光催化第二章PPT

1、里鄧旨：平細的阖采前細諏融AD010NH031JOALISH3AINA们第二章光催化材料的结构表征与测试技术2.3光学性质分析2.3.1固体紫夕卜可见漫反射光谱2.3.2固体光致发光光谱2.4表面和界面结构分析2.4.1X射线光电子能谱2.4.2顺磁共振技术2.5光电化学研究方法2.5.1光电化学理论基础2.5.2表面光电压谱和电场诱导表面光电压谱2.5.3能带位置和平带电位2.5.4光电化学研究方法2.3光学性质分析-2.3.1固体紫夕卜可见漫反射光谱半导体光催化材料具有其特性,因此有T满足其特性的表征方法。作为光催化剂,其高效宽谱的光学吸收性能是保证光催化活性的一个必要而非充分条件，因此分

2、析固体光催化的官学吸收性能是必不可少的。由于固体样品存在大量的散射,所不能直接测定样品的吸收。通常采用固体紫色可见漫反射光谱(UV-VisDRS)测得漫反射谱z再通过Kubelka.Munk函数(式1),测得的无线厚样品的反射光谱转化(1-oo)2_a2_-(1-1)为等价的吸收光谱F(恥)。F(/?oo)=R无限厚样品的反射率；a吸收系数；s散射系数；QILUUNIVERSITYOFTECHNOLOGYF(Aoo)hvn=hv乓(_2)例：Au负载TiO。紫外可见漫反射吸收光谱,经过K-M公示转换成吸收光谱,再M用公式1-1估算带隙宽度约为317eV。（书P45,图2-8）01非辐射跃迁F(

3、02!】1辐射跃迁“光致发光QILUUNIVERSITYOFTECHNOLOGY2.3.2固体光致发光光谱光致发光是指一定波长光照下被激发到高能级激发态的电子重新跃入低能级被空穴捕获而发光的微观过程。纳米材料内部存在混乱界面，平移周期受到破坏，普通的规律不再实用所以会出现特殊的发光现象空穴浓度高且颗粒尺寸小，电子运动自由程短,形成激子的几率比常规材料多，能够观察到新的发光现象；3内部有悬键和不饱和键,能够形成附加能级，从而引发新的发光带带隙能量QILUUNIVERSITYOFTECHNOLOGYI、反儿儿l曰发光峰I能量消耗复合作用t光催化活性I2、发光峰一复杂的表面态能级和激子复合3S对同一

4、种材料,不同激发波长得到的光致发光光谱不同Tmte激发波长:300nmirfl41)I)Xo0-)41(13504004505005506006507(X1035()4J304505(MJ5506(K)70()波长/nm波长,FRl(b)图1不同激发波长下ZnO纳米粒子的发光光谱ac分别对佛烧題为：320C、430C、550C图1ZnO纳米粒子激子发光带的示意图纳米粒子氧化物的表面氧空位能够很容易的结合电子形成激子，并形成靠近导带底的激子能级，存在对应的激子发光带。2.4表面和界面结构分析2.4.1X射线光电子能谱X射线光电子能谱（XPS）是一种高灵敏度的表面分析技术,能探测415nm深度的表

5、面层信息,研究样品表面的元素组合和化学状态等物性的有效手段。XPS的测试是基于光电离作用原理,在测试中射入X射线一定时通过测定功函数和电子的动能可以求出电子的结合能,通常采用较高能量的X射线作为激发源,同时激发出原子价轨道中的价电子和芯能级上的内层轨道电子。结合能ArV(a)200000(b)图2不同温度焙烧的ZnO表面O元素和Zn元素(b)的XPSad分别对应焙席融为320C、430C.550C.700C53853653453253052结合能/V图3ZnO表面上两种氧的XPS谱及分峰QILUUNIVERSITYOFTECHNOLOGYZnO纳米粒子（粒径）锌的结合能/eV锌与晶格氧比值锌与

6、总氧的比值a(13nm)1021.92.420.781b(18nm)1021.62.020.832c(25nm)1021.81.600.780d(38nm)1021.01.460.556表1不同ZnO纳米粒子表面上Zn的XPSidS和Zn与O的原子数比值）密#丄瘵/孝OILUUNIVERSITYOFTECHNOLOGY2.4.2顺磁共振技术电子顺磁共振（ElectronParamagneticResonancezEPR）又叫电子自旋共振（ESR）是直接测和硏究含有为未成对电子的顺磁性物质结构的现代分析方法。基本原理是：分子中的未成对电子在外加静磁场作用下会发生能级分裂（塞曼分裂厂其大小与磁场强

7、度成正比,如果在垂直与磁场方向上施加一定频率的交变磁场,当磁场频率满足一定条件时,样品中处于上下两能级的电子就会发生受激跃迁,其结果使得一部分处于低能级中的电子吸收电磁波能量跃迁到高能级中，发生电子顺磁共振现象。未成键电子数.悬键类型、数量以及键的结构和特征研究类型活性氧自由基或者三线态氧ESR的主要参数直接反应自由电子或者未成键电子的状态与电子自旋驰豫时间有关与磁化率成正比,纳米离子的磁化率与粒子包含电子奇偶数有关弋01LUUNIVERSITYOFTECHNOLOGY在室温和液氮温度下测定ZnO纳米粒子的顺磁共振谱,测试条件为：室温或液氮温度(84K),微波频率为9.61GHz,调制频率为1

8、00kHz,中心磁场为3420G(高斯)，扫场宽度为6000G。体相ZnO是种抗癌性物质,无论从理论上还是从实验上均证实没有ESR信号。Is1520253()3540ZnO尺寸/nm(b)963%1/I()(M)600()500()4000二3000g2(X)0100()0315033003450HJG3600图584K时ZnO纳米粒子的EPR谱a-320C:b-430C图4室温下ZnO纳米粒子的ESR信号以及不同ZnO纳米粒子的ESR强度与粒径关系EG图6钛酸盐11岂门3。7的纳米线与纳米管的顺磁共振谱，圍以曲线是超氧负离子和未知顺磁缺陷的组合普(5)超负氧离子的特征g因子为gi=2.019

9、8,92=2.90093,g3=20033由于附体顺磁性的晶格缺失g=2.0033,在顺磁共振检测真空退火的纳米管时QILUUNIVERSITYOFTECHNOLOGY2.5光电化学硏究方法旳崔化污物降解光解水制氢纳晶半有机合成导体染料敏化太阳能电池超逻辑开关上述机理最重要的是阐明电荷迁移过程,光催化本质上是氧化还原过程，目前较好的硏究手段是光电化学方法电化学技术硏究过程2.5.1光电化学理论基础本征半导体的载流子浓度低，电子和空穴数接近，Fermi能级位于带隙中间位置，表明电子在价带出现的概率很高而在导带中出现的概率很低。通过杂质掺杂本征半导体、或者非计量化合物半导体等，半导体都表现n型或P

10、型半导体的特征。n型半导体P型半导体其中电子是多数载流子,Fermi能级靠近导带其中空穴是多数载流子,Fermi能级靠近价带间电荷层。本征表面态和非本征表面态等将引起表面和体相间的电荷迁移，从而形成一个空电荷的迁移达到平復亍后,引起半导体表面空间电荷层价带和导带发生弯曲形成带弯。当半导体侵入氧化还原电解质中时,界面各点电化学势不用，空间电荷层的电荷发生变化，主要是因为：1、表面态和溶液能相互反应；2、开路条件下,能级位置合适的离子与半导体交换电子。当电荷迁移达到平衡后z会引起半导体表面空间电荷层带弯变化。图7n型半导体和电解质界面平衡前后的能级模型和平衡时的界面经典模型(b)光电化学硏究的基本

11、依据是通过控制施加的偏压可以调节半导体电极的空间电荷区，在半导体表面产生任何形式的空间电荷层(a(b图8n型半导体光电化学原理图膜电极电荷激发迁移简单示意图；（b）半导体溶液界面的能级模型QILUUNIVERSITYOFTECHNOLOGY内建电压Vsc理论计算公式(1-3)Use=-（讐）M式中/e0电子电荷;ss静电介电常数;比一J受体密度；1W电荷层宽注意:内键电压以来外加偏压、溶液中的氧化还原物质、表面态和光照等。TOC o 1-5 h zVm=Vsc+V化(1-4)调节外电压，当施加正向偏压时,Vsc增大促进电子和空穴分离；当施加负向偏压，Vsc减小,使得Vs为零时对应的夕卜加电压值

12、成为平带电压Vz HYPERLINK l bookmark46 o Current Document n型:二Q沖；p型：V沪Evs+y(1-5)n型半导体表面导带电位和平带电位差卩；p型半导体表面价带电位和平带电位差卩,卩是一个在0l02eV间的数值 HYPERLINK l bookmark48 o Current Document Vfb二Ecso屮+2.3kT(pzcpH)(1-6)pzc表示零电荷点对应的pH值7每变化一个pH单位平带电位变化2.3kTz即0.059V/pHo02QILUUNIVERSITYOFTECHNOLOGY2.5.2表面光电压谱和电场诱导表面光电压谱0301超带

13、隙跃迁和次带隙跃迁对于SPS有贡献固体半导体表面物性和界面电荷的迁移过程QsshQscQsC是表面净电荷，Qsc是表面空间电荷层净电荷源自光照引起的表面势垒变化(Vs即内建电压)表面光电压谱(SPS)和电场诱导表面光电压谱(EFISPS)是研究固体功能材料表面和界面电荷行为非常有效的方法,能够反映样品的光化学性能、电子能带和表面态结构。图10n型半导体表面态至I能带的跃迁引起的表面光电压响应表面态去布园天迁.；（b）飙畢壅十图9能带件的跃迁引起的半导体表面光电压响应（a）n型半导体；（b）p型半导体其中Vs。-光照前的表面势垒,皿光照后的表面势垒其中牖蠶鑑鷺髓龄势垒电场诱导表面光电压谱(EFI

14、SPS)是一种将电场效应原理与SPS方法相结合的技术，在外加电场的作用下，光生载流子的运动方向可以改变，以至于使表面态参与的跃迁也能够对SPS信号有所贡献,从而可以提供更多的光生载流子和表面态的涪息。无比照.无外加电场无外加电场.比照(a)外加电场.光照oo。Oe?无外加电场比照(b)无光照.无外加电场-oooooOOO图11夕卜加电场对于光生载流子和SPS响应的影响示意图(a)n型半导体;(b)p型半导体34QILUUNIVERSITYOFTECHNOLOGY图12稳态表面光电压谱装置简图1点源；2单色仪；3斩波器；牛透镜;5样品池；6外电场；7锁相放大器；8点源；9计算器；10打印机图13

15、用于粉末样品SPS和EFISPS测定的表面光电压电池结构示意图QILUUNIVERSITYOFTECHNOLOGY160120804004()一和-120300325350375400425450波Knm图14TiC)2纳米粒子SPS和EFISPS360nm的强响应峰为TiO?价带到导带的带带电子跃迁，即电子由02p的非键轨道向Ti3d的最低空轨道的跃迁，其响应阈值为380nm,与其带隙宽度的响应阈值是一致的。園葛囚率皋、潮卑、半第阴生景曲TT一0TVWFZHE亠UMOSOLJtlLoHZ2ubQMrcIsN8QV-.M?sif*7&?AD010NH031JOA1ISH3AINA们10為嵐、冨

16、鸟卑zb业冨鸟卑鵰乙OHBMBMB*B_WavV，孝孑劣QILUUNIVERSITYOFTECHNOLOGY确定能带位置的意义能带位置包括导带位置和价带位置。通过确定半导体的导带和价带位置,可以确定光化学反应在热力学上是否允许发生。价带顶越正,空穴的氧化能力越强；导带低越负,电子的还原能力越强。热力学上讲,半导体的导带必须在氧化还原点位的上边,光化学反应才能发生。通过第一*性原计算从绝对电负性进行估算通过测定平带点宙验获取QILUUNIVERSITYOFTECHNOLOGY如何确定能带位置、通过第一性计算聽押I勰険验计算导0-立置获得不同的化合物技术的价带和导带位置不具有可比性。第一tt原理:

17、跟计算联系在注的,是指在进行计算的时候除了告诉程序你所使用的原子和他们的位置外,没有其它的实验的,经验的或者半经验的参量。与经验参数相对。二从绝对电负性进行解对于n型半导体,在等电点对应的pH值下,导带低位置的估算方程为:Ecb二X-Ec05Eg(1-7)一EC自由电子在标准氢电极的势能(二4.5eV)；一E。是半导体氧化物的带隙宽度；一X龛半导体氧化物的绝对电负性；绝对电负性:元素的电子亲和能与第一解离能的几何平均值QILUUNIVERSITYOFTECHNOLOGY半导体氧化物化合物的绝对电负性X(V带隙宽度瓦eV等电点pH下的导带位STi(A5.XI3.2i-0.30ZnC)5.793.

18、2-0.31Nb心6.2643.50.01半导体氧化物化合物的绝对电负杵X7W带隙宽度EJN等电点pHF的导带位置陀小BiVCX6.0352.410.33BkMo(人6.1292*690.28Bi2wa62082.750.33表2半导体氧化物光催化的绝对电负性、带隙和等电点处导带位置Ecb二X-Ec-05Eg二581-4.505x3.2二-0.3(eV)QILUUNIVERSITYOFTECHNOLOGY导带位置:Ecb=-0.1-0.059pH(1-8)导蠶険麴立置TPH变化而变化，对于TQ5得到TQ2的等电点pHzpc二5.8,所以zpHzpc处的导带位置Ecb二-0.1-0059pH二-

19、0.44QILUUNIVERSITYOFTECHNOLOGY三、通过测定平带点位实验获取n型半导体:平带点位妾近导带，可以认为就是导带位置；p型半导体:平带点创妾近价带,可以认为就是价带位置；如果已知带隙宽度就可以确定能带位置。2.5.3.2平带点位的测定方法如彙k半导体电极施加某一点位进行极化，改变半导体的费米能级,半导体的能带处于平带状态，这一点位称为平带点位（Vfb）。费米能级:在半导体物理和电子学领域中,费米能级被当做电子或空穴化学势的代名词平带点位的测定方法悬鬻电电化学法光谱电化学法一、光电化学方法：（有性能优良膜电极）包括开路电压法和光电流起始电压法电流起始电压法:在外加电压下,带

20、弯变化引起Vsc（内建电压）变化,这时外电压就是平带电位（扫描电压法）开路电压法:在强光照下，Vsc趋近于零,带弯消失，这时的开路电压接近平带电位值。即用开路电压作为平带电位值。二、光谱电化学法在三电极体系下，对半导体电极施加不同电位,测量其在固定波长下(TiO2ffi780nm处)的吸光度的变化。当电极电位比平带点位偏正时，吸光度没有变化。偏负时，吸光度急剧上升。吸光度开始上升时对应的电位就是半导体的平带点位。三、电化学法在三电极体系下,使用入射光激发半导体电极,改变电极上施加的电位。当施加的电位比平带点位偏负时，光生电子不能转移的外电路，因而不能形成光电流；相反，偏正时，光电流能产生。光电

21、流开始产生时，电极上施加的电位就是半导体的平带点位。四、悬浮液光电压法通过测定半导体的电子准费米能级（Fermi）获得平带电位。因为对于重掺杂的半导体,可以认为平带电位和准费米能级相等。采用氧化还原电位E。不随pH变化的有机电子受体作为指示剂,记录光电压随pH值的变化趋势悬浮液光电压法原理当pH较低时半导体的准费米自颤低于E。光生电子无法从导带转移到有机电子受体上,光生电荷复合而;肖失,此时光电压的变化不大(图中pHvpH。的情形)。当pH较低时半导体的准费米自獗低于E0.光生电子无法从导带转移到有机电子受体上,光生电荷复合而】肖失,此时光电压的变化不大(图中pHvpHO的情形)。此时继续提高

22、pH值,光电压呈线性变化。因此可以实验测定pH。位置，根据式(化)计算任意pH值时半导体化合物的平带电位,从而确定任意pH值下的半导体能带位置。Efb(pH)=E0-k(pH-pH0)(1-9)E是氧化还原对标准还原电位；k是i能带电位随pH变化的斜率参数，对于单晶氧化物半导体其值是0.059。齋#丄喋QILUUNIVERSITYOFTECHNOLOGY2.5.4光电化学硏究方法一、电流电压谱通过电流-电压谱，结合光照强度和波长,可以获得:半导体光催化剂的吸收系数；少数载流子的扩散系数、平带电位、光电转换效率等;稳态光照下,光电流与外加的偏电压和光强的关系可用Gaertner公式表示:jphoto/R-exp(-aW)/(1+aLmin)(1-9)jpht。是光电流密度卩A/cm2,为光电流