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1、第六章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管6-3在受主浓度为的P型硅衬底上的理想MOS电容具有0.1um厚度的氧化层， ，在下列条件下电容值为若干？（a）和，（b） 和，（c）和。解答： （1）， 由 则 ，则 b) ， ，低频 c) , ，因为高频，总电容为与串联 则 6-4采用叠加法证明当氧化层中电荷分布为时，相应的平带电压变化可用下式表示：解答：如右图所示， 消除电荷电荷片0的影响所需平带电压：0由 积分： 6-6利用习题6-3中的结果对下列情形进行比较。(a) 在MOS结构的氧化层中均匀分布着的正电荷，若氧化层的厚度为150nm，计算出这种电荷引起的平带电压。(b) 若全部电荷都位于硅-

2、氧化硅的界面上，重复(a)。(c) 若电荷成三角分布，它的峰值在，在处为零，重复(a)。解答：（1) 电荷分布，因为电荷均匀分布，所以b) c) 电荷分布成三角形，峰值在，在处为零，由此可设（），cost。（）， 6-8 一MOS结构中由的P型衬底，100nm的氧化层以及铝接触构成，测得阈值电压为2.5V，计算表面电荷密度。解答： 阀值电压 6-9 一P沟道铝栅极MOS晶体管具有下列参数： ， ，计算在等于-4V和-8V时的，并绘出电流-电压特性。解： 饱和时： 当时，当时，电流-电压特性曲线 6-11在习题6-9中的MOS晶体管中，令。（a） 计算氧化层电容和截止频率。（b） 若，及，重复（a）。解答：（1）氧化层电容为： 由等效电路， （2）氧化层电容为： 截止频率为： 6-13一 N沟MOSFET，假设线性区漏电流在 时固定不变，。求沟道内载流子迁移率。解：线性区 则 代入数据： 解出 。说明：这个习题给出了一个测定载流子迁移率和

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