右轴承座组件工艺及夹具设计外文中

1、MEMS20，CMOS，CMOSMEMS1.MEMS的实现 MEMS 和 CMOS 共同工作是MEMS20，CMOS，CMOSMEMS1.MEMS的实现 MEMS 和 CMOS 共同工作是分别制造 MEMS 传感器和 CMOS 集成电路，然后，从各自的谓的混合（hybrid）方法。这种方法不会产生 MEMS 制造过程对 CMOS 电路的污染，同时，两本，提出把 MEMS 部分做在和 CMOS 电路同一块衬底上，也就是产生了与 CMOS 工艺兼容单片集成 MEMS 技术或叫 CMOS-MEMS 技术。这种方法相对混合方法总的来说有如下优势：第一，性能译（pre-CMOS）ermediate-CM

2、OS）t-CMOS）t-CMOSCMOSMEMSMEMSMEMSt-CMOS要问题是MEMS 加工工艺温度会对前面的CMOS 电路性能产生影响更为严重的是后面高温MEMSCMOSMEMS为例，使磷硅玻璃致密化退火温度为 950400-450时，CMOSMEMSCMOSMEMS3MEMS400-450时，CMOSMEMSCMOSMEMS3MEMSermediate-CMOSCMOSMEMSCMOSBiCMOS2.MEMSMEMSt-CMOSCMOSCMOSMEMSMEMSofCMOSwithmicro-structuresMICS作为牺牲层的表面微细加工技术。采用难熔金属钨的金属化互连代替铝金属

3、化互连以承受后面的生产多晶硅微结构所需要的高温，但是，在 600时，钨容易与硅形成反应，伯克利大TiNMICSCMOS30010-10nm（LTO200力。最后，刻蚀多晶硅结构图形以及腐蚀掉其下面的牺牲层（PSG）2.1.2多晶硅锗不仅有与多力。最后，刻蚀多晶硅结构图形以及腐蚀掉其下面的牺牲层（PSG）2.1.2多晶硅锗不仅有与多晶硅相似的优良机械性能，而且，淀积温度低与 CMOS 工艺兼容，所以，目前被广泛研究。伯克利大学开发的基于硅锗结构层的工艺与 MICS 工艺基本相似。主要技术革新：第一，保护层采用不同的材料，以前 MICS 工艺采用 835的 LPCVD 氮化硅，而现在则是采用两层

4、LTO 和中间夹一层不定型硅（a-Si）作为 CMOS 电路保护层，其中，a-Si 分两步淀积，第一步淀积在 450；第二步淀积则在 410，这样温度是不会损坏铝金属化 CMOS只有 400，采用快速退火温度也仅为 550，时间为 30s。而 MICS 工艺淀积多晶硅结构温度则超过 600。从以上两点可知，由于整个后续 MEMS 加工温度不超过 450，所以，不会CMOS采用铝作为结构层材料也会获得很大成功，最为成功的是德州仪器开发低温表面微细加（DMD单元不被破坏 。传感器以及微执行器。PZTCMOSCMOSMEMSCMOSCMOS，这种方法被称作牺牲铝蚀刻laluminumetching，

5、SALE）122（4）2.2.2单体硅活化蚀刻和金属化法（single crystal reactiveetching and metallization， CMOSCMOS300CMOS2.2.3CMOS-MEMSGamegle MelloaCMOSCMOS0.5upmN单体硅活化蚀刻和金属化法（single crystal reactiveetching and metallization， CMOSCMOS300CMOS2.2.3CMOS-MEMSGamegle MelloaCMOSCMOS0.5upmN离子蚀刻（RIE），3，CMOS3CMOS SP6O2 等离子在不蚀刻微结构侧壁情况下各向同性蚀刻硅衬底。狭窄的绝缘层和导电层融2.2.4CMOS-MEMSMEMS大KOHXeF2t-CMOSXeP2剂，蚀刻速度很高，它是惰性气体氙的一种稀有化合物。XeP2ICXeF2，CMOS3.ICMOSIS.EuropracticeCroonsCMO