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文档简介

1、模拟电子线路分析与制作 -PN结的形成及特性2 原子结构PN结的形成1 定义 3 共价键1 载流子的扩散运动原理：空穴和自由电子具有浓度高向浓度低的地方扩散的趋势。P区的空穴浓度大于N区：P区的空穴向N区扩散。N区的自由电子浓度大P区：N区的自由电子向P区扩散。载流子的扩散运动2 PN结的形成原理：空穴与自由电子会复合。P区和N区的交汇处，空穴和自由电子大量复合： P区具有大量不能移动的负离子N区具有大量不能移动的正离子PN结的形成在P区和N区的交界处形成一个相对稳定的很薄的空间电荷区域，这就是所谓的PN结。有时也称之为耗尽区。3 内电场与漂移运动N区正离子指向P区负离子的电场，成为内电场。内

2、电场的作用1：内电场阻碍P区的空穴(多数载流子)向PN结扩散，阻碍N区的自由电子(多数载流子)向PN结扩散。内电场的作用2：内电场促使P区的自由电子(少数载流子)向PN结扩散，促使N区的空穴(少数载流子)向PN结扩散，这称为漂移运动。扩散运动使PN结变厚，内电场使PN结变薄，漂移运动使PN结变薄，最终PN结动态平衡。2 原子结构PN结的单向导电性1 定义 3 共价键1 PN结外加正向电压正向电压：P区接高电位，N区接低电位。P区的空穴向PN结扩散。N区的自由电子向PN结扩散。结果（内外电场反向）PN结变薄。PN结变薄，同时空穴和自由电子复合使得PN结变厚，相互作用达到新的平衡，形成稳定的正向电流IF。PN结表现导通，这就是PN结的正向导通，简称正偏。2 PN结外加反向电压反向电压：N区接高电位，P区接低电位。P区的空穴离开PN结。N区的自由电子离开P区。结果（内外电场同向）PN结变厚。PN结变厚，内电场变强，进一步阻碍扩散运动。PN结表现截止状态，这就是PN结的反向截止，简称反偏。3 PN结单向导电结论 PN结加正向

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