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文档简介

1、目录化学站蚀刻站黄光站蒸镀站研磨抛光镭射切割点测站分类站第1页，共18页。化学站1.酸碱清洗槽蒸镀前清洗基板清洗蚀刻2.有机清洗槽基板清洗去光阻金属剥离3.SRD(旋干机)DI water清洗热N2烘干第2页，共18页。蚀刻站1.PECVD(化学气相沉积系统)沉积SIO2/SINx作Hard mask阻挡层沉积SIO2/SINx作绝缘层,防止IR以及增加光的输出.第3页，共18页。2.ICP(等离子蚀刻系统)利用等离子体蚀刻出PN结的N电极.蚀刻金属电极.把光罩上的图形真正意义上的转化到晶片上. 第4页，共18页。3.a-step(表面纵深测量仪)测量PN结的高度差第5页，共18页。4.椭圆仪

2、对PECVD沉积SIO2/SINx的厚度进行监控.量测PECVD沉积SIO2/SINx的折射指数.第6页，共18页。黄光站1.Spin coater(上光阻机)利用离心旋转涂布方式在晶片上涂布一层感光物质.第7页，共18页。2.Aligner(曝光机)利用光的能量对感光物质进行结构上的破坏.第8页，共18页。3.显影槽把光罩上的图形经由光照后的感光物质显现出来.第9页，共18页。4.电浆去光阻机对光阻表面进行整理残余光阻去除金属表面整理第10页，共18页。蒸镀站1.蒸镀机利用电子束/热藕电阻对金属热熔后蒸镀.蒸镀透明导电极蒸镀金属焊垫第11页，共18页。2.Furnace(炉管)对透明导电极进

3、行高温熔合,以增加透明电极的导电性以及欧姆接触.第12页，共18页。3.穿透率量测仪器量测透明导电极厚度光的穿透率第13页，共18页。研磨抛光1.研磨机把经前段制程的晶片从300um研磨至100um左右.由于研磨后的晶片会凹凸不平,必须要经过抛光机把研磨后的晶片抛光到87um左右.第14页，共18页。镭射切割1.镭射机以镭射能量控制沿晶片切割道对其进行半切第15页，共18页。2.劈裂机以雪崩劈裂方式把经过半切的晶片完全劈开分离第16页，共18页。点测站1.Prober(点测机)对晶粒的光电特性(VF,WD,IV.IR)进行点测为Sorter提供有效的分类依据第17页，共18页。分类站1.Sorter(分类机)根据Prob

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