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文档简介
1、高电压技术考题流注理论未考虑 B 先导通道的形成是以 C电晕放电是一种 A称为 C 。的气象条件? D 。 SF6气体具有较高绝缘强度的主要原因之一是 D_高电压技术考题流注理论未考虑 B 先导通道的形成是以 C电晕放电是一种 A称为 C 。的气象条件? D 。 SF6气体具有较高绝缘强度的主要原因之一是 D_冲击系数B 放电电压与静态放电电压之比在高气压下,气隙的击穿电压和电极表面 有很大关雷电流具有冲击波形的特点: C 在极不均匀电场中,正极性击穿电压比负极性击穿电压 A A.B(11)下面的选项中,非破坏性试验包括_ADEG ,破坏性实验包括 A.定度? ABCDC 需进行气压和温度的校
2、正D交流峰值电压表的类型有: D关于以下对测量不确定度的要求,说法正确的是: A不确定度应不超过C8的纹波幅值 冲击电压发生器基本回路的元件有冲击电容 C1,C2电阻 R1 和波交流峰值电压表的类型有: D关于以下对测量不确定度的要求,说法正确的是: A不确定度应不超过C8的纹波幅值 冲击电压发生器基本回路的元件有冲击电容 C1,C2电阻 R1 和波尾电阻 R2,为了获得一很快由零上升到峰值然后较慢下降的冲击电压,应使_ B_ 。CC1C2、DC1C2、(18) 电容分压器的低压臂的合理结构是_ACD 。 箱C. 电缆输入端应尽可能靠近电容C2(19).光电测量系统有哪几种调制方式: ABCD
3、 B. 调频光强度调制D.波,当末端短路时,以下关于反射描述正确的是 0,电流增大一倍 (21) C_。 (22) 减少绝缘介质的介电常数可以 电缆中电磁波速度(23) 根据我国有关标准,220kV线路的绕击耐雷水平是_避雷器到变压器的最大允许距离 A 对于500kV线路,一半悬挂的瓷绝缘子片数为 (23) 根据我国有关标准,220kV线路的绕击耐雷水平是_避雷器到变压器的最大允许距离 A 对于500kV线路,一半悬挂的瓷绝缘子片数为 (27) 在放电厂和变电站中,对直击雷的保护通常采用哪几种方式? C(28) 空载线路合闸的时候,可能产生的最大过电压110kV220kV 系统中,为绝缘的相对
4、地操作过电压的倍数为A4.0B3.5C3.0D2.75(30) 空载线路合闸过电压的影A合闸相D单相自动重合以下属于操作过电压的A工频电 (2) 根据巴申定律,在某一PS值下,击穿电压存极值。对支持绝缘子,加均压环能提高闪络电压的原因是改善(电极附近)电场分沿面放电就是沿固体介质 表面气体中发生的放电越易吸湿的固体,沿面闪络电压就越_ 提高_常规的防污闪措施有: 传输线路的波阻抗长度电感和电容有关,与 线路长度无关在末端开路的情况下,波发生反射后,导线上的电压会 3) 导线电阻和线路对地电导大地电阻和 地中电流等值深度的影响 、冲击电晕的影响 。Z1、Z2两不同波阻抗的长线相连于A点,行波在A
5、点将发生折射与反射,反射系数的 取值范围为_ 11落雷密度是指 每雷暴日中每平方公里地面内落雷的次雷电波的波头范围一般在 1us到 5us传输线路的波阻抗长度电感和电容有关,与 线路长度无关在末端开路的情况下,波发生反射后,导线上的电压会 3) 导线电阻和线路对地电导大地电阻和 地中电流等值深度的影响 、冲击电晕的影响 。Z1、Z2两不同波阻抗的长线相连于A点,行波在A点将发生折射与反射,反射系数的 取值范围为_ 11落雷密度是指 每雷暴日中每平方公里地面内落雷的次雷电波的波头范围一般在 1us到 5us中,通常建议采用_ 2.6us _长度的雷电流波头长度。埋入地中的金属接地体称为接地装置,
6、其作用是_ 降低接地电阻 。 40 。(16)对于 500kV 的高压输电线路,避雷线的保护角15 。 标来衡量 。GIS 雷电冲击水平 降低杆塔接地电阻是提高线路耐雷水平防反的有效措施连接点之间的距离不得小于_ 我国 35220kV 电网的电气设备绝缘水平是以避雷器在中性点非直接接地系统中,主要的操作过电压是 弧光接地过电压 34 压系统中多采用_ _单相重合闸要想避免切空线过电压,最根本的措施就是要 改进断路器的灭弧性能_。采用阀型避雷器 。 比较雷击冲击耐受电压和操作冲击耐受 最大工作电压 来决定:1、气体击穿:气体由绝缘状态变为导电状态的现象称为击穿。3、气体击穿:气体由绝缘状态变为导电状态的现象称为击穿。11、非自持放电:需要依靠外界游支持的放电11、非自持放电:需要依靠外界游支持的放电称为非自持放电。答:波阻抗ZZ=u/I。和电阻一线的电阻是与线路长度成正比的;(2)组5m,试设计避雷针的高度。解:hxh/2,P=1rx=(h组5m,试设计避雷针的高度。解:hxh/2,P=1rx=(hhx)Ph=15,hxh/2,解的h一致。即 h=15m答:作用:(1)线路绝缘,提高线路绝缘即提高绝缘子串的 50%冲击闪络电压。 (2)Ri,Ri,提高
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