率相同，都是，只是上限工作温度是度，上限是度，从材料上来说，比较接近，都是作为主烧块的陶瓷材料，的值大点，可以做更大的容量，一般大容量的都是，不能用做http:/ 深圳市共进电子有限公司28Y5V&Z5U 材质系列Y5V (2F4)(Z5U):三类电介质，能用级 ，具有较高的介电常数，常用于生产比容较大的、标称容量较高的大容量电容器产品，但其容量稳定性较X7R 差，容量，损耗对温度、电压等测试条件较敏感。电容范围 1000pF22uF (0.3V 1KHz)温度特性： 3085 82% 容值变化 +22% 老化特性 10 年 5%抗电强度：

18、 2.5倍额定电压 5秒 浪涌电流：50毫安http:/ 深圳市共进电子有限公司29低温高温容量变化X: -55 C4: +65 CA: 1.0%Y: -30 C5: +85 CB: 1.5%Z: +10 C6: +105 CC: 2.2%7: +125 CD: 3.3%8: +150 CE: 4.7%9: +200 CF: 7.5%P: 10%R: 15%S: 22%T: +22% -33%U: +22% -56%V: +22% -82%电容的温度与容量误差编码 http:/ 深圳市共进电子有限公司30封装类型穿孔式穿孔式：穿孔式封装的元器件应该是人们最熟悉的类型，其详细还可分为引线式和插接

19、式两种，它们的显著标志就是拥有引脚，插接式通常还有一个固定脚。安装它们时需要将引脚穿过PCB。尽管元器件的安装方式基本相同，但不同类型和定位的元件其形状和内部结构也各不相同，适用于不同的场合。 RAD-5.0mm,表示同向引出线封装形式,相邻引脚的中心间距为5.0mmAxial-7.5mm,表示轴向引出线封装形式, 相邻引脚的中心间距为7.5mmhttp:/ 深圳市共进电子有限公司31贴片式：贴片式元器件常会被简写为SMD（Surface Mount Device），贴片式电容仅仅是其中的一种。和引线式相比，此类封装的元器件仅需安装与PCB表面，而无须穿透整个PCB，便于自动化安装，也节省了P

20、CB面积。同时还可以让PCB内部走线更加自如，也会在一定程度上减少干扰。不过贴片式元器件焊接温度较高，对器件本身的耐温能力也会有一定的要求，并不是所有规格的元器件都可以采用。简单说，在元器件规格相同的情况下，贴片式封装要优于引线式，当然，成本也会更高。http:/ 深圳市共进电子有限公司32贴片式http:/ 深圳市共进电子有限公司33电解电容器电解电容器以金属（正）和电解质（负）作电容器的两个电极板，以金属氧化膜作电介质。氧化膜厚度为纳米级（几十纳米），由于介质薄，所以可以做得体积小，容量大，由于氧化膜具有单向导电性，因而电解电容器具有正、负之分，使用时不得接反。接反后，氧化膜电阻极小，漏电

21、流大，发热严重，当电解质是液体时，会爆炸。当在结构和工艺上采取某种措施后，可制成无极性的或交流电解电容器。 电解电容器使用温度一般在20C85C以内。http:/ 深圳市共进电子有限公司34（1）铝电解CD 以铝为正极，液体电解质作负极，氧化铝膜为介质，温度范围多为20850C。超过850C时，漏电流增加；低于200C时，容量变小，耐压为6. 3450V，容量10680F。 目前已生产出无极性铝电解电容，如CD71、CD03、CD94。价廉，用途广。 （2）钽电解CA 寿命、可靠性好于铝，体积小于铝，上限温度可达2000C，但耐压不超过160V，价格贵。 （3）铌电解 介电常数大于钽，体积更小

22、，稳定性比钽稍差。http:/ 深圳市共进电子有限公司353种不同材质电解电容的关系以往传统的看法是钽电容性能比铝电容好，因为钽电容的介质为阳极氧化后生成的五氧化二钽，它的介电能力（通常用表示）比铝电容的三氧化二铝介质要高。因此在同样容量的情况下，钽电容的体积能比铝电容做得更小。（电解电容的电容量取决于介质的介电能力和体积，在容量一定的情况下，介电能力越高，体积就可以做得越小，反之，体积就需要做得越大）再加上钽的性质比较稳定，所以通常认为钽电容性能比铝电容好。http:/ 深圳市共进电子有限公司36电解质（阴极）电解质（阴极）电解液是最传统的电解质，电解液是由 GAMMA丁内酯有机溶剂加弱酸盐

23、电容质经过加热得到的。我们所见到的普通意义上的铝电解电容的阴极，都是这种电解液。、优势：首先在于液体与介质的接触面积较大，这样对提升电容量有帮助。其次是使用电解液制造的电解电容，最高能耐 260度的高温，这样就可以通过波峰焊（SMT贴片安装的一道重要工序）同时耐压性也比较强。 其次，当介质被击穿的后，只要击穿电流不持续，那么电容能够自愈。缺陷：首先是在高温环境下容易挥发、渗漏，对寿命和稳定性影响很大，在高温高压下电解液还有可能瞬间汽化，体积增大引起爆炸（就是我们常说的爆浆） 其次是电解液所采用的离子导电法其导电率很低，只有 0.01S（电导率，欧姆的倒数）/CM，这造成电容的 ESR值（等效串

24、联电阻）特别高。http:/ 深圳市共进电子有限公司37二氧化锰是钽电容所使用的阴极材料。二氧化锰是固体，传导方式为电子导电，导电率是电解液离子导电的十倍（0.1S/CM），所以 ESR比电解液低。优势：固体电解质没有泄露的危险。 二氧化锰的耐高温特性也比较好，能耐的瞬间温度在 500度左右。缺陷：在极性接反的情况下容易产生高温，在高温环境下释放出氧气，同时五氧化二钽介质层发生晶质变化，变脆产生裂缝，氧气沿着裂缝和钽粉混合发生爆炸 其次，这种阴极材料的价格也比较贵。http:/ 深圳市共进电子有限公司38TCNQ是一种有机半导体，是一种络合盐。因此使用 TCNQ的电容也叫做有机半导体电容优势：

25、使电解电容的工作频率由以前20KHZ直接上升到了 1 MHZ。 其次，TCNQ的导电方式也是电子导电，其导电率为 1S/CM，是电解液的 1 00倍，二氧化锰的 10倍。性能非常稳定，也比较廉价。缺陷：它的热阻性能不好，其熔解温度只有 230-240摄氏度，所以有机半导体电容一般很少用 SMT贴片工艺制造。无法通过波峰焊工艺。http:/ 深圳市共进电子有限公司39PPY（聚吡咯）以及 PEDT PPY聚吡咯和 PEDT做为阴极材料的电容，叫做固体聚合物导体电容。其电导率可以达到 100S/CM，这是 TCNQ盐的 100倍，是电解液的 10000倍，同时也没有污染。优势：固体聚合物导体电容的

26、温度特性也比较好，可以忍耐 300度以上的高温，因此可以使用 SMT贴片工艺安装。 其次，固体聚合物导体电容的安全性较好，当遇到高温的时候，电解质只是熔化而不会产生爆炸，因此它不像普通铝电解液电容那样开有防爆槽。缺陷：在于其价格相对偏高，同时耐电压性能不强。http:/ 深圳市共进电子有限公司40电解电容寿命产品寿命总是用户最关心的问题之一。电容器的寿命取决于所用材质以及工作温度。工作温度越高，寿命就越低。我们只能从厂商的规格PDF中得到相关的寿命信息。由于材质不同，铝固体电解电容器的寿命要比常规铝-电解液电容高的多。同时，我们也可以看到，温度对电容器寿命的影响非常巨大。http:/ 深圳市共

27、进电子有限公司41 玻璃釉电容玻璃釉电容 涤纶电容涤纶电容 其它常用类型电容其它常用类型电容器器云母电容云母电容陶瓷电容陶瓷电容http:/ 深圳市共进电子有限公司42A. 贴片陶瓷电容器贴片陶瓷电容器 结构与特点：结构与特点：1. 温度特性：温度特性：精度误差：在精度误差：在0.1PF +80%/20% 2. 片容的耐压：片容的耐压：6.3V630V ，应用于，应用于电子设备，移动通讯设备，办公自动电子设备，移动通讯设备，办公自动设备，自动电子，检测设备，混合集设备，自动电子，检测设备，混合集成电路等。成电路等。 3. 陶瓷薄片层绝缘，先进的分层技术，陶瓷薄片层绝缘，先进的分层技术，使高层的

28、元件具有较高的电容值。使高层的元件具有较高的电容值。4. 单体结构使之具有良好的机械性能，单体结构使之具有良好的机械性能，可靠性极高可靠性极高 。5. 良好的尺寸精度保证了自动安装的准良好的尺寸精度保证了自动安装的准确性。确性。http:/ 深圳市共进电子有限公司43结构及特点：结构及特点： 玻璃釉电容器的介质是玻璃釉电容器的介质是玻璃釉粉玻璃釉粉加压制成的薄片。因釉粉有不同的配加压制成的薄片。因釉粉有不同的配制工艺方法，因而可获得不同性能的制工艺方法，因而可获得不同性能的介质，也就可以制成不同性能的玻璃介质，也就可以制成不同性能的玻璃釉电容器。玻璃釉电容器具有釉电容器。玻璃釉电容器具有介质介

29、介质介电系数大、体积小、损耗较小电系数大、体积小、损耗较小等特点等特点，耐温性耐温性和和抗湿性抗湿性也较好。也较好。用途：用途： 玻璃釉电容器适合玻璃釉电容器适合半导体电路半导体电路和和小型电子仪器小型电子仪器中的交、直流电路或脉中的交、直流电路或脉冲电路使用。冲电路使用。B. . 玻璃釉电容器玻璃釉电容器 http:/ 深圳市共进电子有限公司44结构：结构： 用两片金属箔做电极，夹在极用两片金属箔做电极，夹在极薄绝缘介质中，卷成圆柱形或者扁薄绝缘介质中，卷成圆柱形或者扁柱形芯子，柱形芯子，介质是涤纶介质是涤纶。涤纶薄膜。涤纶薄膜电容、介电常数较高，体积小，容电容、介电常数较高，体积小，容量大

30、，稳定性较好量大，稳定性较好，适宜做，适宜做旁路电旁路电容。容。突出优点：突出优点： 精度、损耗角、绝缘电阻、温精度、损耗角、绝缘电阻、温度特性、可靠性及适应环境等指标度特性、可靠性及适应环境等指标都优于电解电容，瓷片电容。都优于电解电容，瓷片电容。 缺点：缺点： 容量、容量、价格比价格比及体积比都大于及体积比都大于以上两种电容。以上两种电容。C. .涤纶电容器涤纶电容器http:/ 深圳市共进电子有限公司45D.云母电容器云母电容器结构结构:云母电容器可分为箔片式和被银式。用金属箔或在云云母电容器可分为箔片式和被银式。用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板，极板和云母一层一层叠合后，母片上喷涂

31、银层做电极板，极板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成，形状多为方块再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成，形状多为方块状。状。优点：采用天然云母作为电容极间的介质，耐压高，性能相优点：采用天然云母作为电容极间的介质，耐压高，性能相当好当好,介质损耗小，绝缘电阻大，温度系数小。介质损耗小，绝缘电阻大，温度系数小。 缺点：由于受介质材料的影响，容量不能做得太大，一般在缺点：由于受介质材料的影响，容量不能做得太大，一般在10PF-10000PF之间，且造价相对其它电容要高。之间，且造价相对其它电容要高。 应用：云母电容是性能优良的高频电容之一，应用：云母电容是性能优良的高频电容

32、之一，广泛应用于对电容的稳定性和可靠性要求高广泛应用于对电容的稳定性和可靠性要求高的场合，并可用作标准电容器。的场合，并可用作标准电容器。http:/ 深圳市共进电子有限公司46选取电容时的四大误区1.电容容量越大越好。电容容量越大越好。 很多人在电容的替换中往往爱用大容量的电容。我们知道虽然电容越大，为IC提供的电流补偿的能力越强。且不说电容容量的增大带来的体积变大，增加成本的同时还影响空气流动和散热。关键在于电容上存在寄生电感，电容放电回路会在某个频点上发生谐振。在谐振点，电容的阻抗小。因此放电回路的阻抗最小，补充能量的效果也最好。但当频率超过谐振点时，放电回路的阻抗开始增加，电容提供电流

33、能力便开始下降。电容的容值越大，谐振频率越低，电容能有效补偿电流的频率范围也越小。从保证电容提供高频电流的能力的角度来说，电容越大越好的观点是错误的，一般的电路设计中都有一个参考值的。 http:/ 深圳市共进电子有限公司472.同样容量的电容，并联越多的小电容越好同样容量的电容，并联越多的小电容越好耐压值、耐温值、容值、ESR(等效电阻)等是电容的几个重要参数，ESR与电容的容量、频率、电压、温度等都有关系。当电压固定时候，容量越大，ESR越低。在设计中采用多个小电容并连多是出与PCB空间的限制，这样有的人就认为，越多的并联小电容，ESR越低，效果越好。理论上是如此，但是要考虑到电容接脚焊点的阻抗，采用多个小电容并联，效果并不一定突出。 http:/ 深圳市共进电子有限公司483.ESR越低，效果越好越低，效果越好 对于输入电容来说，输入电容的容量要大一点。相