后清洗生产培训

1、刻蚀.Rena构造Rena消费原理Inoxside界面操作与等离子刻蚀比较.Rena程度刻蚀清洗机11.冷水机； 5.上料台；2.上位机； 6.rena柱式指示灯及其急停开关;3.抽风管及其调理阀； 7.前玻璃窗.4.集中供液柱式指示灯及其急停开关;1532674.4Rena各部件功能引见-11.冷水机: 给冷却器提供冷却水.2.上位机:向PLC输入运转参数,监控其运转.3.抽风管及其调理阀:排设备内废气,调理,监视抽风负压.4.集中供液柱式指示灯及其急停开关:柱式指示灯显示集中供液运转形状,急停开关用于应急停顿集中供液设备.5.上料台:用于设备供料放硅片.6. rena柱式指示灯及其急停开关

2、:柱式指示灯显示rena运转形状,急停开关用于应急停顿rena设备.7.前玻璃窗:监视设备内硅片运转情况,维护设备内气体流动,隔绝设备尾气.Rena程度刻蚀清洗机28.电柜； 12.排放管道；9.后玻璃盖板； 13.自动补液槽；10.下料台； 14.集中供液管路 ； 11.供气，供水管道； 15.传送滚轴.89101112131415.6Rena各部件功能引见-28.电柜:放置安装设备总电源开关,各断路开关,电脑机箱以及PLC(设备总控制器).9.后玻璃盖板:监视设备各部件运转情况,维护设备内气体流动,隔绝设备尾气.10.下料台:用于刻蚀后硅片卸片(插片).11.供气,供水管道:供应设备正常运

3、转运用的紧缩空气,纯水,自来水以及冷却水.12.排放管道:用于排去设备废水.13.自动补液槽:用于储存设备自动运转时补偿的化学品.14.集中供液管路:用于集中供液向自动补液槽添加化学品以及rena的初次加液.15.传动滚轴:用于rena设备内传送硅片.Rena程度刻蚀清洗机各槽分布图1.Etch bath； 5.Hf bath；2.Rinse 1； 6.rinse 3DI-Water spray；3.Alkaline rinse； 7.dryer 2。4.Rinse 2；1234567.Rena各槽功能引见 1.上料台放片 2.刻蚀槽刻边 3.洗槽去残液 6.HF槽去磷硅玻璃 5.洗槽去残液

4、4.KOH喷淋去多孔硅 7.洗槽去残液 8.风刀吹干 9.下料台插片.Rena各槽功能引见槽名主要功能实现情况Etch-bath刻蚀硅片边缘及背面的PN结，刻蚀线不超过硅片边缘1.5mm，无刻不通现象。此槽需循环流量，刻蚀液温度，气体流动稳定。刻蚀速率下降越慢越好。风刀吹去硅片上面的刻蚀槽残液。良好Rinse 1循环喷淋水洗去刻蚀后吸附在硅片上的刻蚀液，并风刀吹去积在硅片上的洗槽槽液。良好Alkaline-rinseKOH喷淋去除硅片表面的多孔硅及其杂质，去除扩散形成的染色.并风刀吹去积在硅片上面的KOH残液。KOH溶液依靠冷却水降温保持在20左右。良好Rinse 2循环喷淋水洗去去多孔硅后吸

5、附在硅片上的碱液，并风刀吹去积在硅片上的洗槽槽液。良好Hf-bathHF循环冲刷喷淋去除硅片表面的磷硅玻璃，并风刀吹去积在硅片上的HF残液良好Rinse 3循环喷淋水洗去去磷硅玻璃后吸附在硅片上的HF酸液，并纯水喷雾洗去循环水残液。良好Dryer 22道来回拉动的风刀吹去硅片两面吸附的纯水，不能有液体残留在硅片上。一般.一、刻蚀槽刻蚀槽消费多晶156硅片图片.刻蚀槽溶液流向图刻蚀反响为氧化，放热反响.流回储液槽，溶液温度较高储液槽泵液至冷却器冷却器泵液至刻蚀槽内槽刻蚀槽内槽温度较低液面与硅片吸附反响后流入外槽内槽槽壁可调理高度，刻蚀槽液不断循环降温，且循环流量一定范围内越大，液面越高泵.刻蚀槽

6、硅片流入吸附刻蚀液原理此为消费mono125-150硅片时图片硅片完全悬空硅片尾部吸附刻蚀液.刻蚀槽硅片流入吸附刻蚀液原理此为消费mono125-150硅片时图片2052934橡胶圈较小2051141橡胶圈正常刻蚀液完全吸附.刻蚀槽前后硅片形状比较此为消费mono125-150硅片时图片硅片刚进入刻蚀槽硅片刻蚀后，边缘水印为反响生成的水.刻蚀槽影响刻蚀效果的要素一、抽风:抽风在很大程度上会影响到刻蚀槽液面动摇，而刻蚀槽任何的液面动摇，对在液面上运转的硅片都有很大影响；二、传动速度:传动速度决议硅片经过刻蚀槽的时间，也就是决议硅片刻蚀的反响时间；三、滚轴和内槽槽边高度程度:滚轴高度决议硅片经过刻

7、蚀槽时的高度，而内槽槽边高度程度决议刻蚀槽液面的大致高度，两者的高度差距只需在合理范围内，硅片才干吸附到刻蚀液；四、滚轴程度：滚轴程度，5道轨道内运转的硅片才干与刻蚀液程度面平行，只需平行于程度面，硅片吸附刻蚀液才均匀，也即刻蚀均匀，无过刻或刻不通景象；五、硅片覆盖率：硅片覆盖率也就是硅片之间的间距，它决议硅片间液面外形。刻蚀槽是经过液体的张力将刻蚀液吸附于硅片上，但硅片间间隙过小，液体就会浸漫到硅片上面，破坏分散面。同时，过高的覆盖率还会使刻蚀槽液面升高。.Rinse 1一号洗槽采用循环水喷淋，上下各两道水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液水源为rinse 2溢流水。上水刀下水刀风刀.1

8、7Alkaline rinse上水刀上水刀风刀.碱槽溶液流向图槽截面泵过滤器硅片运转平面碱液流动方向冷却水流动方向槽壁喷淋头槽内液面高于溢流口的溶液从溢流管排掉F.Rinse 2二号洗槽采用循环水喷淋，上下各两道水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液水源为rinse 3溢流水 。上水刀下水刀风刀.HF bath氢氟酸槽采用5%HF溶液喷淋浸泡，上下各四道水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液氢氟酸循环喷淋使反响充分HF bath去PSG 硅片完全浸泡在溶液里.氢氟酸槽溶液流向图槽截面过滤器泵硅片运转平面氢氟酸液流动方向内槽液面外槽液面F喷淋头.Rinse 3三号洗槽采用循环水喷淋水源为纯水喷雾落进槽内水 ，上下各两道水刀冲洗硅片两面后，上下各一道纯水喷雾器清洗硅片两面流量400lh循环水冲洗DI-Water喷雾器最后冲洗，水落进槽底，反复利用。.Dryer 2二号枯燥槽采用紧缩空气吹干，上下各两道风刀运用马达带动来回拉动，吹干硅片。吹干风刀.湿法刻蚀相对等离子刻蚀的优点 1、非分散面PN结刻蚀时被去除原等离子刻蚀反面PN结依托丝印被铝浆时，铝复原硅片使N形硅变为P形硅，但所产生的P形硅电势不强；2、硅片干净度提高无等离子刻蚀的尾气污染；3、节水rena运用循环水冲洗硅片，耗水约8T/h。等离子刻蚀去PSG用