ARM与FPGA通信

1、在数据采集卡中ARM主要负责数据显示和数据分析，处理的速度处于MS级；而FPGA在系统中处于数据的高速采集和高速处理，处理的速度是ns级。两个处理器的之间的数据传输属于典型的异步数据通信，它们之间通信的速度之间决定了系统处理数据的效率。FPGA与ARM之间属于大量数据交换，以异步并行读取的方式为例介绍ARM与FPGA的通信，实际设计中使用DMA方式来实现ARM与FPGA之间的大数据量通信。ARM存储系统分析S3C2410A存储控制器提供访问外部存储器所需要的存储器控制信号。S3C2410A支持大、小端模式，将存储空间分为8个组（Bank），每组大小是128M，共计1GB,如图1所示。所有存储器

2、组都可用于ROMA或者SRAM，Bank6、Bank7还可以用于SDRAM。所有内部块的访问周期都可编程。总线访问周期可以通过插入外部等待来延长，支持SDRAM的自刷新和掉电模式。Bank0Bank6的开始地址是固定的，Bank7的开始地址是Bank6的结束地址，灵活可变，并且Bank7的大小与Bank6的大小必须相等。除Bank0外，其余各存储器的总线宽度可编程设置为8位、16位或者32位，但是Bank0只支持16位或者32位。Bank0作为引导ROM，地址映射到0 x0000_0000。OM1:0是系统的引导模式控制引脚，在复位时,系统将检测OM1:0上的逻辑电平，并根据这个电平来决定Ba

3、nk0区存储器的总线宽度。=01,10OM1;Q=00CkFFFF_FFFFax6ooo_oooo0 x4800_0000MOOO_OFFF0k4000_00000k3800_00000 x3000_00000 x2800_0000ax2ooo_oooo0k1800_00000 x1000_00000k0800_0000M000_0000kNotu&sdrKkSFRAreaBootSRAM(4KB/tes)SROM/SDRAM(nGCS7)SrOm/sdram(nGCSB)SROM(nGGS5)SROM(nGCS4SROMrSROM(nGCS2SROM(nGCSI)SROM(nGCSOJ图1A

4、RM存储单元分配图NotusedSFRAreaNotusedSROM/SDRAM(nGCSZSr&m/Sdram(nGCS6SROM(nGCSS)SROM(nGCS4SROM(nGCS3SROM(nGCS2SROM(nGCSIB&tftIrlfeMSlSRAM(4KB)在设计中ARM的bankO用于NorFlash,bank6和bank7用于两块SDRAM,我们选择bank4作为FPGA内部RAM映射的空间。Bank4在ARM的统一基地址为0 x20000000，后面的采集的数据都是基于这个地址为首地址的。EP3C25基于SRAM结构，器件内部自带RAM，容量最大达到594Kbit。为了方便A

5、RM与FPGA通信，在FPGA上建立一个8Kbit的RAM数据缓冲区，将AD采集的数据缓冲在这8Kbit的RAM中，将ARM的数据总线和地址总线与RAM缓冲区构建的双口RAM的数据线、地址线直接相连，使用总线访问FPGA内部RAM就可以达到高速数据读取的目的。这种结构下相当于将采集到的数据直接存储到S3C2410的系统内存中，从而节省了数据传输的时间，大大提高了系统的效率。如上图4-2所示ARM存储系统的结构图，ARM与外部存储器相连时，必须先给其分配在一个固定的Bank，本设计将FPGA内的缓冲区指定在Bank4上,地址范围从0 x2000_0000到0 x2000_1000。使用片选引脚n

6、GCS4、读引脚nOE和写引脚nWE即可完成对FPGA内存储空间的读写。ARM读取双口RAM中的数据被测信号经过AD9480转换后，需要将转换后的数据进行存储，这是数字存储示波器与模拟示波器的区别之一。对于数据的存储方案主要有FIFO和双端口RAM两种。第一种使用FIFO方案，其特点是数据存储格式是先入先出，可以省去地址总线，只需要将数据按照一定的时钟写入存储单元，数据的读取相同。第二种是双端口RAM方案，其特点是需要两个独立的数据总线、地址总线和控制总线;一方在写入的时候，另一方可以进行数据的读取。由于需要读取存储器中某个“特定”位置的数据，所以必须使用地址线，所以后端的存储器选择双口RAM

7、。memoryrddr8.l|rnOEwrenjF貳BlackFtps：/TOrddocktwo.!.=Es:q7.J0lbuslri從画二己三Q药卩血图2双口RAM与ARM总线连接图上图2是双口RAM与ARM总线连接图，双口RAM的地址线addr8.O与ARM的地址线的低九位相连，nOE取反后作为双口RAM的读取时钟，双口RAM的数据输出q经过一个八位的三态缓冲器输出。如图ARM读取信号nOE低电位有效,而双口RAM的读时钟为上升沿有效，为了得到合适的读取时序，我们将nOE取反后作为双口RAM的读取时钟。输出数据总线与ARM的数据总线连接，若直接连接共享存储区的数据总线会长期占用ARM的数据

8、总线，会造成CPU无法运行。在两个数据总线中加一个三态缓冲器，以取反的nOE为三态门的选通信号后问题既可以解决。以读取操作为例，ARM读取外部存储器的时序图如下图3所示，针对FPGA内部缓冲区的读取，下面通过一个最基本的读语句来分析ARM读取的过程。图3ARM读取外部存储器的时序图以程序a0=*0 x20000000为例，这条程序是将地址0 x20000000地址中的数据赋给a0，地址0 x20000000为bank4的首地址，当程序需要访问bank4地址空间内的数据时，操作步骤如下：在接下来的时钟上升沿，将需要访问的地址赋给地址总线。在第二个周期选通访问地址所在bank的片选，即nGCS4拉低。在第三个周期将nOE拉低，给出发出读取信号。在第四个周期，将访问地址中的数据赋给数据总线。由于整个调试过程都在SDRAM中运行，而a0也是在SDRAM中由编译器指定一个地址，因此在读操作完成后，紧接着的是向SDRAM中某个地址赋值的写操作，所以片选信号和读信号在读操作完成后立即被拉高了。设计中真是使用了读信号n