电脑主板电子原件详解讲解课件

1、维修人员培训教程 电子元器件的认识电阻（Resistance)1电容(Capacitor)2电感 (Inductor)3晶振(Crystal Oscillator)4保险丝(Fuse)3电子元器件的认识（L C R)MOS FET7主板常见场效应管与晶体管的比较8集成电路9三极管(Transistor)6二极管(Diode)5电阻(Resistor)定义阻止电流通过的电子元件种类定额电阻在生产时已规定了电阻的阻值大小可变电阻根据需要在一定范围内可改变其阻值大小热敏电阻阻值在生产时已定额,但会随着温度改变其阻值大小用于温控电路压敏电阻电阻对电压较敏感，当电压达到一定数值时,电阻迅速导通 电阻(R

2、esistor)电阻在电路中用“R”加数字表示 换算单位电阻的单位为欧姆（）倍率单位有：千欧(K),兆欧 (M)等1M =103 K= 106阻值计算 1E-24标注方法 E-24标注法有两位有效数字，精度在2%（-G），5%（-J），10%（-K） （1） 常用电阻标注 XXY XX代表底数，Y代表指数 例如 470 = 47 103 = 10k 224 = 220k （2） 小于10欧姆的电阻的标注 用R代表单位为欧姆的电阻小数点，用m代表单位为毫欧姆的电阻小数点 例如 1R0 = 1.0 R20 = 0.20 5R1 = 5.1 R007 = 7.0m 4m7 = 4.7m电阻(Resi

3、stor)2E-96标注方法 E-96标注法有三位有效数字，精度在1%（-F） (1) 常用电阻标注 XXXY XXX代表底数，Y代表指数 例如 4700 = 470 1003 = 100k 2203 = 220k (2) 小于10欧姆的电阻的标注 用R代表单位为欧姆的电阻小数点，用m代表单位为毫欧姆的电阻小数点 例如 1R00 = 1.00 R200 = 0.200 5R10 = 5.10 R007 = 7.00m 4m70 = 4.70m (3) E-96 Multiplier Code标注法 XY X 代表底数的代码，具体数值可从Multiplier Code表中查找 Y 代表指数的代码

4、，具体数值也要从Multiplier Code表中查找 例如 18A = 150 02C = 10.2k 排阻(Resistor Array） 串联排阻用英文字母“RN“表示.并联排阻用英文字母“RP“表示 若干个参数完全相同的电阻，它们的一个引脚都连到一起，作为公共引脚。其余引脚正常引出一般来说，最左边的那个是公共引脚。它在排阻上一般用一个色点标出来电阻(Resistor)精密电阻表：X=10-1 A=100 B=101 C=102 D=103 E=104数字代表值数字代表值数字代表值011001112721162021021213022165031051313323169041071413

5、7241740511015140251780611316143261820711517147271870811818150281910912119154291961012420158 30200电阻(Resistor)量测方法用数字式万用表去测电阻时，用红黑表笔接电阻的两端,用相应的欧姆档去读取电阻的阻抗大小作用电阻在电路中的主要作用为分流,限流,分压,偏置,滤波(与电容器组合使用)和阻抗匹配等应用分流-并联电阻,常见于光驱电路板上限流-例如:主板上用于Reset电路中的上拉电阻分压-串联电阻,常用于3VSB电路中的基准电路备注电阻大小和主板的Trace和Copper的长度,宽度和厚度有关Tr

6、ace和Copper的长度越长,宽度越窄和厚度越薄,电阻值越大Trace和Copper的长度越短,宽度越宽和厚度越厚,电阻值越小当电阻一定时,流过Trace的电流越大,Trace上的压降越大电容(Capacitor)定义容纳电荷的电子元件种类从工艺上分直立电容(DIP)和贴片电容(SMT)两种从介质上分有陶瓷电容、钽电容、铝电解电容三种陶瓷电容-电视机电路板上常见无极性,容量也很小(PF级)一般可以耐很高的温度和电压常用于高频滤波钽电容寿命长、耐高温、准确度高、滤高频改波性能极好容量较小、价格也比铝电容贵,因含巨毒现已不再使用铝电解电容-常见 包含固态电容，封装方式不一样比贴片式钽电容更大的容

7、量电流低频的滤波和稳压作用电容(Capacitor)电容在电路中用“C”加数字表示 换算单位电容的单位为法拉（F）倍率单位有:毫法(mF) 、微法(uF) 、纳法(nF) 、皮法(pF)。 1F=103 mF =106 uF =109 nF =1012 pF 容抗计算数标法一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍率 色环标注法电容容量误差表 符 号 F G J K L M 允许误差 1% 2% 5% 10% 15% 20% 钽电容及电解电容有极性焊接时注意方向贴片电容直立电容电容(Capacitor)量测方法电解电容判断电解电容的极性目视量测先任意测一下漏电阻，记住其大小

8、，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。电解电容的量测方法使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可判断电解电容是否可充电。普通量测方法在拆卸电容后使用LCR Meter或万用表红黑笔棒量测电容容抗大小电容(Capacitor)特性隔直流通交流,储存电能作用电容是一个储能元件,能起到充放电的作用应用滤波-主板上的Vcore电路中的电容振荡-应用于早期的中短波收音机中,因为误差较大,在现在的应用中多被晶振所代替 用的很少 不超过10个晶振中有两个重要的电容耦合-主板上在CPU附近常用于高

9、频耦合主要用在滤波和耦合电容(Capacitor)图示DIP电解电容贴片式陶瓷电容贴片式钽电容贴片式铝电解电容OS CON电容电容(Capacitor)OS CON电容 -构成方式OS-CONOS-CON是采用在固体电解质里的高导电性有机半导体（TCNQ复合盐）原理，以实现小型化，大容量以及等效串联电阻小，使用寿命长的特点。由于等效串联电阻极为微小，频率数特性出色，所以最适合用于转换电流平滑电容器和清除各种嘈声的电容器。同时，与有机半导体（TCNQ复合盐）相比较，可以更加体现出它的高导电性能，以及在使用耐热性高的高分子导电性系列时也被大力推出,对于无铅化以及设备的高可靠性,长寿命化都显示出无可

10、比拟的优越性。使用寿命长,即使爆炸也不会发生明火等效阻抗小,能量损失少P=1/2*I2*ESR,常用于OEM/ODM机种Vcore电路上价格较贵电容(Capacitor)EL-Cap的组成铝箔 (Aluminum Foil)电解液 (Electrolyte)电解纸 (Electrolytic Paper)导针 (Lead)橡胶 (Rubber)胶管 (Sleeve)电感(Inductor)定义电流感应电动势种类空芯电感有芯电感磁芯常用于高频电感铁芯常用于低频电感电感(Inductor)电感在电路中用“L”加数字表示量测方法使用万用表红黑笔棒量测电感,其两端应该是相互导通的使用LCR Meter

11、量测电感感量作用电感是用线圈制作的,通直流阻交流,它的作用多是扼流滤波和滤除高频杂波以及振荡,延迟和陷波等应用滤波-Vcore电路中的扼流电感 储频器上用于供压的3V电感耦合-主板上用于USB电路中的4Pin电感保险丝(Fuse)定义在发生短路或者过载等故障时熔断以切断电路来保护受该保险丝保护的电气元件 ,也被称之为熔断器电路中用“F”加数字表示种类限流保险丝-用于过电流保护(平常说的保险丝)温度保险丝-用于过热保护熔断性自恢复性量测方法使用万用表红黑笔棒量测保险丝,其两端应该是相互导通的快速保险丝在电路中用“F”加数字表示作用保险丝就会在电流异常升高到一定的高度和一定的时候，自身熔断切断电流

12、，从而起到保护电路安全运行的作用应用主板上KB/MS电路中主板上USB电路中晶振(Crystal Oscillator)定义石英晶体振荡器,利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件 ,常与负载电容一起组成各类振荡电路 种类普通晶体振荡（SPXO）电压控制式晶体振荡器（VCXO)温度补偿式晶体振荡（TCXO）恒温控制式晶体振荡（OCXO）量测方法标称频率大都标明在晶振外壳上,用示波器相应挡位量测即可晶振在电路中用“X”加数字表示作用广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，以及通信系统中用于频率发生器数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。 应用主板上频率发生

13、器电路中主板上Audio/LAN电路中二极管(Diode)晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示 种类齐纳二极管 (Zener Diode)常用于调整电压,其与整流二极管的差别在于专门选用其逆向崩溃区肖特基二极管 (Schottky Diode)常用于高频和高速切换中，因其反向恢复时间短管压降小发光二极管 (Light-Emitting Diode)发光二极管因所用于制造的材料不同，则其放射光的波长也不同，颜色自然不同发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负二极管(Diode)特性单向导电性应用单向导通-在电池电路中的双二极管稳 压-常用于早期的Vcore芯片的供电电

14、路中测试注意事项建议用数字式万用表两极管档去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反 SOT- 323 双二极管SOD-323二极管(Diode)齐纳二极管 也称为稳压二极管,在电路中常用“ZD”加数字表示特性击穿后其两端的电压基本保持不变.这样当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变故障特点开路:电源电压升高短路:电源电压/大电流变低到零伏或输出不稳定稳压值不稳定:电源电压变低到零伏或输出不稳定三极管(Transistor)种类分N

15、PN 和 PNP两种E (Emitter)发射极C (Collector)集电极B (Base)基极常见Package作用晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用 应用一般数字设计中, 对晶体管都是工作在Cut off（截止） 及 (饱和)Saturation二种State, 取代Switch 之OFF/ON在Power、Audio等应用中, 让晶体管工作在Active Area，起放大作用NPNSOT-23PNPSOT-89SOT-23SOT-89TO-252MOS管(MOS FET)种类分N沟道型和P沟道型两种D (Drain)漏极S (Source)源极G (Gate)栅极MOS管(MOS

16、 FET)常见MOSFET 封装Power MOS的供应商APEC:富鼎ANPEC:茂达INFINEON:英飞凌 NECNIKO:尼克森Power MOS的P/N & Date CodeTO-252TO-251SOT-23MOS管(MOS FET)N-MOS 9T15N-MOS 70T03N-MOS 60T03主板常见场效应管与晶体管的比较场效应管与主板常见晶体管的比较 场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管 场效应管是利用多数载流子导电,是单极型器件 晶体管既有多数载流子

17、,也利用少数载流子导电,是双极型器件有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用MOS FET的量测(一)判断N沟道MOSFET的好坏(拆卸MOS FET后量测)1.把MOS从板子上吹下来2.准备一只万用表,要求红黑表头之间的电压大于2伏特 (因为Vgs门限电压一般都是2伏特,只有大于2伏特MOS才能导通）。3.用欧姆档红接G,黑接S,正常值是。同时GS被充电.(如果说是欧姆级的，那么就坏掉了.)4.如果正常,则因为GS

18、被充电,所以DS导通,则Vds约等于0V,Rds约等于0 欧姆。5.接着用手把G和S捏在一起，进行放电。6.然后测Vds应该,Rds也应该是。7.再测Vsd约0.4V0.5V.(Vds是红表头接d极，黑表头接s极；Vsd反过来）MOS FET的量测(二)板上 Vcore MOSFET 判定方法(不拆卸MOS FET量测)关于High Side MOS（上管）量测MOS管的D极和S极相互阻值,阻值应该在50欧姆以上(实际阻值是在持续增大的),若情况符合,则认为所有high side MOS均OK,不符则进行第2步精确判断哪颗MOS损坏.量测MOS管的G极和S极之间的相互阻值,若发现阻值不是K级以

19、上(一般通常情況是8.2K，加了一个),则基本判定该MOS管损坏.关于Low Side MOS（下管）量测MOS管的D极和S极相互阻值,阻值应该在20欧姆以上(实际阻值是在持续增大的),若情况符合,则认为所有low side MOS均OK,不符则进行第2步精确判断哪颗MOS损坏.量测MOS管的G极和S极之间的相互阻值,若发现阻值不是K级以上(一般通常情況是8.2K),则基本判定该MOS管损坏.请在量测前(一定不能上電)对该MOS管放电:分别短路G极与S极,G极与D极,D极和S极各一次(其中以短路G极与S极為主要)集成电路定义：集成电路是指把电路中的半导体器件，电阻，电容 及导线制作在一块半导体基片（芯片）上，并封装 在一个壳体内所构成的完整电路。优点：集成电路具有重量轻，体积小，功耗低，成本低， 可靠性高和工作速度快等优点。符号：集成电路芯片在电路中通常用字母“U”表示。封装方式：DIP，QFP，PGA，BGA， CSP ，CGA LGA ，ZIF ，SOP， PFP ，TSOP 等集成电路主板上常见的集成电路图集88E1116网卡3110DriverALC