内存解析课件

1、第4讲 内存4.1 内存概要内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。内存(Memory)也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。 内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。相对CPU 、主板，内存通用性强。4.2 内存条外观及组成4.3 主流内存主要涉及项目有：品牌、价格、类型、容量和主频（工作频率）现在市场

2、上用于个人电脑的内存主要有三种，一种是老式的DDR，一种是目前主流的DDR2和DDR3。 主流内存举例4.4 识别内存方法金士顿为例KVR16N11/4，KVR即金士顿ValueRAM的缩写，大意为金士顿入门级内存；16代表1600MHz；N代表non-ecc，即无ecc校验功能；11代表时序为CL11；/4为4GB容量的意思。另1KVR代表是金士顿普通内存，Kingston value ram，与超频版分开，D3代表是DDR3内存；N代表是Non -ECC，即不带ECC内存校验功能，9代表CAS内存延迟是9，及9-9-9另2KHX（HyperX）一向是金士顿高端内存的代名词，1600是频率，

3、CL延迟为8，D3表示DDR3代，K3三通道，6G表示总容量4.5内存的类型内存主要分为ROM和RAM两类ROM：ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。即使是断电，ROM也能够保留数据。但是资料一但写入后只能用特殊方法或根本无法更改 。RAM：在通电情况下不能长时间保持电量，需要每隔一段时间就进行一次重新加电过程，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质。4.5.1 ROM1.ROM2.PROM（Programmable Rom）即可编程ROM。3.EPROM（Erasable Programmable Rom）即可擦写、可编程ROM，它可以通过特殊的装置（通常是紫

4、外线）反复擦除，并重写其中的信息。4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable Rom）即电可擦写、可编程ROM，可以使用电信号来对其进行擦写。5.Flash Memory 4.5.2 RAMDRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器）目前我们所说的内存。SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存储器）差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在加电期间，数据不会丢失。1. SDRAM（Synchronous D

5、RAM）SDRAM（Synchronous DRAM）的中文名字是“同步动态随机存储器”，它是PC100和PC133规范所广泛使用的内存类型，其接口为168线的DIMM类型(这种类型接口内存插板的两边都有数据接口触片)，最高速度可达5ns， 工作电压3.3 V。SDRAM与系统时钟同步，以相同的速度同步工作，即在一个CPU周期内来完成数据的访问和刷新，因此数据可在脉冲周期开始传输。SDRAM也采用了多体（Bank）存储器结构和突发模式，能传输一整块而不是一段数据，大大提高了数据传输率，最大可达133 MHz。 4.5.3 DRAM内存的种类2. DDR SDRAM（Double Data Ra

6、te SDRAM） DDR就是双倍数据传输率（Double Data Rate），DDR SDRAM就是双倍数据传输率的SDRAM， DDR内存是SDRAM 的升级版本，它是更先进的SDRAM。SDRAM只在时钟周期的上升沿传输指令、地址和数据。而DDR SDRAM的数据线有特殊的电路，可以让它在时钟的上下沿都传输数据。DDR SDRAM与普通SDRAM的另一个比较明显的不同点在于电压，普通SDRAM的额定电压为3.3V，而DDR SDRAM则为2.5V。在物理结构上，DDR SDRAM采用采用184针（pin），金手指部分只有一个缺槽。3. DDR2由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行

7、开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。 4. DDR3DDR3是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。1.DDR SDRAM 规范(1)DDR20

8、0(2)DDR266(3)DDR333(4)DDR4002.DDR2(1)DDR2 400(2)DDR2 533(3)DDR2 667(4)DDR2 8003.DDR3(1)DDR3 800 (2)DDR3 1066(3)DDR3 1333 (4)DDR3 1600(5)DDR3 1800 (6)DDR3 1866(7)DDR3 2000 (8)DDR3 2133(9)DDR3 2200 (10)DDR3 2400DRAM内存的规范（内存主频）4.6 内存的性能指标1.存储容量 存储容量是衡量内存非常重要指标，是人们最为关注的方面。2.内存的接口类型SIMM：single in-line me

9、mory module，单边接触内存模组DIMM：Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块3.内存的频率DDR内存和DDR2内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍；而DDR2内存每个时钟能够以四倍于工作频率的速度读/写数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是200/266/333/400MHz；DDR2 400/53

10、3/667/800的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是400/533/667/800MHz。DDR3 800的工作频率为100MHz，等效频率为800MHz。4.内存的多通道双通道，就是在北桥（又称之为MCH）芯片级里设计两个内存控制器，这两个内存控制器可相互独立工作，每个控制器控制一个内存通道。在这两个内存通CPU可分别寻址、读取数据，从而使内存的带宽增加一倍，数据存取速度也相应增加一倍（理论上）。双通道是一种主板芯片组(Athlon 64集成于CPU中）所采用新技术，与内存本身无关，任何DDR内存都可工作在支持双通道技术的主板上。5.SPD从PC100标准

11、开始，内存条上就装有一个称为SPD（Serial Presence Detect,串行存在探测）的小芯片。SPD一般位于内存条正面右侧，它是1个8针SDIC封装（3mm*4mm）256字节的EEPROM芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD(在发送列读写命令时必须要与行有效命令有一个间隔，这个间隔被定义为tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟）)、tRP（Precharge command Period，预充电有效周期）、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。当然，这些情况只是在内存参数设置为By SPD的情况下才可以实现。 6.类型：台式机 笔记本/DDR2 DDR37.其他：针脚数、工作电压、CL延迟4.7内存技术的发展4.7.1 DDR42012年9月26日，JEDEC完成了DDR4 SDRAM内存标准的制定。 DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。虽然标准规定最低是DDR4-1600，但从实用角度讲，起步怎么也得DDR4-2133，最高则是DDR4-3200。新内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866